Si2+离子与氢原子碰撞电离过程的CTMC计算

应用经典径迹蒙特卡罗方法研究Si2+离子与氢原子碰撞电离反应过程.计算了随入射离子能量变化的总截面、出射电子随角度和能量变化的一阶、二阶微分截面,及出射电子随入射离子能量变化的平均能量.根据计算结果,讨论展示了软碰撞、电子转移到入射离子连续态、两体相遇碰撞等电离机理,阐明了它们对碰撞总截面、微分截面、电离电子能量的影响.通过计算出射电子到入射离子和靶的距离比的电离电子数分布研究了不同入射离子能量"鞍点"电离机理的可能性.     

Si2+离子与氢原子碰撞电离过程的CTMC计算

应用经典径迹蒙特卡罗方法研究Si²⁺离子与氢原子碰撞电离反应过程.计算了随 入射离子能量变化的总截面、出射电子随角度和能量变化的一阶、二阶微分截面,及出射电子随 入射离子能量变化的平均能量.根据计算结果,讨论展示了软碰撞、电子转移到入射离子连 续态、两体相遇碰撞等电离机理,阐明了它们对碰撞总截面、微分截面、电离电子能量的影 响.通过计算出射电子到入射离子和靶的距离比的电离电子数分布研究了不同入射离子能量 “鞍点”电离机理的可能性. 关键词： 重粒子碰撞过程 经典径迹蒙特卡罗方法 电离机理     

He2+离子与氢原子碰撞电离的扭曲波计算

应用程函近似的连续扭曲波方法研究He2+离子与氢原子的碰撞电离过程,计算了随入射离子能量变化的总截面、出射电子随角度和速度变化的一阶、二阶微分截面.计算结果展示了软碰撞、电子转移到入射离子连续态、两体相遇碰撞等电离机制.     

裸核离子与中性原子碰撞电离过程的理论研究

基于处理裸核离子与中性原子碰撞电离过程的OBKN和ECPSSR理论模型,系统计算了不同裸核离子与中性原子碰撞K壳层电子俘获截面和直接电离截面,并与其它文献已有的理论和实验结果进行了比较.研究结果表明：碰撞能量较低时,电子俘获截面大于直接电离截面,随着碰撞能量的增加,电子俘获截面和直接电离截面均是先增大后减小且直接电离截面减小地非常缓慢,高能时,直接电离截面大于电子俘获截面.当入射炮弹离子速度接近0.67倍靶原子K壳层电子速度时,电子俘获截面达到最大值,而当入射炮弹离子速度接近靶原子K壳层电子速度时,直接电离截面达到最大值.     

裸核离子与中性原子碰撞电离过程的理论研究

基于处理裸核离子与中性原子碰撞电离过程的OBKN和ECPSSR理论模型,系统计算了不同裸核离子与中性原子碰撞K壳层电子俘获截面和直接电离截面,并与其它文献已有的理论和实验结果进行了比较.研究结果表明:碰撞能量较低时,电子俘获截面大于直接电离截面,随着碰撞能量的增加,电子俘获截面和直接电离截面均是先增大后减小且直接电离截面减小地非常缓慢,高能时,直接电离截面大于电子俘获截面.当入射炮弹离子速度接近0.67倍靶原子K壳层电子速度时,电子俘获截面达到最大值,而当入射炮弹离子速度接近靶原子K壳层电子速度时,直接电离截面达到最大值.     

C3+与Ne碰撞过程纯电离绝对截面的测量和研究

介绍了离子-原子碰撞过程中双微分绝对截面的计算方法.利用符合技术测量了中能区C³⁺+Ne碰撞系统的纯电离微分绝对截面. 将实验结果与多体经典蒙特卡罗方法计算结果进行对比后发现，纯电离截面随入射能量变化的趋势基本一致，对理论与实验产生差异的原因作了分析. 对多重电离的电离机制分析表明：高价态的反冲离子主要来自于俄歇贡献；随着入射能量的升高，电子-电子间的库仑作用也逐渐显现. 此实验方法可以用于相同实验装置上的各种反应出射道的绝对截面测量，入射离子种类及入射离子能量范围将得到拓展. 关键词： 离子-原子碰撞 绝对截面 纯电离     

He2+离子与H原子的重粒子碰撞电离过程

利用初态程函近似的连续扭曲波方法研究了He²⁺离子与Ｈ原子的碰撞电离过程. 计 算得到了入射离子能量从30keV/u到2000keV/u的碰撞电离总截面、随电离电子能量和角度变 化的一阶和二阶微分散射截面，及随入射离子能量变化的电离电子平均能量.计算的总电离 截面与其他理论和实验结果进行了比较，在入射离子能量大于100keV／u的能区，计算结果 与实验符合得很好；在较低的能区，各种理论结果之间有较大差别，计算结果比实验约小50 ％.利用计算的二阶微分散射截面讨论了软碰撞、电子俘获到入射离子连续态、两体相遇碰 撞等碰撞电离机理. 关键词： 重粒子碰撞电离 初态程函近似 总截面 一阶和二阶微分散射截面     

Nb,Ag原子的K壳层和L壳层电离截面的理论计算

电子离子碰撞电离截面是模拟激光等离子体的超热电子的能谱和产额的主要过程之一.基于相对论性的电子离子碰撞的K壳层电离截面理论,计算了Nb、Ag的K壳层和L壳层电子碰撞电离截面,结果和最近的文献实验数值和其它理论数值进行了比较,计算结果比其它模型更加准确,与最近的实验结果也吻合较好,该结果可用来模拟激光等离子体的超热电子能谱和产额.     

He^2＋离子与氢原子碰撞电离的扭曲波计算

应用程函近似的连续扭曲波方法研究He^2 离子与氢原子的碰撞电离过程，计算了随入射离子能量变化的总截面、出射电子随角度和速度变化的一阶、二阶微分截面。计算结果展示了软碰撞、电子转移到入射离子连续态、两体相遇碰撞等电离机制。     

含温有界原子模型下电子与离子碰撞激发和电离截面的理论研究

采用扭曲波玻恩交换近似方法，在自由原子模型下计算了电子与离子碰撞激发、电离截面，计算值与实验一致；在含温有界平均原子模型下，系统研究了不同温度、密度等离子体中离子的电子碰撞直接电离截面，发现由于温度、密度效应导致离子的能级漂移，引起等离子体中离子的碰撞电离截面比自由原子情形发生较大变化. 关键词： 平均原子模型 扭曲波波恩交换近似 电离截面     

高速带电粒子与核子的边缘电磁作用

本文研究了核子电磁结构对Weizs?cker-Williams等价光子谱理论的影响。为了克服Clementel-Villi型形式因子所导致的发散困难,提出了对这个形式因子的修改。计算的结果表明,在等价光子谱方法适用的范围内,碰撞的两个粒子,如果质量相差悬殊,主要还是W-W的结果。但在两粒子质量相近时,结构的影响就很明显。     

ONE LOOP CORRECTIONS OF THE FERMION MASSES AND THE CP-VIOLATION CALCULATIONS OF THE STRONG AND WEAK INTERACTIONS

In a renormalizable gauge theory of spontaneously broken symmetry, using the path integral method, we derive a formula for calculating the one loop corrections of the effective potentials in the general case and the expressions for the one loop corrections of the fermion masses. Using this results, we calculate the contributions of the one loop corrections of the fermion masses to the QCD CP-violation, and have obtained a more general results than V. Goffins'. We discuss also the weak CP-violation in this paper.     

BCS-van Hove方案与高温超导电性

基于BCS—van Hove机制,研究了非磁杂质对高温超导电性的抑制效应,考虑到双层耦合效应和三维耦合效应,将van Hove方案推广到多带BCS模型,计算了超导转变温度与化学势的关系,并与实验结果进行了比较。     

偏转磁场场参数的理论分析与计算

偏转磁场的场参数H₀,H₂,H₄常用来表示偏转系统的电子光学性质。本文从毕奥-沙伐定律出发,先得出单匝喇叭状鞍形线圈场参数的解析表达式,接着运用傅里叶谐波分析法求出当线匝具有某种分布时的场参数的解析表达式,从而建立谐波分量与场参数的直接关系,并得出一些有用的结果。可用于显象管、摄象管、雷达显示管、扫描电子显微镜、电子束曝光机等的偏转线圈设计。 关键词：     

熊猫光纤的结构与双折射特性关系研究

本文用微元算法研究了熊猫光纤的结构参量对熊猫光纤双折射特性(拍长)的影响.由实验数据拟合出了计算拍长的熊猫光纤掺杂区的有效热膨胀系数.计算结果表明,熊猫光纤的猫眼半径、猫眼与纤芯的距离、猫眼的不一致等都是影响拍长的因素.所得结果对熊猫光纤的制作提供了理论指导.     

裂变碎块角分布与鞍点结构

从Jacob和Wick所推导的具有自旋粒子的散射矩阵元一般表示式出发,采用适当近似后,分析了中子引起Th²³⁰,Th²³²,U²³⁴,U²³⁶,U²³⁸裂变的阈能附近碎块角分布的实验数据。分析结果说明:1)阈能附近碎块角分布可以用裂变是通过鞍点上少数转动带(每一带具有确定的宇称)来解释;2)这些转动带与Nilsson的渐近能谱图所预言的基本上一致。同时利用对称裂变鞍点比非对称裂变鞍点高的观点,讨论了裂变碎块角分布各向异性与质量比之间的关系。     

应变量子阱激光器阱宽与组分的确定和增益特性的理论研究

本文根据一维势阱和应变效应的简单理论,给出一种既简单又较准确的确定量子阱的组分和阱宽的方法。并且,针对较为常用的波长为1.3μm的InGaAs/InGaAsP材料以及最新兴起的InAsP/In材料应变量子阱激光器,利用该方法得到了组分和量子阱阱宽。再根据这些参数,利用变分法计算了量子阱的能带结构和二维电子气状态密度。然后,在选取不同的线形函数的情况下分别计算了对应于不同的注入载流予浓度时的这两种激光器的线性增益和微分增益。     

红宝石R＇、B线及U、Y带压力移位的理论计算

基于电子径向波函数在加压下扩展的概念，把Ｂ、Ｃ、Ｄｑ、ξ等参量表示成线性压缩ｋ＼的函数，并进一步考虑三角场作用，理论计算了红宝石Ｒ＇、Ｂ线及Ｕ、Ｙ带的光谱压力移位，结果与实验数据符合很好。     

高压下氢化锂晶体中的离子间力与结合能公式的原子分子设计

本文提出一种利用材料Hugoniot数据研究高压下离子晶体中微观离子状态及其离子间排斥作用势的新方法。对氢化锂晶体进行研究时,我们得到Li~+和H~-离子之间排斥作用势函数,结果表明文献〔1〕中提出的离子压缩效应具有客观性。     

电磁波在无回波室中物理现象的分析计算

本文讨论了无回波室中,吸收材料对电磁波吸收和反射、极化偏转、多波干涉以及由于干涉而形成复杂的驻波分布,文中以直射波为参考波束,只考虑在直射波极化方向上各反射波的场分量,从而给出了多波干涉情况下的场强、反射电平、交叉极化特性、通路损耗均匀性的表示式以及用于工程设计的固有反射电平计算曲线,最后,给出了部分典型实验结果。 关键词：