《国外信息显示》一九七三年分类目录

一无机发光材料的一般问题: 发射光谱 余辉测量 光和颜色的测量 国外无机晶体发光研究概况 发光材料的能带结构 体效应场致发光 一种联合的发光中心 等电子陷阱二场致发光显示器件和材料: CdS:Cu粉末磷光体直流场致发光(DCEL)性质的研究 利用场致发光屏作发光天棚的可能性 粉末场致发光屏亮度的测量 粉末材料EL效率的测量 n一班族化合物粉末的直流场致发光 ZnS薄膜场致发光 粉末场致发光应用现状 薄膜PC一EL夹层型象加强器 碱卤晶体的场致发光简讯:一种硫化镐场致发光器件 ZnS:TbF3薄膜的直流场致发光 Mn注入的ZnS薄膜场致发光元件…     

《国外发光与电光》一九七五年分类目录

一发光的一般问题:ZnS荧光粉的表面吸附和光化学过程的研究关于磷光体效率的讨论会(动态)稀土发光的一些特性稀土磷光体中辐射及无辐射过程的估算(会议文摘)在磷光体生产中要注意的几点(会议文摘)美.日荧光粉工业的现状与发展趋势一九七五年国际发光会议文摘选辑 14 662 1 213专辑2 3 3 5 5 56 二场致发光:化合物半导体的场致发光扮末,薄膜材抖和器件:4 9 n 41 68 73 2 2 31 58 62 34 36 51 56561上1一JI J.︷,上唯1 2 2 2 2 21公5 5 55 场致发光留象板(动态) 用场致发光屏的电视显象系统(会议文摘) 稳定的高亮度薄膜场致发光屏(会议文摘)…     

近期外文资料索引

一发光的一般问题无机发光材料的制备· 西德专利1592571碱卤化合物的本征发光 日本物理学会志1974,29 (6)发光 固体物理3(4)11一W一V:族化合物半导体 固体物理6(6)11一W族化合物的能带结构 固体物理8(5)二场致发光硫化锌磷光体的gud碑en一pohl效应和 表面态 J。Lumineseenee 1973。8 (2)164经由EL存贮屏进行扫描变换 美国专利3680087EL光源—在发光材料上触接镀碳灯 妊, 美国专利3772556用升华法制备的磷光体的场致发光 Nekot Aktual VoP. Sovrem。Estest,ozn。 1971。59场致发光层的电泳沉积 CBeToTexH从Ka 1974,5 (11)ZnS粉末…     

稳定的高亮度薄膜场致发光屏

以前的场致发光屏,在实际应用中,一般有寿命短、亮度低的缺点。 最近,在我们的实验室中,研制成稳定的高亮度薄膜场致发光屏。此屏在250伏(有效值),5千赫电压下,亮度为1000呎朗伯,连续工作10000小时以上,没有变坏的任何表现。也研制出了用于显象的有矩阵结构的屏。     

稳定的低压场致发光屏

在各种不同的技术领域中,作为指示器及光源用的场致发光屏,为了得到所需的亮度,一般都用较高的交流电压(100—220伏)激发。参考资料[1—3]指出了利用各种有机粘合剂制备在较低电压下有几十个尼特亮度的场致发光屏的可能性。但是这些场致发光屏的稳定性很差(特别是用细的场致发光粉时),并且在连续工作时亮度急剧下降。只有采用稳定过的细的荧光粉,情况才比较好。本文研究了解决这个问题的另一种途径,即利用玻璃介质制备稳定的低压场致发光屏。     

近期外文资料索引

9.氢共激活的ZnS一Cdse场致发光粉 一、发光的一般问题:的发光特性 1.发光研究的目前趋势同上488 IN产OPT.PROP.Ions in Solids’Plenum Publ.co.N.Y.vol.8,1975 10.掺锰的硫化锌场致发光薄膜器件中 固有的存贮效应 2.全波发光会议Proe.Conf.Solid State Devices Post.Fiz。1975。26(2)230 1974,6,103 3.由低带隙的高强度激发引起的CdS n.直流场致发光薄膜器件发光美国专利3.889.016 Solid State Commun。,1975,17(4),523 12.叠层场致发光屏 西德专利DS 1639一104 4 .22届全苏发光会议(分子发光) Te3二c。江oK二.AHCCCP.AH…     

《国外信息显示》一九七二年分类目录

期页一、场致发光显示器件和材料: 粉末状氧化铝的场致发光127 Cdse单晶的双注入、负阻效应和场致发光磷光体场致发光129 SrS一Cu,Eu磷光体场致发光的磷光现象132 延长场致发光屏寿命的几种方法一136 稀土激活的ZnS粉末的直流场致发光27 稳定的低压场致发光屏210 对未来场致发光平板电视的设计考虑214 直流控制的固体X光图象转换器425 场致发光理论(一)415 场致发光理论(二)31 场致发光理论(三)614 由于声电不稳定性引起的ZnS低压场致发光56 场致发光层的高温固化对其亮度的影响510 磁场对ZnS一Cu场致发光粉结构和光学性质的影响512 …     

ZnS直流场致发光机构

不论是薄膜还是粉末直流场致发光屏,它们的工作电压都可能比交流场致发光屏低。最近,我们能够制出工作电压低至20伏并有适当的亮度,尤其是具有很好的老化特性的薄膜发光屏。另一方面,我们在粉末直流场致发光屏方面的工作由于它的急剧老化而遇到困难。因此,很有必要更好地了解这些屏。为此,本文的目的在于研究ZnS粉末屏的形成过程,局部辐射,老化和场致发光机构。     

近期外文资料索引

一、发光的一般问题: 对发光材料的光学和电学性质的研究 A D 778 413 某些n一VI族化合物的禁带宽度与温度的关系同前1974,(12)53含氧化锌发光材料的直流场致发光板日本特许74 011796高分辨率场致发光X射线象转换器日本特许74 01179734(12)Phys.Chem.Solids.,1973, 2167了 489二、场致发光:ZnS。.。S。。.‘晶体中的绿色场致发光Appl.Phys。Lett.,1974 25(9) 参加场致发光过程的陷阱光谱 J .Lumineseenee,19749(2)156 晶体光致发光和场致发光磷光体 PWN,1974,164 5.(波) 稀土场致发光溶液 美国专利3835345 介质与场致发光亮度/温度…     

近期外文资料索引

一发光的一般问肠对n一U族化合物的电子自旋共振的研究 ,\D 760803I一VI族化合物中的本征缺陷 AD 771797Yvo。、YAso‘、YpO;中稀土离子在激发 态的多声子弛豫 AD 772194测量在77和50OK之间发光的衰减时间的荧 光计 Nouv.Rev.Opt.,一973,4(2),57.36个字母的直流场致发光字符显小器 一973 SID,p30.多晶硫化锌驻极体的场致发光闪光 袱flC。,1973,19(4)641.ZnS:Mn薄膜自发与刺激场致发光理沦 水3T中,1973,(1)371。场致发光装置 日本专利72,27594。 二场致发光对老化的Z。S(Cu,CI)场致发光粉中浅陷 阱的研究 C .R。Aead。Bulg.Sc…     

场致发光体悬浮液的电泳沉积

为了寻求提高场致发光屏发光亮度的方法,不仅可以沿着改进合成场致发光体途径的方向来进行,而且也可以采用发光体镀层的新方法来实现。电泳法是具有前途的镀层制备法之一。其优点在于:在衬底上形成的镀层具有很高的颗粒密度和颗粒的均匀分布。这就使得场致发光屏的亮度有所提高。目前用喷雾法制备的场致发光屏,密度低,厚度分散性很大(10—15％),因而发光亮度也不均匀。 许多工作表明,应用电泳法制作场致发光屏原则上的可能性。但是,具体尚未推广到工业上去广泛采用。 本工作讨论从悬浮液中电泳沉积场致发光体过程的研究结果,及其在电场中的行为,籍以研究形成场致发光屏的基本规律性。作为研究的对象,我们曾选用ЭЛ—515、ЭЛ—510M、ЭЛ—580M、ЭЛ—650、ЭЛ—455标号的场致发光体。     

粉末材料的场致发光(1)

1.场致发光的基本现象及一般原理 (1)交流激发下的场致发光 用于交流激发的粉末场致发光材料主要是ZnS:Cu之类材料。 交流场致发光的亮度和所加电压的关系符合经验公式: B=B_0exp[-(V_0/V)~(1/2)] 其中B为亮度,V为外加电压,B_0和V_0为和电压无关的常数。从这个经验公式可以知道,亮度是随电压的增大超线性增加的。B_0和V_0与温度、电压的频率,所用的发光粉,发光屏的结构有关。频率越高,温度越     

Mn注入的ZnS薄膜场致发光元件

日本J.Appl.phys.11(10)72,发表一篇短文,介绍Mn注入的ZnS薄膜场致发光元件,内容如下: 利用离子注入技术制造薄膜场致发光元件是卓有成效的。我们研究了Mn注入的ZnS薄膜的场致发光性能及有关特性。这种技术有如下一些引入注目的优点:(1)通过反复交替地注入激活剂(Mn,Cu,Al,     

近期外文资料索引

一、发光的一般问题一九七三年塞格德(匈)发光会议 Aeta Phys.et ehem,Szeged,1973, 19(4)P。321一459。晶体发光粉及其应用 BeeTR。AH CCCP。1974.4,112 一1 14。判定稀土磷光体中的辐射与无辐射过程 J .Eleetroehem.Soe.1974,121 (3),950。直流激发的场致发光粉末材料 英国专利1357420场致发光器件用的磷光粉一激活的磷光体上 镀有一层无阴离子金属 英国专利1353143二、场致发光场致发光材料和显示器的最新进展 European Conferenee on Eleetro- teehnies EUROCON,74.D呈gest, 22一26,April,74。掺稀土离子的场致发光ZnS薄膜…     

新的场致发光显示屏

在现代电子设备中对信息显示器件的需求日益迫切。这种需要包括从数字显示器直到全标度图表显示。传统的显示器件是阴极射线管,或许还附带,例如,机械电气数字指示器。虽然阴极射线管在显示的尺寸和灵活性方面还没有受到挑战,但在电子设备中固体电路日益普及已使人们感到它很苯重而且工作电压很高等缺点。可以直接用固体电路驱动的平板组件(flat—pack)是非常可取的。这种显示器件之一就是场致发光屏。 1907年,马可尼有限公司的H.J.Round首先报导了场致发光现象,当时是用碳化硅晶体作无线电检波实验。但是这一现象一直没有被充分研究,直到二十年代,当时Lossev开始对这一现象进行了     

近期外文资料索引

一、发光的一般问题: 硫化锌中的发光 AD 751 302 11一砚族半导体的某些光学特性 AD 753 562 晶格位错的动力学理论 AD 753 576 稀土材料在发光方面的应用 A D 758 760 施主受主对中的构形相互作用 AD 762 909 掺过渡金属离子的11一硕族化会物的发光 Lumin。Cryst.,Mol.,Solutions,proe.Int。Conf.,1972,553一63。 施主受主对光谱中的位形相互作用和交连效应 同上,628一37。 强合金半导体的发光理论 中Tn,1973,7(6),1058一68。 强合金补偿的非简并半导体的发光理论 中Tn,1973,7(6),1069一80。磷光体老化防止剂 特许公报昭48一9709 …     

GaN场致发光二极管

RCA公司制备出Zn掺杂的i—n(绝缘层—n型层)结构的GaN二极管。在常温下具有绿色和兰色直流场致发光特性。发绿光的二极管特性如下。 GaN绝缘层是在Zn蒸汽气氛中用汽相生长技术制得的。过去曾报导过点接触电极GaN绝缘层的场致发光。但其发光效率很低,而且只能在晶粒边界的若干微小点上发光。在报导的这种i—n结构中,观察到了     

专利选报

先前的树脂型场致发光屏是把场致发光材料分散在介电常数较大的树脂中,然后再在这样做好的发光层上做上一对电极即成。如图所示,在一个带有氧化锡透明电极层1的透明基板2上涂以一种分散在树脂中的场致发光材料,干燥之后,做成发光层3,然后再真空蒸发A1等,做上第二电极4。为了改善发光,提高发光层的耐压,在电极和发光层3之间往往加以反光层5。 从前,为了提高树脂型场致发光屏的亮度,其办法主要是把发光材料分散在介电常     

掺杂8-羟基喹啉铝薄膜的电致发光特性研究

在具有电致发光(EL)的有机整合染料8-羟基喹啉铝(Alq3)中接以染料罗丹明6G(R6G),用真空热蒸发的方法制备器件,获得了峰值波长575nm的黄色直流薄膜电致发光,从而通过掺杂改变了发光颜色.并在Alq3发光层不同区域插入一掺杂薄层(Alq3:R6G),利用其发光波长与未掺杂部分(Alq3)的不同,以此作为“探测层”,通过对器件光谱及电学特性的测量与分析,探讨了有关发光区域,发光机理,界面对发光影响等基本问题.     

显示动态报导

场致发光显示 1969年3月《电子学》(Electronics.Val.42.No 6.P114)报导,日本一家公司用粉末场致发光做成实验性电视屏,屏为方形,对角线长33厘米,共有52,800点,能粗略地显示人象。