浅析传感器和D I S系统在高考题型中的应用

针对D I S系统在生产生活实际中的广泛应用, 以及近年 D I S系统在高考试卷当中频繁出现的事实, 借 助对两道相关高考真题的解析与研究, 以帮助学生更好地理解和体会D I S系统在试题中的出现形式, 从而达到熟练 掌握相关题型的解题技巧的目的     

基于缄默知识理论的物理S T S教学探讨

缄默知识在实际教学中扮演着重要角色. 对于我国现行的渗透式物理S T S教学, 其情境性和实践性的 特点使得教学中的缄默知识更容易与学生头脑中的缄默知识产生共鸣, 这对于教学的有效展开和学生的科学素养 的锻炼都有积极作用. 本文旨在通过探究基于缄默知识理论的物理S T S教学模式, 对于现今S T S教学提出一些建 议和看法     

S型光纤锥的研究进展

随着新型微加工工艺的发展,传统的锥型光纤发展派生出数千种不同的微结构光纤.其中,S型光纤锥由于其体积小、质量轻、抗电磁干扰以及可以直接嵌入结构化系统的灵活性得到了迅猛地发展.随着对S型光纤锥研究的深入,基于S锥的各种结构和功能的光纤传感器不断地被提出,用于测量温度、应变、折射率、湿度和磁场等,不仅丰富了光纤传感器的种类,更加深了人们对传感机理的认识.本文全面回顾了S型光纤锥的研究进展,包括传感原理、制备方法、各种传感结构组合以及传感应用等,并对其发展进行了展望.     

采用3S分离器的天然气液化过程的参数分析

采用低温下3S分离器的一维稳定流动数学模型,对影响采用3S分离器的天然气液化过程的主要参数——入口压力、温度、组分以及膨胀后的压力进行了分析。结果表明,存在一从低压低温到高压高温的"脊形"区域,在此范围内3S分离器具有明显的优势。3S分离器对天然气组分的变化不敏感。膨胀后压力越低,天然气的液化率越高。     

S+X双频旋转关节设计与仿真

为解决S+X双频合建大型测控天线S、X不能同时发射上行功率的技术难题,对天馈线系统主要组成部件包括：天线反射面、S/X双频馈源、S/X双频段旋转关节等进行了分析,并针对结构实现与电气设计上的技术难点,给出了解决方案：电气设计上采用TM01模式作为X频段圆波导主要传输模式,采用TEM模式作为S频段同轴波导传输模式;在结构上使用两通路同轴嵌套的形式,完成了双频关节设计;通过电气性能仿真,得到了满意的结果,据此完成了双频旋转关节方案设计。通过计算、仿真与优化,结果表明所设计双频关节的电气性能均优于指标要求。采用该方案设计的某S+X双频合建大型测控天线实际使用表明：S、X能同时发射上行功率,同时构成天地测控回路。     

S型超导六极磁体的电磁-力学分析研究

通过有限元分析的方法对14.5 GHz的ECR离子源中S型六极磁体电磁与力学特性进行了分析研究。对比分析了跑道型、马鞍型和S型三种结构的ECR离子源磁体间的相互作用力,然后以离子源所需的轴向约束场以及磁体间的电磁力为优化对象,研究S型六极磁体的优化。结果表明：相较于传统结构,S型六极磁体结构的优势在于能够提升ECR离子源的轴向磁场以及降低磁体端部所受洛伦兹力和应力。     

SiO2凝胶玻璃中联吡啶S2→S0辐射跃迁

联吡啶以分子水平掺入SiO2凝胶玻璃中, 显示出独特的光谱性质. 其发射光谱除了正常的S1→S0跃迁产生的中心位于400 nm的发射峰外, 还出现了中心位于454 nm的激基缔合物发射峰. 经200 ℃处理后, 联吡啶分子受Si-O网络刚性约束, 激基缔合发射峰消失, 出现了基于S2→S0辐射跃迁产生的325 nm高能级发射峰. 至550 ℃处理后, 因联吡啶分子基本进入Si-O三维网络的间隙, 发射光谱中只剩下振动结构明显的高能级荧光峰. 上述结果为表征有机/无机复合材料微结构演变提供了荧光探针工具.     

Bi2S3/BiOCl复合光催化剂的水热合成及其高活性

采用一种简便的水热法在433 K的温度下成功合成了具有不同Bi2S3质量分数的Bi2S3/BiOCl复合光催化剂,利用各种技术对其进行了表征.在紫外光照射下,以甲基橙水溶液的光催化降解为模型反应,评价了Bi2S3/BiOCl复合光催化剂的活性.研究结果表明:与纯Bi2S3和纯BiOCl相比,Bi2S3/BiOCl样品明显具有更高的光催化性能,尤其当Bi2S3在Bi2SJBiOCl中的质量分数为26.5％时,Bi2 SJBiOCl复合催化剂的光催化活性与商业P25(TiO2)的活性非常接近,而这种商业P25在紫外光照射下是公认的高效光催化剂.这种明显提高的光催化活性主要归功于光生电子和空穴在Bi2S3和BiOCl形成异质结界面上的有效转移,降低了电子-空穴对的复合.     

基于结构光投影的二维S变换轮廓术

S变换是一种集合了窗口傅里叶变换和小波变换优点的时频分析技术,目前一维S变换已成功应用于结构光投影的条纹相位解调中。由于二维S变换可以对图像在两个方向上进行时频分析,具有更优于一维S变换的分析和处理能力。为了完善S变换的条纹相位解调理论,将二维S变换方法引入到基于结构光投影的三维光学测量中,研究了二维S变换在条纹相位解调中的原理及应用,给出了详尽的理论分析,并同一维S变换结果进行了比较。模拟和实验都表明,在条纹图解相中,二维S变换比一维S变换提取的相位精度更高,即使在存在较严重噪声污染的情况下也表现出良好的可靠性,体现出二维S变换提取相位的优势。     

Cd_(0.96)Zn_(0.04)S/Cd_(0.97)Mn_(0.03)S/Cd_(0.96)Zn_(0.04)S多层纳米线中s-d交换作用的研究

以氧化铝纳米孔为模板,采用直流电化学沉积的方法制备了Cd_(0.96)Zn_(0.04)S/Cd_(0.97)Mn_(0.03)S/Cd_(0.96)Zn_(0.04)S量子阱纳米线阵列,并系统研究了该纳米线阵列在不同温度和不同磁场下的电学输运特性.随着外磁场的变化,样品表现出共振传输特性.通过量子阱理论对实验现象进行了分析,直接得到了稀磁层Cd_(0.97)Mn_(0.03)S中s-d交换作用常数N_0α的定量结果.研究发现该交换作用常数随温度具有e~(-1/T)的变化趋势.     

三元系SrGa2S4：Ce蓝色发光材料

制备了可用于蓝色TFEL的粉末发光材料SrGa2S4:Ce,并对其晶体结构进行了X射线衍射分析,测量并研究了其激发光谱和发射光谱,同时研究了Ce3+浓度的变化对SrGa2S4:Ce的激发光谱、发射光谱、色纯度及发光强度的影响,结果表明SrGa2S4:Ce可发射纯蓝色光,色纯度极佳,实现其高效率的、纯蓝色发射的最佳Ce3+浓度为3～4mol%。     

The molecular structure and the analytical potential energy function of S2^- and S3^-

In this paper, the equilibrium geometry, harmonic frequency and dissociation energy of S2^- and S3^- have been calculated at QCISD/6-311＋＋G（3d2f） and B3P86/6-311＋＋G（3d2f） level. The S2^- ground state is of 2IIg, the S3^- ground state is of 2B1 and S3^- has a bent （C2v） structure with an angle of 115.65° The results are in good agreement with these reported in other literature. For S3^- ion, the vibration frequencies and the force constants have also been calculated. Base on the general principles of microscopic reversibility, the dissociation limits has been deduced. The Murrell-Sorbie potential energy function for S2^- has been derived according to the ab initio data through the least- squares fitting. The force constants and spectroscopic data for S2^- have been calculated, then compared with other theoretical data. The analytical potential energy function of S3^- have been obtained based on the many-body expansion theory. The structure and energy can correctly reappear on the potential surface.     

太赫兹时域光谱技术研究S掺杂GaSe晶体的电导率特性

本文采用透射式太赫兹时域光谱技术研究0.3—2.5 THz范围内本征GaSe,S掺杂质量分数为2.5%GaSe(GaSe:S(2.5%))和S掺杂质量分数为7%GaSe(GaSe:S(7%))晶体的电导率特性,并利用Drude-SmithLorentz模型对复电导率进行拟合.研究发现GaSe晶体的电导率实部随S掺杂浓度的增大而减小,主要是由于S掺杂使GaSe晶体的费米能级逐渐向电荷中性能级转移,载流子浓度下降引起的.本征GaSe和GaSe:S(2.5%)在约0.56 THz处有明显的晶格振动峰,而GaSe:S(7%)在0.56 THz附近无晶格振动峰,这主要是由于S掺杂提高了晶体的结构硬度,减弱了晶体的层间刚性振动.且3个样品均在约1.81 THz处存在明显的窄晶格振动峰,强度随S掺杂浓度的增大先减小再增大,主要是由于S掺杂降低了GaSe的局部结构缺陷,减弱了窄晶格振动峰强度,而过量的S掺杂生成β型GaS晶体,进而增加晶体的局部结构缺陷,窄晶格振动峰强度随之增强.GaSe晶体约在1.07 THz和2.28 THz处的宽晶格振动峰强度随S掺杂浓度的增大而减弱甚至消失,主要是由于S掺杂产生...     

基于S变换滤波解相法的条纹解相研究

S变换可以看作是介于小波变换与窗口傅里叶变换之间的变换,具有很强的时频分析能力,它将一维信号变换为时间(空间)和频率的函数,称为瞬时S变换谱,在沿窗口移动方向上,S变换谱的叠加可得到全局信号的傅里叶频谱。在S变换用于条纹解调时,局部基频的正确提取是确保获得全局信号基频分量的关键。为此研究了不同的滤波过程对S变换解调条纹相位的影响,利用不同的滤波器,在对局部S频谱进行加权滤波后,叠加局部基频,得到全局基频分布,然后再利用逆傅里叶变换获得条纹的相位分布,从而重建被测物体的面形。讨论了阈值滤波、平顶高斯和平顶汉宁滤波、"脊"线拟合后的平顶高斯和平顶汉宁滤波在S变换轮廓术中的应用,通过计算机模拟和实验,初步对比了滤波效果。     

数字微镜光谱仪的互补S编码矩阵的设计及实验

数字微镜光谱仪在应用中编码矩阵的选取至关重要。最佳的理论编码矩阵H矩阵存在非循环、编码复杂、双光路系统实现困难的问题而得不到广泛应用;而最佳实用S矩阵较H矩阵信噪比提高优势略逊。为此本文针对数字微镜光谱仪设计了一种互补S编码矩阵,介绍了其构造、实现过程以及对杂散光和暗电流噪声的削弱作用,通过对其噪声改善程度理论的分析,说明该算法结合了H矩阵与S矩阵的优点,达到了理论与实用的双优。经实验验证,该算法较S矩阵编码模板信噪比提高了2.05倍。     

基于S1000D标准的技术插图制作过程规范研究

为了规范交互式电子技术手册中技术插图制作过程,解决因不同制作者完成图形的差异性及格式多样化等问题,通过将S1000D、GJB6600等标准与本单位实际工作情况相结合,从技术插图的制作过程进行了全方位的分析研究,对插图标注、图层分配、布局等作了规范性要求,形成了切合实际满足IETM标准的技术插图制作过程规范,该规范能有效指导IETM实施过程中的技术插图制作,提高IETM手册的编制效率和过程质量。本研究使技术插图的制作过程真正实现了规范化。     

采用量子波包方法和准经典轨线方法研究S(~3P)+HD反应

利用量子波包方法和准经典轨线方法在一个新的3A′′势能面上研究了S(3P)+HD→SD+H和SH+D反应的动力学性质.计算得到了两个反应通道在碰撞能为0.8—2.2 eV范围内的J=0反应几率、积分反应截面、内同位素因子和产物转动取向因子.这些结果揭示了S(3P)+HD反应非常明显的内同位素效应.通过对势能面和反应轨线的分析,我们发现了SD+H反应通道一个新的反应机制.S(3P)+HD反应的内同位素效应可以利用新发现的反应机制和反应的质量组合来进行解释.     

玻意耳定律的D I S实验

从实验和理论两个方面进行验证和分析玻意耳定律的 D I S实验中气体压强与体积的关系, 并对实验 提出改进建议和拓展     

基于S1000D标准的技术出版物公用信息管理研究

为解决飞机技术出版物中公用信息的管理问题,提高信息的重用性和数据交换的便利性。通过对S1000D标准中公用信息库(CIR)概念的介绍,结合CIR在某大型客机维修类技术出版物编写中的实际应用情况,具体说明了CIR在公用数据管理、技术出版物编写、数据交换方面的优势,及其在提高技术出版物质量方面所起的重要作用。     

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在强度静力分析基础上,对S弯盒壁厚、加强筋间距等参数进行了优化设计和校核。在模态分析基础上,对模型进行了频谱分析和动态时程分析,获得地震动下确保结构安全运行的设计参数。