Ⅱ-Ⅵ族粉末发光材料之进展

一、前言 迄今为止,Ⅱ—Ⅵ族粉末发光材料还是被广泛应用,并被认为是大有前途的发光材料。特别是ZnS、CdS这类最早的材料,如现在还大量生产的被用到彩色电视中的蓝粉ZnS:Ag,还未找到其它更好的基质材料来取代它。至于对电致发光而言,不论是     

Ⅱ-Ⅵ族单晶和粉末材料中的电致发光机理

本文首先综述了在Ⅱ-Ⅵ族单晶材料中电致发光的激发和复合机理.然后介绍了在ZnS型粉末材料中交流和直流激发的电致发光机理.     

Ⅱ-Ⅵ族化合物的光致发光

本文综述了宽带隙Ⅱ－Ⅵ族化合物的低温光致发光过程,分析了ＣｄＴｅ,ＺｎＳｅ和ＺｎＴｅ的光致发光谱并总结了这类化合物中束缚激子发光的研究结果．     

Ⅱ-Ⅵ族半导体研究概观

回顾了Ⅱ－Ⅵ族半导体材料的研究状况．结合国际上的最新研究动态,总结出Ⅱ－Ⅵ族半导体材料研究的主要方向：（１）ｐ型掺杂研究;（２）ｐ型Ⅱ－Ⅵ族半导体的欧姆接触;（３）Ⅱ－Ⅵ族外延结构中的电子、激子与增益;（４）量子线、量子点及稀磁半导体。     

Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜电致发光

电致发光薄膜是平板显示器的重要材料之一,我们从研究ZnS:Mn,Cu直流电致发光薄膜的大面积稳定发光开始,首次将稀土离子引进直流电致发光薄膜,实现了各色的直流电致发光,并研究其激发机理、过热电子的能量分布、稀土离子的碰撞截面和稀土离子发光中心在晶格中的位置等。在国内首先研制成功ZnS:Mn交流电致发光薄膜计算机终端显示器,并扩大面积到640×480像素(对角线10英寸)。为了实现彩色化显示,研制出稀土离子掺杂的各色交流电致发光薄膜。研究不同稀土离子在薄膜中的浓度猝灭,以便提高薄膜的发光亮度。在致力于实现彩色的过程中,首要的任务是提高蓝色电致发光薄膜的亮度和探索新的蓝色电致发光薄膜材料:从ZnS:TmF₃到CaS:TmF₃,发光亮度有了很大的提高;使SrS:Ce薄膜蓝色电致发光的亮度超过1000cd/m²;同时探索纳米Si和非晶Si/SiO₂超晶格结构的蓝色电致发光。成功地实现了ZnS:Mn/SrS:Ce白色电致发光和SrS:HoF₃三基色线谱发射的白色电致发光,发光亮度也超过1000cd/m²。     

Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料学术会议即将召开

根据1984年11月发光学学会常务理事会的决定,今年9～10月份将在河北省保定市召开Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料学术会议。该会议将由河北大学物理系负责筹备,筹备组组长是学会理事朱自熙。 会议的内容包括: Ⅱ—Ⅵ族材料的制备、掺杂及缺陷的研究; Ⅱ—Ⅵ族材料的发光、电学和光电性能;     

第十九届Ⅱ-Ⅵ族化合物及相关材料国际学术会议纪要

正由中国物理学会发光分会主办,郑州大学与中国科学院长春光学精密机械与物理研究所承办的第19届Ⅱ-Ⅵ族化合物及相关材料国际学术会议(The 19th International Conference onⅡ-ⅥCompounds and Related Materials)于10月27-31日在郑州成功举行。     

Ni掺杂Ⅱ- Ⅵ族团簇的稳定性和磁性质

本文采用第一性原理密度泛函理论系统的研究了Ni原子单掺杂和双掺杂Ⅱ- Ⅵ族(ZnTe)_(12)和(ZnSe)_(12)团簇的稳定性和磁性质.研究发现,Ni掺杂增强了团簇的稳定性.团簇磁矩主要来自Ni-3d态的贡献,4s和4p态也贡献了一小部分磁矩.由于轨道杂化,相邻的Te、Se原子上也产生少量自旋.Ni原子之间的磁性耦合是短程相互作用.最重要的是,两种双掺杂团簇都存在铁磁耦合,在纳米量子器件领域有潜在的应用价值.     

基于Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料色散特性的高灵敏度慢光干涉仪

分析了Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的光学特性,证明半导体慢光介质不但可以提高干涉仪的光谱灵敏度,而且可以获得远大于气体慢光介质的工作光谱范围.实验证明,基于慢光介质GaAs的干涉仪光谱灵敏度相对于传统的干涉仪提高约3.2倍. 关键词： 干涉仪 非线性光学 Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料     

Bi2212相插层化合物的制备及其应用

我们通过气相输运插层化合反应成功制备了高温超导Bi2212相的碘插层化合物IxBi2212,进而制备出碘化汞插层化合物(HgI2)xBi2212.在此基础上,对碘化汞插层化合物(HgI2)xBi2212在丙酮溶液中进行超声剥落,成功制备出了高温超导Bi2212相的纳米粉体.我们对样品进行了表征,并就样品制备技术过程和纳米Bi2212相粉体的应用作了讨论.     

Bi2212相插层化合物的制备及其应用

我们通过气相输运插层化合反应成功制备了高温超导Bi2212相的碘插层化合物Ix Bi2212，进而制备出碘化汞插层化合物（HgI2）xBi2212．在此基础上，对碘化汞插层化合物（HgI2）xBi2212在丙酮溶液中进行超声剥落，成功制备出了高温超导Bi2212相的纳米粉体．我们对样品进行了表征，并就样品制备技术过程和纳米Bi2212相粉体的应用作了讨论．     

快速凝固制备微细金属粉末的理论和装置

在世界上首次提出将急冷凝固和大过冷技术有机地结合在一起，创立了采用多级快速凝固的方法制同细金属粉末的理论和技术，并发明了一系列多级快速凝固制粉装置。该技术能够大规模地生产上百种非晶、准晶、微晶微晶金属粉末。     

高强度激光薄膜的研制

 为提高激光薄膜的抗激光强度,实验研究了薄膜新材料、镀膜基体的表面粗糙度和洁净度,薄膜中的杂质污染,镀膜后的热处理,以及小光斑扫描激光预处理对薄膜的损耗和抗激光强度的影响。     

n一Si霍耳样品的制备及其性能参数测试

本文介绍ｎ－Ｓｉ霍耳样品的制备及其主要性能参数的测试原理与测试方法，并给出部分测试结果。     

高掺杂Sn对Y-Ba-Cu-O体系结构和性质的影响

通过对高掺杂Sn的YBa₂Cu_3-xSn_xO_7-y体系的穆斯堡尔谱测量,确定了掺杂的Sn全部以Sn⁴⁺离子形式存在,多数占据Ba,Y,Cu(2),少量占据Cu(1)位置,Sn含量x不同,其在各个位置上的占有比例也不同,超导电性测量表明,该系列样品T_c大都在77K以上,Cu(2)和Y位上的金属离子被替代对超导温度T_c影响不大,为Cu-O面不是超导的主要原因 关键词：     

ZnS:Mn2+超微粒的制备及光学性质研究

近年来,半导体超微粒的合成及光学性质研究迅速发展成为活跃的领域.已经采用化学方法成功地将纳米半导体超微粒分散于玻璃、液体或高分子材料中.     

金属卤化物中的晶格振动

运用紧束缚双带模型对MX化合物晶格振动的计算发现,晶格振动谱由一条声频支和三条光频支组成,进一步得到了出现元激发时,晶格振动色散关系中的分立频率和相应的定域振动模.在MX化合物红外吸收谱的计算中发现对应不同元激发红外谱具有不同的特征. 关键词： 电荷密度波 晶格振动 红外吸收     

铜化合物ESR g张量和A张量的相关性及其与结构的关系

对于某些含有特定配位原子的钢化合物,找出了钢的ESR g_‖和A_‖之间的线性相关性;总结了相关性与钢化合物的分子结构间的联系;认为相关性与分子对称性及分子轨道性有关,分子对称性的提高和钢-配体间成键分子轨道共价性的降低引起g_‖的增大和A_‖绝对值的减小,对某些钢化合物,g_‖与β₁²,A_‖与β₁²之间存在线性关系.总结出由实测的g_‖和A_‖估算分子轨道系数β₁²值的方法.     

掺杂C60的SiO2气凝胶的制备及荧光特性研究

利用“化学掺杂”方法，制备掺杂C₆₀-SiO₂气凝胶，对掺杂C₆₀-SiO₂气凝胶的红外吸收光谱、飞行时间质谱的测试表明C₆₀分子被成功地掺入SiO₂气凝胶中．室温条件下，在Ar⁺激光（488nm）激发下，观察到掺杂C₆₀-SiO₂气凝胶有很强的可见发光现象，发光峰位较纯C₆₀发光明显蓝移 关键词：