电注入着色氟化钡晶体F色心的扩散激活能

在8组不同的温度和电压条件下,用自行设计的电注入实验装置对氟化钡晶体进行点阴极电注入着色.测试和分析了电注入着色前后氟化钡晶体的吸收光谱.研究结果表明:电注入着色后氟化钡晶体中产生了大量F色心.电注入过程中,F色心首先在阴极注入点附近产生,然后逐渐向阳极扩散.通过测试晶体着色深度并利用F色心迁移率与温度的关系确定出了电注入着色氟化钡晶体中F色心的扩散激活能.     

氯化钠晶体电注入着色机理解释

用自行研制的电注入装置,在不同温度下对氯化钠晶体进行电注入并使之有效着色。在着色晶体中有效地产生大量F、胶体C、N和一些未知色心,给出色心形成机理。对着色氯化钠晶体进行了系统光谱测量确定出这些色心的吸收光谱带光谱参数。借助测得的电流和时间关系图,对经此种电注入着色晶体中色心形成提出机理解释。实验结果表明,电注入仅经单步过程,便可获得比以往采用其他方法着色并需经多步处理才能产生的多种类色心,更具实用性。     

点阳极电注入氯化钠晶体光谱特性及机理

利用电注入着色装置,使用点阳极和平板阴极在不同条件下对氯化钠晶体进行电注入着色.在着色晶体中产生大量V、F、胶体C和N心.对着色晶体进行系统的光谱测量,确定色心光谱吸收带的光谱参数.研究不同注入条件对色心浓度的影响.测得电流～时间关系曲线.计算出V色心的激活能小于F色心激活能,进而解释色心形成机理.     

电注入着色溴化钾晶体光谱特性及激活能

利用电注入着色装置,分别使用点阴极与平板阳极和点阳极与平板阴极在不同条件下对溴化钾晶体进行电注入着色.点阴极注入时,在着色晶体中产生V色心和F色心,计算得到F色心激活能0.84 eV.点阳极注入时,在着色晶体中产生V色心,计算得到V色心激活能0.49 eV.对着色晶体进行系统的光谱测量,确定色心光谱吸收带的光谱参数.对比两种情况下测得的电流～时间关系曲线,解释其色心形成机理.     

溴化钾晶体电注入着色临界温度及机理

用自行研制的电注入装置,对溴化钾晶体进行电注入并使之有效着色.由基本理论可以得出溴化钾晶体电注入着色临界温度理论值为598 K,并依此拟定和实施具体实验方案.通过实验进行得到电注入着色临界温度实验值为603 K.达到临界温度后,溴化钾晶体被着色,产生F色心.研究结果表明,临界温度理论值与实验值符合得很好.借助测得的电流～时间关系图,对经此种电注入着色晶体中色心形成提出机理解释.     

氟化钡晶体电注入着色

在不同的温度,电压和时间条件下,经点阴极电注入,有效地使氟化钡晶体着色.在室温下,分别对着色前后的晶体进行系统光谱测量.在着色前的氟化钡晶体中未观测到明显的吸收峰.在着色后的氟化钡晶体中,观测到大量的F和FA色心以及一些未知色心.对不同电注入温度、电压和时间条件下的着色氟化钡晶体光谱进行比较分析,得到了经点阴极电注入着色氟化钡晶体色心强度随着色温度,电压和时间的变化规律并给出了色心形成机理以及色心强度随温度、电压和时间变化机理.     

电注入着色氯化钠晶体光谱特性及激活能

用自行研制的电注人装置,在不同条件下对氯化钠晶体进行电注人并使之有效着色.在着色晶体中有效地产生大量F、胶体C和N心,并研究了色心形成机理.对着色氯化钠晶体进行了系统光谱测量确定出这些色心的吸收光谱带光谱参数.通过计算得到氯化钠晶体F色心激活能为0.97eV.     

氙离子注入氯化钾和溴化钾晶体光谱特性

用36keV氙离子注入,有效地使氯化钾和溴化钾晶体着色.在室温下,对着色晶体进行系统光谱分析.在着色晶体中,观测到大量F、R、M和未知色心,并给出色心生成与转化机理.用解谱的方法,分别从着色氯化钾和溴化钾晶体吸收光谱中合理地分解出K、F、R、M和一些其它吸收带,并精确确定这些吸收带的光谱参数.     

NaCl(OH-)色心晶体制备中的固态缺陷化学反应

采用提拉法生长单晶,通过附加金属着色、淬火、室温和液氮温度光聚集等过程,制备了NaCl：(F2^ )H色心激光晶体。研究了NaCl(OH)晶体中色心形成的固态化学反应,结果表明在附加着色过程中发生了热形成、热聚集、热结合和可逆反应,在淬火过程中发生了热分解和可逆反应,在光聚集过程中,发生了光聚集反应、异构化反应和可逆反应。     

Sr:BaF2晶体电子辐照诱生F型色心及其转型研究

测试和分析了Sr:BaF2晶体电子辐照前后以及辐照着色的样品光致转型过程的吸收谱.研究结果表明,能量为1.5MeV和1.8MeV的电子束对Sr:BaF2晶体的辐照注量达1015～1016cm-2时,诱生F-H对、F心及其与杂质的复合色心.用波长为632.8nm的He-Ne激光照射电子辐照着色的样品,可使F心转型成FA(Sr2+)心;再用钠光(589.0,589.6nm)照射,又可将FA(Sr2+)心部分回转成F心.