激光场中正电子对氢原子的电离反应

本文在一级Bom近似下，研究了激光场中正电子对基态氢原子的碰撞电离反应，并与入射粒子为电子的（e，2e）反应进行了对比．激光场中正电子态和敲出电子态分别采用Volkov波函数和Coulomb-Volkov波函数，靶原子的缀饰波函数由含时微扰论给出．计算结果显示激光缀饰的三重电离截面明显依赖于入射粒子电荷符号．激光越强，二者差距越大．     

激光场中正电子对反质子的辐射复合反应

在软光子近似下, 计算了激光场中正电子对反质子的辐射复合过程. 辐射场作为经典场处理, 入射正电子态用Coulomb-Volkov波函数描述, 末道形成的反氢缀饰态由含时间微扰论给出. 理论结果显示激光背景明显削弱了反氢生成截面.     

K_2分子在强激光场下的量子调控:缀饰态选择性分布

利用含时量子波包法理论研究了分子在强激光场条件下的量子调控.选取K2分子的三态模型(基态|X〉、激发态|B〉和电离态|X+〉)作为研究对象.在强激光场的作用下,激发态|B〉缀饰成两个子态:|α〉态和|β〉态.分析K2分子电离后的光电子能谱,可以得到缀饰态|α〉和|β〉的能量和概率分布信息.同时,根据分子的缀饰态理论,提出了K2分子的缀饰态选择性分布方案.研究表明:调节激光场的强度可以实现对缀饰态能量的调控,改变激光场的波长可以实现对缀饰态概率的选择性分布.     

激光辅助的快质子对氢原子的碰撞电离

在质心参考系中研究了激光场中1 MeV质子对基态氢原子的碰撞电离过程. 靶原子的缀饰波函数由含时间微扰论给出, 末道出射电子态用双中心Coulomb-Volkov波函数描述. 计算表明辐射场使出射电子的双重微分截面变小. 敲出电子的能量越高, 截面减小越明显, 但截面中CTC峰的位置基本不受辐射场的影响.     

双共振激发多光子电离过程中电离光电子谱的量子相干调制

利用缀饰态和微扰理论,研究了双共振激发多光子电离过程中电离光电子谱的量子相干特性,讨论了强场作用下激发脉冲的面积和脉冲间的延迟对多光子电离光电子谱的影响.结果表明,脉冲面积和脉冲间的延迟对电离光电子谱有明显的调制作用.当第一个脉冲的面积和脉冲间的延迟选取合适时,实现了多光子电离光电子谱Autler-Townes分裂以及电离光电子谱中干涉条纹的控制,并且利用这一量子相干控制实现了粒子在两个缀饰态之间的选择性布居;第二个脉冲面积的变化不影响两个缀饰态上的粒子布居几率,但对电离光电子谱有着明显的调制作用.     

初态波函数对电子与He原子碰撞同时电离激发反应的影响

在电子碰撞He原子同时电离同时激发的(e,2e)反应中,利用DWBA模型,考虑了入射通道基态He原子两种不同的初态波函数,计算了He原子同时电离激发反应的三重微分截面(TDCS),并与实验数据进行比较.结果表明,有关联的Silverman波函数计算得到的TDCS与实验数据吻合的更好点.     

基态波函数对氦原子双电离微分截面的影响

文中采用氨原子的三种近似波函数,计算了入射电子能量为5599 eV时,敲出电子共面等能分享几何安排下,氦原子双电离He(e,3e)反应全微分截面.结果表明三种波函数的理论计算结果,在误差范围内都与实验数据基本吻合,其中采用Pluvinage波函数所得到的理论数据更接近实验数据.     

基态波函数对氦原子双电离微分截面的影响

文中采用氦原子的三种近似波函数,计算了入射电子能量为5599eV时,敲出电子共面等能分享几何安排下,氦原子双电离He（e,3e）反应全微分截面.结果表明三种波函数的理论计算结果,在误差范围内都与实验数据基本吻合,其中采用Pluvinage波函数所得到的理论数据更接近实验数据.     

初态波函数对电子与He原子碰撞同时电离激发反应的影响

在电子碰撞He原子同时电离同时激发的（e, 2e）反应中,利用DWBA模型,考虑了入射通道基态He原子两种不同的初态波函数,计算了He原子同时电离激发反应的三重微分截面(TDCS),并与实验数据进行比较。结果表明,有关联的Sliverman波函数计算得到的TDCS与实验数据吻合的更好点。     

双原子分子多光子电离强场效应的含时波包动力学研究

强激光非线性条件下分子的多光子电离过程呈现出较为明显的强场效应.由于这种效应不能用传统的量子微扰论来处理,“缀饰态”模型方法提供了物理图象清晰的处理光与物质相互作用的方案.本文基于含时波包动力学的基本理论,将激光场看作经典场,利用“缀饰态”模型研究了强场下双原子分子(NO、RbI等)的多光子电离过程.研究表明,激光场的强度、泵浦-探测脉冲延迟时间等对多光子电离光电子能谱的形状有着重要的影响,而这种影响是由光诱导势引起的.另外,在研究具有两个连续态的RbI体系时,自电离现象的发生也与势能面的交叉密切相关,并受外场强度的影响.本文计算模拟外场中分子的光电子能谱时所得到的强场效应对理解和实现原子分子过程的激光操控具有重要的意义.     

双原子分子多光子电离强场效应的含时波包动力学研究

强激光非线性条件下分子的多光子电离过程呈现出较为明显的强场效应.由于这种效应不能用传统的量子微扰论来处理,"缀饰态"模型方法提供了物理图象清晰的处理光与物质相互作用的方案.本文基于含时波包动力学的基本理论,将激光场看作经典场,利用"缀饰态"模型研究了强场下双原子分子(NO、RbI等)的多光子电离过程.研究表明,激光场的强度、泵浦-探测脉冲延迟时间等对多光子电离光电子能谱的形状有着重要的影响,而这种影响是由光诱导势引起的.另外,在研究具有两个连续态的RbI体系时,自电离现象的发生也与势能面的交叉密切相关,并受外场强度的影响.本文计算模拟外场中分子的光电子能谱时所得到的强场效应对理解和实现原子分子过程的激光操控具有重要的意义.     

低能电子碰撞He+(e,2e)反应绝对三重微分截面的理论研究

利用Berakdar和Briggs对BBK波函数Sommerfeld参数的修正结果，即考虑第三个粒子存在对两个粒子间相互作用的影响，考虑了入射道的库仑相互作用及出射粒子的交换对称性，计算了在共面等能分配几何情况下低能电子碰撞He⁺(e,2e)反应绝对三重微分截面.结果表明，入射道库仑场对较低的入射能量及小的碰撞参数的三重微分截面影响较大. 关键词：     

N5B五能级系统中重复缀饰四波混频研究

从理论上研究了N5B五能级系统中一个激光场重复缀饰四波混频过程.结合能级图分析,从它特殊的Autler-Town分裂峰中可以非常清晰地看出其重复缀饰的作用.还研究了在强Probe场和强耦合场下N5B五能级下缀饰四波混频信号的抑制增强现象.采取独特的处理方法——独立作用法,研究结果表明一个激光场作用于N5B五能级系统时存在两次缀饰,并形成缀饰能级的二重分裂或者三重分裂,不同于多个耦合场对原子的多重缀饰作用.应用于非线性光谱术中对多峰结构的研究. 关键词： 四波混频 电磁感应透明 重复缀饰     

电子入射双电离He原子的理论研究

完成了高入射能(E05.6keV),低敲出能(E1=E2=10eV)情形下,电子入射双电离He原子五重微分截面(FDCS)的理论计算.计算中使用了三个电子在He+2离子场中的四体末态波函数.计算结果与其他理论结果进行比较发现:所得结果与最新的(e,3e)实验数据较好地一致.     

激光场中类氢原子的电离本征值

光场下类氢原子的Schrdinger方程可用缀饰势方法求解.波动方程展开为Floquet分波后,可以得到弱光场或强光场下近似的径向波函数和复的电离本征值,然后计算了共振能量和半宽度.     

强外场调控下半导体中浅杂质态的光学吸收特性

理论研究了法拉第位形下强太赫兹激光场、磁场以及压强作用下半导体中浅杂质态非线性光学性质.利用含时非微扰理论——强太赫兹激光场效应被精确包含在激光缀饰库仑势中——和变分法计算出浅杂质态电子能级和波函数,然后基于紧致密度矩阵方法研究强外场和压强对浅杂质态1s→2p_z跃迁的线性、三阶非线性及总的光学吸收系数和折射率变化的影响.研究发现压强和强外场通过激光缀饰库仑势可调控跃迁能和几何因子的增大或减小,所以饱和吸收不但依赖于入射光强和弛豫时间而且还依赖于强外场,在强激光场强度和回旋共振区域附近饱和吸收更容易实现.线性、三阶非线性及总的光学吸收系数和折射率变化的共振峰位置和振幅,在选取合适的外场参数下不但受到强外场的有效调控,而且还受到压强的强烈影响.研究结果为设计强外场调控的新型高效基于杂质电子器件提供了理论支持.     

高阶离化对强激光场诱导自电离的影响

本文讨论了以往强激光诱导自电离理论所忽略的二阶以上的高阶离化效应,得到了自电离谱的解析表达式,详细研究了高阶离化的影响。结果表明,当激光场足够强时,高阶离化使自电离谱和自电离态的缀饰态产生显著变化。 关键词：     

双原子分子多光子电离强场效应的含时波包动力学研究

强激光非线性条件下分子的多光子电离过程呈现出较为明显的强场效应．由于这种效应不能用传统的量子微扰论来处理。“缀饰态”模型方法提供了物理图象清晰的处理光与物质相互作用的方案．本文基于含时波包动力学的基本理论，将激光场看作经典场，利用“缀饰态”模型研究了强场下双原子分子（NO、RbI等）的多光子电离过程．研究表明，激光场的强度、泵浦-探测脉冲延迟时间等对多光子电离光电子能谱的形状有着重要的影响。而这种影响是由光诱导势引起的．另外，在研究具有两个连续态的Rbl体系时，自电离现象的发生也与势能面的交叉密切相关，并受外场强度的影响．本文计算模拟外场中分子的光电子能谱时所得到的强场效应对理解和实现原子分子过程的激光搛控具有重要的意义．     

在缀饰场中四能级“Ladder”系统的布局数转移

利用"反直觉"频率啁啾激光脉冲分析了偶能级ladder系统的布局数迁移,其中在缀饰激光场作用下N-2个中间态进行耦合.作为偶能级ladder系统的代表,我们着重分析了四能级ladder系统.研究发现如果缀饰激光场足够强且发生共振,则在能级1和能级4之间发生完全布局数迁移必须要求有一个恰当的脉冲叠加面积,调谐pump激光和stokes激光,使其中一个缀饰中间态发生共振,则可以使这个四能级系统简化为三能级系统.     

理论计算电子碰撞氢分子(e,2e)反应的三重微分截面

通过发展的分子畸变波玻恩近似（MDWBA）方法,把坐标空间的分子多中心问题转化为动量空间的单中心问题,入射电子、散射电子以及被电离电子的波函数都使用了畸变波表象,经过求解动量空间Lippmann-Schwinger方程获得电子的畸变波函数。应用MDWBA方法计算了共面非对称动力学条件下入射能量为100eV 的电子碰撞氢分子（e,2e）反应的三重散射微分截面,并与其它理论和实验结果进行了比较。MDWBA方法的计算结果与实验结果符合的很好。