中高能电子被甲烷及氯代甲烷散射的总截面

利用可加性规则，使用HartreeFock波函数，采用由束缚原子概念修正过的复光学势（由静 电势、交换势、修正极化势及吸收势这四部分组成），在较大的能量(30—5000eV)范围内对 电子被甲烷及氯代甲烷（CH₄，CCl₄，CHCl₃，CH₂Cl₂和CH ₃Cl）散射的总截面进行了计算，且将计算结果与实验结果及其他理论计算 结果进行 了比较.结果表明，利用被束缚原子概念修正过的复光学势及可加性规则进行计算，所得结 果的精度要比利用未被束缚原子概念修正的复光学势及可加性规则进行计算得到的结果好很 多.因此，在复光学势中采用束缚原子概念可提高电子被分子散射的总截面的计算准确度. 关键词： 电子散射 可加性规则 束缚原子 总截面     

中高能正电子被CO，HCl，NH3及SiH4散射的总截面

利用可加性规则，使用Hartree-Fock波函数，采用由束缚原子概念修正过的复光学势(由静电势、极化势及吸收势三部分组成)，在30—3000eV内对正电子被CO，HCl，NH₃和SiH₄散射的总截面进行了计算，且将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行了比较.结果表明，利用被束缚原子概念修正过的复光学势及可加性规则进行计算，所得结果与实验结果的符合程度要比利用未被束缚原子概念修正的复光学势及可加性规则进行计算得到的结果好很多.因此，在复光学势中采用束缚原子概念可提高正电子被分子散射的总截面的计算准确度. 关键词： 正电子散射 可加性规则 束缚原子 总截面     

中高能正电子被CO,HCl,NH3及SiH4散射的总截面

利用可加性规则,使用Hartree-Fock波函数,采用由束缚原子概念修正过的复光学势(由静电势、极化势及吸收势三部分组成),在30-3000eV内对正电子被CO,HCl,NH3和SiH4散射的总截面进行了计算,且将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行了比较.结果表明,利用被束缚原子概念修正过的复光学势及可加性规则进行计算,所得结果与实验结果的符合程度要比利用未被束缚原子概念修正的复光学势及可加性规则进行计算得到的结果好很多.因此,在复光学势中采用束缚原子概念可提高正电子被分子散射的总截面的计算准确度.     

中高能电子被O2及CF4分子散射的微分截面、弹性积分截面及动量转移截面

利用可加性规则,使用Roothaan-Hartree-Fock波函数,采用由束缚原子概念修正过的复光学势,在300-1000 eV内若干个能量点处计算了电子被O2及CF4分子散射的微分截面、弹性积分截面及动量转移截面,并将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行了比较.比较的结果表明,利用被束缚原子概念修正过的复光学势及可加性规则进行计算,所得微分散射截面的精度要比利用未修正的复光学势及可加性规则进行计算得到的结果准确得多;同时,计算得到的弹性积分截面及动量转移截面也比较接近实验值.因此,在复光学势中采用束缚原子概念可提高电子被分子散射的微分截面、弹性积分截面及动量转移截面的计算准确度.     

中高能电子被O2及CF4分子散射的微分截面、弹性积分截面及动量转移截面

利用可加性规则，使用Roothaan-Hartree-Fock波函数，采用由束缚原子概念修正过的复光 学势，在300—1000eV内若干个能量点处计算了电子被O₂及CF₄分子 散射的微分截面、 弹性积分截面及动量转移截面，并将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行了比较. 比较的结果表明，利用被束缚原子概念修正过的复光学势及可加性规则进行计算，所得微分 散射截面的精度要比利用未修正的复光学势及可加性规则进行计算得到的结果准确得多；同 时，计算得到的弹性积分截面及动量转移截面也比较接近实验值.因此，在复光学势中采用 束缚原子概念可提高电子被分子散射的微分截面、弹性积分截面及动量转移截面的计算准确 度. 关键词： 电子散射 可加性规则 微分截面 弹性积分截面     

30-5000eV的电子被若干分子散射的总截面计算的一种修正势方法

利用可加性规则，使用Hartree-Fock波函数，采用由束缚原子概念修正过的复光学势，在30~5000eV这一较大的能域内对电子被N2、NO、NO2、CH4、CF4、CF3H、C2H2及C2H4散射的总截面进行了计算。束缚原子不同于自由原子之处，是束缚原子概念考虑了不同分子中的不同的电子云重叠情况，并根据电子云的重叠情况对复光学势进行修正。文中，将定量的计算结果与实验结果及其它理论计算结果进行了比较，结果显示出在30~5000eV内，计算结果与实验结果及其它理论计算结果间有较好的一致性。同时结果也表明，在较低的能量下，尤其是当入射电子的能量低于500eV时，利用被束缚原子概念修正过的复光学势进行计算得到的结果，要比利用未被束缚原子概念修正的复光学势计算得到的结果更接近于实验值。因此，在复光学势中考虑电子云的重叠效应可改善电子被分子散射的总截面的计算精度。     

一种计算中、高能电子被分子散射总截面的修正势方法

在考虑分子内成键原子间的电子云重叠效应的基础上，提出了一种能够在中、高能区准确计算“电子-分子”散射总截面的修正势方法.利用可加性规则及Hartree-Fock波函数，使用这一修正过的复光学势，在30—5000eV内对电子被4个等电子(Z=18)分子(HCl，H₂S，PH₃和SiH₄)散射的总截面进行了计算，并将理论计算值与实验结果及其他理论值进行了比较.结果表明，利用这一修正过的复光学势及可加性规则进行计算，所得理论值与实验结果更为接近. 关键词： 电子散射 总截面 可加性规则 束缚原子     

中高能电子被氟代甲烷散射的总截面计算

利用可加性规则,使用Hartree-Fock 波函数,采用被束缚原子概念修正过的复光学势,首次在100～5 000eV内对电子被具有较多电子数的氟代甲烷分子散射的总截面进行了计算,且将计算值与实验值及经验公式进行了比较,得出了被束缚原子概念修正过的复光学势可成功用于"电子-氟代甲烷"散射总截面计算的结论;研究了"电子-氟代甲烷"的散射总截面与目标分子总电子数及电子入射能量间的关系,初步分析了结构因子与总电荷数相关的原因,并指出了对复光学势进行进一步修正时应遵循的原则.     

中、高能电子被SO2分子散射的微分截面、动量转移截面及弹性积分截面

在考虑分子内成键原子间的电子云重叠效应的基础上, 提出了一种能够准确计算“中、高能电子-分子”散射的微分截面、动量转移截面及弹性积分截面的修正势方法. 利用可加性规则、使用Hartree-Fock波函数并采用被这一方法修正过的复光学势, 在100—1000eV内对电子被SO₂分子散射的微分截面、动量转移截面及弹性积分截面进行了计算, 并将计算结果与实验及其他理论结果进行比较. 结果表明, 利用这一修正过的复光学势及可加性规则获得的微分截面比利用未修正的复光学势及可加性规则得到的结果准 关键词： 可加性规则 微分截面 动量转移截面 电子散射     

30-3000eV的正电子被O2、H2O及CH4散射的总截面计算

使用可加性规则，在Hartree-Fock水平上计算了30-3000eV的正电子被三个分子（O2、H2O及CH4）散射的总截面。计算正电子被三个分子散射的总截面时，首次使用了被束缚原子概念修正过的复光学势（这一复光学势考虑了分子中两个原子间的电子云重叠效应）。将正电子被这三个分子散射的总截面计算结果与实验结果及其它理论计算结果进行了比较，结果显示出在30-3000eV内，文中的计算结果与实验结果及其它理论计算结果具有较好的一致性。因此，可加性规则与修正后的复光学势相结合，完全适用于正电子被分子散射的总截面的计算。     

中、高能电子被SO2分子散射的微分截面、动量转移截面及弹性积分截面

在考虑分子内成键原子间的电子云重叠效应的基础上,提出了一种能够准确计算“中、高能电子-分子”散射的微分截面、动量转移截面及弹性积分截面的修正势方法.利用可加性规则、使用Hartree-Fock波函数并采用被这一方法修正过的复光学势,在100—1000eV内对电子被SO2分子散射的微分截面、动量转移截面及弹性积分截面进行了计算,并将计算结果与实验及其他理论结果进行比较.结果表明,利用这一修正过的复光学势及可加性规则获得的微分截面比利用未修正的复光学势及可加性规则得到的结果准确得多,计算得到的动量转移截面及弹性积分截面在入射电子能量不低于200eV时也都比较接近实验值.     

100～5 000 eV下电子被若干分子散射的总截面

利用可加性规则,使用Hartree-Fock波函数,在100～5 000 eV内采用由束缚原子概念修正过的复光学势,对电子被约40个分子散射的总截面进行了计算,并将计算结果与实验结果及其它理论计算结果进行了比较.得出如下结论①对大多数散射体系而言,仅当入射能量E≥100 eV时,计算结果即与实验结果符合得较好,少数较复杂的体系,当E≥200～300 eV时,也能与实验结果符合得较好.但采用未修正的复光学势进行计算,仅当E≥500～800 eV时才与实验结果符合得较好,不少体系只有在E≥1 000 eV时才能得到较好的结果.这说明本修正是成功的;②在较高的能量下,对于同类型分子构成的散射体系,在同一能量下其总截面与分子内的总电子数成正比,且电子数越多,其线性度也就越好;③在较高能量下总截面与能量间存在QT≈aE-b的关系.②与③相结合,可推算出一些复杂分子的总截面.     

100～5000eV下电子被若干分子散射的总截面

利用可加性规则，使用Hartree-Fock波函数，在100～5000eV内采用由束缚原子概念修正过的复光学势，对电子被约40个分子散射的总截面进行了计算，并将计算结果与实验结果及其它理论计算结果进行了比较。得出如下结论：①对大多数散射体系而言，仅当入射能量E≥100eV时，计算结果即与实验结果符合得较好，少数较复杂的体系，当E≥200～300eV时，也能与实验结果符合得较好。但采用未修正的复光学势进行计算，仅当E≥500～800eV时才与实验结果符合得较好，不少体系只有在E≥1000eV时才能得到较好的结果。这说明本修正是成功的；②在较高的能量下，对于同类型分子构成的散射体系，在同一能量下其总截面与分子内的总电子数成正比，且电子数越多，其线性度也就越好；③在较高能量下总截面与能量间存在QT≈aE^-b的关系。②与③相结合，可推算出一些复杂分子的总截面。     

一种考虑几何屏蔽效应的计算“电子-分子”散射总截面的可加性规则修正方法

在考虑分子内原子间的几何屏蔽效应随电子入射能量变化的基础上, 提出了一种能够在中、高能区准确计算“电子-分子”散射总截面的可加性规则修正方法. 利用这一修正后的可加性规则并使用“电子-C, H, O, N原子”散射总截面的实验数据, 在50—5000 eV内计算了电子被NO, N₂O, NO₂和C₂H₆分子散射的总截面, 且将计算结果与实验结果及其他理论结果进行了比较. 结果表明, 利用这一方法修正过的可加性规则进行计 关键词： 电子散射 可加性规则 总截面 几何屏蔽效应     

电子被HF和HCl分子散射总截面的计算

利用光学势方法计算了能量在１０ｅＶ—１０００ｅＶ范围内电子被Ｈ、Ｆ和Ｃｌ原子散射的总截面，并与已有的实验结果和理论计算进行了比较；又利用可加性规则（ａｄｄｉｔｉｖｉｔｙｒｕｌｅ）计算得到了电子被ＨＦ和ＨＣｌ分子散射的总截面，计算结果也与已有的实验结果和理论计算进行了比较     

50-5000 eV电子被C4H8O, C5H10O2, C6H5CH3和C4H8O2散射的总截面

使用电子被C, H和O原子散射总截面的实验数据, 利用修正后的可加性规则计算了能量为50-5000 eV的电子被4个复杂大分子C4H8O, C5H10O2, C6H5CH3和C4H8O2散射的总截面, 并将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行了比较. 结果表明, 即使是在几十电子伏的入射能量下, 修正后的可加性规则计算出的总截面依然能与实验结果符合很好, 而使用未修正的可加性规则进行计算, 即使是在几百电子伏的入射能量下得到的总截面仍偏离实验值较远. 分析表明, 未修正的可加性规则计算得到的总截面在中低能区过大、随电子入射能量的增加而衰减太快的问题是由可加性规则本身引起的, 其实质是未考虑低能下分子内原子间的相互屏蔽对散射总截面的计算所带来的影响.     

10－5000 伏下电子被多原子分子CF4, CF3H, C2F4, C2F6, 及 C2H3F3散射总结面的计算

利用可加性规则和光学势方法计算了能量在10-5000 eV范围内电子被多原子分子CF4, CF3H, C2F4, C2F6, 及 C2H3F3的总结面，并与已有的实验结果和理论计算进行了比较，与这些结果符合得很好。对于CF4, CF3H, C2F4, C2F6, 及 C2H3F3在1000eV以上没有实验数据，本文对实验研究提供了对比和预测的数据。     

量子场论方法在电子与分子碰撞中的应用

这是一种利用量子场论所进行的探究性的研究方法,在文章中,我们设 计了一种新的较为简单的电子-原子碰撞模型,将量子场论方法与光学势方法中的可加性规 则结合起来.利用这种模型,我们计算了e-H,e-He和e-Li的微分碰撞截面,获得了较满意的 结果.     

50—5000 eV电子被C4H8O,C5H10O2, C6H5CH3和C4H8O2散射的总截面

使用电子被C, H和O原子散射总截面的实验数据, 利用修正后的可加性规则计算了能量为50—5000eV的电子被4个复杂大分子C₄H₈O, C₅H₁₀O₂, C₆H₅CH₃和C₄H₈O₂散射的总截面, 并将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行了比较. 结果表明, 即 关键词： 电子散射 可加性规则 总截面 几何屏蔽效应     

紧束缚势和修正的嵌入原子势计算液态Sn双体相关函数差异

对500个Sn原子分别用两种模型(紧束缚势和修正的嵌入原子势)计算了400℃～1700℃温度范围内纯Sn的双体相关函数g(r).将计算结果与实验数据进行了对比分析,发现两种计算结果都能基本上反映液态Sn的结构及其随温度的变化情况:原子最近邻距离与实验结果相近;随着温度降低,双体相关函数第一峰变得尖锐,第二峰变得明朗.修正的嵌入原子势模型得到的双体相关函数的第一峰右侧有个突起的肩膀,这在实验结果中也被发现,而紧束缚势模型得到的双体分布函数肩膀不明显.