硅酸锶掺Eu^3^＋的高压合成及发光特性

首次采用高压高温方法合成了Sr_2SiO_4:Eu~(3+)Bi~(3+)和SrSiO_3:Eu~(3+)Bi~(3+)发光材料,研究了合成压力、合成温度对发光特性的影响。与常压合成产物相比较,发光谱线发生了红移;谱线半宽度显著增大;发光强度和量子发光效率下降。X射线衍射分析得出,SrSiO_3:Eu~(3+)Bi~(3+)发生了结构相变,Sr_2SiO_4:Eu~(3+)Bi~(3+)结构未变但晶格参数发生了变化,且主衍射峰强度发生了反转。分析表明,发光特性的变化是压致晶场、库仑及自旋～轨道相互作用的变化引起的。     

GdVO4：Eu3+发光的温度效应

研究了GdVO4:Eu^3 在高压汞灯的313和365nm激发下室温以上（300－600K）发光的温度依赖关系。发现来自^5Do的发射强度随温度的升高而显著增强,直到600K也未见饱和。其中^5Do→^7F2的619nm发射在600K温度时的强度是室温下的20多倍。我们认为Eu^3 的电荷迁移态作为中间态是造成其发光增强的根本原因。激发过程中,先激发到Eu^3 本身的^5DJ(J=1,2,3…）激发态,然后在温度的作用下上升到电荷迁移态（CTS）,温度升高时传递几率显著增强,并按^5D3,^5D2,^5D1依次使被激发的电子转入CTS态,从电荷迁移态直接弛豫传递给^5Do态,由于^5Do态电子数不断增多,致使来自^5Do的发射随温度升高而增强。     

BaMoO4:Eu3+发光材料的制备及光谱特性研究

利用高温固相法制备了BAMoO4:Eu3+发光材料,采用X射线衍射(XRD)和荧光光谱仪对样品进行测试.结果表明,在800℃时得到BaMoO4纯相,属四方晶系.激发光谱由一个宽带和处在350nm后的若干个线状谱组成,宽带归属于Eu3+-O2-电荷迁移吸收带(CT),线状谱属于Eu3+的f--f激发跃迁吸收.发射光谱由5D0-7F1(591 nm),5D0-7F2(615 nn),5D0-7F3(654 nm)和5D0-7F4(702 nm)四组峰组成,其红光5D0-7F2辐射跃迁发射最强,对应EU3+的电偶极跃迁.     

高压合成的硼酸锶掺Eu2+离子发光特性的研究

 本文首次采用高压方法合成了Sr₃B₂O₆:Eu²⁺、Sr₂B₂O₅:Eu²⁺、SrB₄O₇:Eu²⁺一系列硼酸盐，研究了它们和SrB₂O₄:Eu²⁺的常压与高压合成产物的发光光谱、强度及效率的变化，以及发光与其结构的关系。由于硼酸盐在高压处理后，结构发生变化，因而光谱及发光强度均有所改变。尤其对SrB₂O₄:Eu²⁺，在适当的合成压力条件及一定的激光条件下，其量子发光效率比常压提高80倍以上。     

Dy3+掺杂硼硅酸盐玻璃的发光特性

采用高温熔融法制备了Dy3+掺杂硼硅酸盐玻璃,通过测试激发光谱和发射光谱,研究了其光谱性质.研究了玻璃组分及Dy3+掺杂浓度对发射光谱及发光强度的影响,并计算了色坐标,均位于白光区域.通过改变玻璃组分及掺杂浓度,调节黄、蓝发射峰的强度比,在387 nm长紫外光激发下实现了单一基质上有效的白光发射.     

BaFBr∶Eu2+的发光及电特性研究

采用高温固相反应方法制备的BaFBr∶Eu2+粉末样品,未经X射线、真空紫外或紫外光辐照,用波长大于400nm的光激发样品,可观测到Eu2+的390nm发光.样品的电子自旋共振(ESR)谱证实在BaFBr∶Eu2+粉末样品的制备过程中,会产生大量的晶格缺陷,分别为电子和空穴陷阱,它们在光激励发光过程中充当不可缺少的角色.本工作将BaFBr∶Eu2+粉末制成压片,在其一侧制作两个电极,以研究电阻-电压关系、剩余电压随时间的变化以及与电极材料的关系等电学特性.电特性研究结果也表明,样品中有电子和空穴陷阱两类缺陷,BaFBr∶Eu2+的发光,源自激发能通过这两类缺陷向Eu2+的能量传递.     

铕激活的铝酸锶镁的合成及发光特性

研究了二价铕激活的Sr1-nMgnAl2O4的合成、发光性质以及基质组分Sr/Mg摩尔比与荧光性质的关系，并对其余辉及衰减进行了测定。     

白光LED用LiBaBO3:Eu2+材料发光特性研究

采用高温固相法制备了LiBaBO3:Eu2+绿色发光材料.测量了Eu2+浓度为1 mol%时样品的激发与发射光谱,其发射光谱为双峰宽谱,主峰分别为482和507 nm,与理论计算值符合很好;监测482 nm发射峰时,对应激发光谱的峰值为287和365 nm,监测507 nm发射峰时,对应的激发峰为365和405 nm.研究了Eu2+浓度对材料发射光谱的影响,结果显示,随Eu2+浓度的增大,蓝、绿发射峰均发生了红移,当Eu2+浓度大于3 mol%时,蓝色发射峰消失,只有绿色发射峰存在.测量了LiBaBO3:Eu2+材料发光强度随Eu2+浓度的变化情况,结果显示随Eu2+浓度的增大发光强度呈现先增大后减小的趋势,在Eu2+浓度为3 mol%时到达峰值,根据Dexter理论,其浓度猝灭机理为电偶极-偶极相互作用.     

多孔硅发光峰温度行为的研究

实验研究了多孔硅（Ｐｏｒｏｕｓ Ｓｉｌｉｃｏｎ）光致发光峰随测量温度的变化,发现发光峰位随温度的移动与发光峰的能量有关。随温度升高,发光峰波长较长的样品它们的发光峰都移向高能,面发光峰能量较高的样品它们的发光峰都移向低能,发光峰波长位于７４０ｎｍ附近的样品,它们的发光峰与测量温度无关。对上术结果的起源作了讨论。     

Eu2+和Dy3+共掺CaxSr2-xSiO4硅酸盐固溶体发光性质探究

稀土发光材料和固溶体发光材料受到人们的广泛关注,稀土固溶体发光材料本身的结构特性在一定程度上能够影响和决定它的发光特性,而发光特性又直接关系到材料的性能和使用前景.因此,本论文的主要工作时通过改变固溶体发光材料CaxSr2-xSiO4: 0.01Eu2+ , 0.01Dy3+固溶离子Ca和Sr的比例浓度来实现对固溶体发光材料基质结构的调节,测得了不同固溶比例下的样品的激发光谱和部分发射光谱以及热释光谱,并对这些实验结果进行分析.     

Y2W3O12:Eu的合成及其发光特性

介绍了Y2W3O12:Eu的发光特性,与其它彩色电视用红粉进行了比较。Y2W3O12:Eu作为彩色电视用红粉具有最好的发射光谱,在254nm紫外线激发下具有优良的温度特性。介绍了合成Y2W3O12:Eu的两种基本方法,讨论了合成条件对亮度的影响,并对这两种方法进行了比较。     

MgF2:Mn2+合成及发光

本文首次报导了采用碱式碳酸盐和氟化铵一步合成MeF2:Mn2+长余辉材料新方法。研究了各种条件和Mn2+浓度对荧光粉的影响,所得到的MgF2:Mn2+发射为橙红色,主峰在590nm,色度值为x=0.559,y=0.438,余辉大约200ms。荧光粉呈现均匀圆球状的颗粒,属于四方晶系。     

Sm~(3+)在玻璃中的发光以及Sb~(6+)、Ce~(6+)、Gd~(3+)对Sm~(3+)发光性质的影响

本文研究了单掺(Sm~(3+),Ce~(3+)、Gd~(3+).Sb~(3+)、双掺(Sm~(3+)+Ce~(3+)、Sm~(3+)+Gd~(3+),Sm~(3+)+Sb~(3+))和兰掺(Sm~(3+)+Gd~(3+)+Ce~(3+))约四十余种不同玻璃的发射谱和激发谱.探讨了玻璃成份和掺杂离子浓度对Sm~(3+)发光性质的影响以及Ce~(3+),Gd~(3+)、Sb~(3+)、Ce~(3+)+Gd~(3+)对Sm~(3+)的敏化作用。     

BaCl2:Eu和BaCl2·2H2O:Eu微晶的发光特性

本文研究了用还原气氛法在箱式炉内制得的BaCl2:Eu2+微晶及进一步处理后得到的BaCl2·2H2O:Eu2+微晶的发光特性,包括发射光谱、激发光谱、热释光、光激励发光(存贮效应)及其温度依赖,就这些特性对BaCl2:Eu与BaCl2·2H2O:Eu进行了比较.根据发光光谱与激发光谱分析了它们具有良好光致发光特性的原因,讨论了这两种材料在热释光性能及光激励发光(存贮效应)上的明显不同,并对BaCl2·2H2O:Eu2+中Eu2+发光的增强提出了可能的解释.     

氟硼酸锶铕的合成与发光的研究

本文研究了铕激活氟硼酸锶荧光体合成的反应机理,确定了该荧光体生成的最佳反应条件。在高于730℃时焙烧SrCo3、SrF2、H3BO3、NH4F和EuCl3的混合物,主要得到SrF0.1B4O6.95:Eu产物,当焙烧温度低于730℃时,可能形成一种弱发光的SrB6O10:Eu产物,经过870-900℃第二次焙烧,可以使SrB6O10比较完全地转变为SrB4O7晶型,焙烧气氛对产物的发光强度有一定的影响,粒状活性炭的存在(也就是在CO+CO2气氛)对焙烧最为有利。本文还测定了激活剂铕最佳浓度是每摩尔基质0.01mole铕,当高于0.015mole时发生浓度猝灭现象。用X射线衍射法、热重分析法和Sr2+、F-离子化学分析等手段,测定了荧光体的化学组成,它的一般式可写为:(1-x)SrO·xSrF2·2B3O3·yEu 0.02≤x≤0.05 0.005≤y≤0.015     

高温高压合成的SrSiO3:Eu3+Bi3+的结构及其对发光特性的影响

 本文首次报道在3.15 GPa、1 200 ℃高温高压条件下合成出了SrSiO₃:Eu³⁺Bi³⁺发光材料，并与常压合成产物相比较，研究了高温高压合成产物的结构以及合成压力、温度对发光特性的影响。结果表明，高压合成产物SrSiO₃:Eu³⁺Bi³⁺的结构为膺正交（单斜）结构，而常压合成的为六角结构，高压使发光强度下降，量子发光效率下降了88%，谱线红移达756 cm^-1，半值宽度也显著增加，发光性能的改变是由于压致结构的变化引起的。     

基质发光材料Na5Eu(MoO4)4和NaEu(MoO4)2的制备和发光

本文研究了化学计量的基质发光材料Na5Eu(MoO4)4和NaEu(MoO4)2.它们都属于四方晶系,空间群为I41/α .NaEu(Mo04)2属于白钨矿(scheelite)结构,一个晶胞中有2个分子式NaEu(MoO4)2(z=2);而Na5Eu(Mo4O)4属于类自钨矿(scheelite-like)结构,一个晶胞中有4个分子式Na5Eu(MoO4)4(z=4).X射线衍射确定的晶胞常数,对Na5Eu(MoO4)4,α=1.1439nm和c=1.1486nm(密度d计算=4.01g/cm3,z=4);对NaEu(MoO4)2,α=0.5236nm和c=1.1439nm(密度d计算=5.24g/cm3,z=2).由差热法和X射线衍射法确定了Na2MoO4-Eu2(MoO4)3的相图.Na5Eu(MoO4)4分解为NaEu(MoO4)2的温度是700℃.本文确定了制备纯 Na5Eu(MoO4)和NaEu(MoO4)2的方法,并研究了上述两种材料的激发光谱和发光光谱.确定了用X射线粉末衍射谱和发光光谱鉴别Na5Eu(MoO4)4和NaEu(MoO4)2的方法.在365nm紫外光激发下,Na5Eu(MoO4)4的发光比Na5Eu(WO4)4的强得多,在室温下,Na5Eu(MoO4)4,NaEu(MoO4)2和Na5Eu(WO4)4的相对发光积分亮度比为3.8:3.2:1.0.     

BaFBr:Eu2+中的新型色心及其光激励发光

本文报导了BaFBr:EU²⁺晶体中的新型色心,即F₂,F₃和F₄心.F₂、F₃和F₄的吸收带分别位于670—715nm,810—900nm和970—995nm.它们是由F心的凝聚作用而形成的缔合中心.由于这些色心比F心稳定,且它们的吸收带偏离Eu²⁺的发射波长(390nm)更远,故更适合于BaFBr:Eu²⁺光激励发光的研究和开发.     

ZnS:Eu2+的长余辉发光

Eu2+的5d能级在许多晶体中都低于其4f能级的最低激发态(6P7/2),因此发光呈带状光谱,且发射波长随基质变化很大。由于5L→4f是容许跃迁,所以发光的衰减很快,通常在μs数量级,出人意料的是ZnS:Eu的发光尽管也是Eu2+的5d→4f跃迁,但衰减却极慢,达几十分钟的数量级。弛豫曲线的分析表明,这种长的弛豫是电子陷阱造成的。     

CaS:Cu+磷光体的合成及发光性质

本文首先用X光电子能谱分析铜在硫化钙基质中是以一价形式存在的.在掺铜的硫化钙的激发光谱中,有三个吸收峰,峰位分别为268nm、307nm和400nm;在CaS:CuCu+的发射光谱中,产生四个发射峰,峰位分别为430nm、465nm、490nm和610nm.这四个发射峰分别由不同铜离子格位产生的.在Cas:CuCu+的热释发光曲线中,显示单一热释发光峰,峰值温度为120℃,该热释发光峰有可能用作紫外剂量材料.