硼注入砷化镓的电子阻止本领

由文献上R_p的实验数据,用相对校正法和我们编制的LSS方程数值求解程序,算得B⁺→GaAs的电子阻止本领为NS_e(E)=12.4E^0.605,以及B⁺→GaAs的射程统计参数R_p,△R_p和R⊥。 关键词：     

AlGaInP/GaAs HBT制备中质子注入隔离

对HBT工艺中质子隔离注入及其掩膜方法进行了研究.通过计算确定了最佳注入剂量.在一定的温度下退火,可增强隔离效果,最佳退火温度依赖于离子注入剂量,当温度增高时,电阻率又开始下降,并趋向恢复到退火前的状态.采用Si3N4加光刻胶双层掩膜,工艺简单,重复性好,样品无沾污现象,隔离效果佳,制备的器件直流特性较好. 关键词：     

大型强子对撞机成功注入质子

2008年8月8日,欧洲核子研究中心（CERN）的物理学家成功地将注入到大型强子对撞机（LHC）的质子输送到3km远的探测器站．这对于9月10日将开始的运行是个好兆头．这次注入试验的目的是使LHC与作为注入机的加速器同步起来．当机器启动后,脉冲调制的磁铁以纳秒的精度将质子束团从一台加速器传送入到另一台加速器中．15点20分时,一小团质子由脉冲调制磁铁成功地从超质子同步加速器（SPS）引出,     

砷化镓光阴极直流高压注入器研究进展

主要介绍自由电子激光相干强太赫兹源（FEL-THz）装置上的砷化镓光阴极直流高压注入器的研究进展,并讨论其驱动未来高重复频率短波长自由电子激光器的差距。通过综合砷化镓阴极寿命的三大影响因素,提出了其工作寿命的定性物理模型;通过该模型对阴极和注入器进行优化,在直流高压电子枪上得到了5 mA, 32 min的连续稳定输出;测量了电子束在4.8 mA下归一化发射度约为4.0 mmmrad,阴极热发射度约为0.6 mmmrad,电子束本征横向能量约为92 meV,250 keV电子束在距离阴极90.6 cm处纵向均方根长度约为11.5 ps。这一束流状态已经基本满足FEL-THz需求。     

砷化镓光阴极直流高压注入器研究进展

主要介绍自由电子激光相干强太赫兹源(FEL-THz)装置上的砷化镓光阴极直流高压注入器的研究进展,并讨论其驱动未来高重复频率短波长自由电子激光器的差距。通过综合砷化镓阴极寿命的三大影响因素,提出了其工作寿命的定性物理模型;通过该模型对阴极和注入器进行优化,在直流高压电子枪上得到了5mA,32min的连续稳定输出;测量了电子束在4.8mA下归一化发射度约为4.0πmm·mrad,阴极热发射度约为0.6πmm·mrad,电子束本征横向能量约为92meV,250keV电子束在距离阴极90.6cm处纵向均方根长度约为11.5ps。这一束流状态已经基本满足FEL-THz需求。     

双束质子辐照砷化镓光电导探测器的I-V特性

对用能量为7.5MeV和20MeV,注量为1011～1013cm-2的质子辐照后的砷化镓材料制作的光电导探测器的光电流和暗电流进行了测试,并由此推得电导率的变化。结果表明,经过能量为7.5MeV的质子改性后的砷化镓探测器相对于未改性的附加光电导率Δσ减少,而且随着辐照注量的增加而越小,而对于先用能量为20MeV质子辐照后再用能量为7.5MeV的质子辐照的砷化镓材料制作的探测器,其附加光电导率Δσ的减少则更为明显。对上述现象进行了分析,并根据其相应关系预测了该种探测器的响应时间、灵敏度、拖尾现象及受X射线激发的输出脉冲的后延的变化情况。     

双束质子辐照砷化镓光电导探测器的I-V特性

 对用能量为7.5MeV和20MeV,注量为10¹¹～10¹³cm^-2的质子辐照后的砷化镓材料制作的光电导探测器的光电流和暗电流进行了测试，并由此推得电导率的变化。结果表明，经过能量为7.5MeV的质子改性后的砷化镓探测器相对于未改性的附加光电导率Δσ减少，而且随着辐照注量的增加而越小，而对于先用能量为20MeV质子辐照后再用能量为7.5MeV的质子辐照的砷化镓材料制作的探测器，其附加光电导率Δσ的减少则更为明显。对上述现象进行了分析，并根据其相应关系预测了该种探测器的响应时间、灵敏度、拖尾现象及受X射线激发的输出脉冲的后延的变化情况。     

质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究

基于中波响应波段的分子束外延碲镉汞薄膜材料成功制备出不同质子注入剂量的大光敏元(5 00μm×500μm)的n-on-p结构的p-n结，并对相应的p-n结的电流-电压（I-V）特性进行 了研究.质子注入剂量为2×10¹⁵cm^-2时R₀A达312.5Ω ·cm²，低温热处理后达490Ω·cm². 关键词： I-V特性 碲镉汞薄膜 质子注入 p-n结     

形成半导体量子线结构的质子注入方法研究

用20keV的质子(H~+)注入到Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As单量子阱,经快速退火,促使势垒上的Al向量子阱内扩散,尝试制备了线宽从0.5μm到0.1μm的量子线结构.由低温(14K)下阴极射线发光谱测量,观察到量子线中发光谱峰的蓝移,并通过与理论计算比较,讨论注入区内外Al的内扩散及掩膜区边缘横向离散的影响. 关键词：     

紫外光辐照聚乙烯醇的1H NMR研究

用¹H NMR谱,自旋-晶格弛豫时间（T₁）和X-射线衍射研究了聚乙烯醇(PVA)在紫外光（UV）辐照后-OH基团与溶剂中残余水质子间氢键的生成与质子交换. 结果表明随着UV光辐照时间的增长,水峰与-OH质子峰逐渐相互靠近,同时水峰逐渐变宽,向低场方向移动,这与-OH基团与溶剂DMSO中残余水的质子之间既有氢键生成又有质子交换有关. 对辐照前后的PVA的DMSO溶液进行变温氢谱的研究,表明随着温度的升高,二者的-OH基团共振峰均逐渐变弱,溶剂残余水峰与-OH基团峰逐渐移向高场. PVA辐照前后随着浓度增大,羟基质子峰“变钝”. 辐照后的PVA的X-射线衍射表明聚集态结构中部分分子间氢键受到了破坏.     

STUDY OF THE NUCLEAR PHENOMENA IN THE LOW ENERGY (60-360 keV) PROTON BEAM IMPLANTATION ON METALS

A series of studies on the nuclear interaction and its effects in solids during proton implantation were performed in the energy region between 60 and 360keV. Some charged particle products were observed in the implantation experiments on metal samples such as deuterated titanium, titanium alloy, titanium foil on molybdenum substrate, molybdenum and stainless steel, etc.. The energies of the charged particle products are about 3.9, 5.6 and 8.4MeV, respectively. These particles were identified as alpha particles with both detector telescope and absorption measurements. These three kinds of alpha products were found from different proton sub-barrier reactions. The exciting curve of this reaction increases exponentially with the growth of proton energy in the energy region from 90 to 330keV. The radiation damages induced by the nuclear products in the sample have been studied with scanning electron microscopy technique. The possible surface damages induced by them were observed evidently. The origin of the nuclear reactions and their effect on implantation are discussed.     

小型医用质子同步加速器的慢引出设计

围绕北京医用质子同步加速器的方案, 研究设计了1/3整数共振的慢引出系统。利用该系统, 可获得较高的引出效率(大于95% )、较小的引出束流发射度(在静电切割器处, 积分发射度为0.15πmm·mrad)、较窄的引出动量分散(0.12% ) 以及较均匀的引出束流。     

离子注入石英玻璃光波导的研究

在熔融石英玻璃衬底上,通过注入氮离子和硼离子,制成了低损耗、单模平面光波导.波导的最大折射率和离子浓度分布的半宽度分别是1.48和0.5μm,波导损耗<0.1dB/cm.     

小型医用质子同步加速器的慢引出设计

 围绕北京医用质子同步加速器的方案, 研究设计了1/3整数共振的慢引出系统。利用该系统, 可获得较高的引出效率(大于95% )、较小的引出束流发射度(在静电切割器处, 积分发射度为0.15πmm·mrad)、较窄的引出动量分散(0.12% ) 以及较均匀的引出束流。     

THE STUDIES FOR ADJUSTABLE ENERGY OF PROTON BEAMS FROM PROTON LINEAR ACCELERATOR

In this paper, the principle of adjusting the proton energy from the linear accelerator with energy adjusting cavities is proposed. The requirements to energy adjusting cavities for tuning the proton energy efficiently and continually are studied. The energy range adjustable and the energy spread are calculated for 35 MeV proton linac which is in the course of construction at the Institute of High Energy Physics, as an example. The energy spread as a function of electric parameters of energy adjusting cavities are also discussed. A specific and economical method to supply rf power to energy adjusting cavities is presented.     

掺铬半绝缘砷化镓材料的硅离子注入

本文研究了半绝缘砷化镓中硅离子的注入,在对衬底材料进行挑选和注意离子源工作物质纯度的基础上,进行了₂₈Si₊注入,用无包封法退火,然后对注入层作了电学性质、背散射和光致发光谱测定,结合选择离子注硅的UHF应用的低噪声GaAs双栅MESFET的结果,1GHz下NF0.9dB和Ga10dB,对实验结果进行了讨论。 关键词：     

GaAs/GaAlAs双异质结发光管退化特性的研究

本文研究了GaAs/GaAlAs双异质结发光管的退化特性。有快、慢二种退化类型。器件的慢退化是由于有源区有暗缺陷(DSD)产生和长大,引起光功率下降。文中研究了老化过程中I-V特性和I-P特性与EL图象的变化规律,并与相同结构的InP/InGaAsP双异质结发光管的退化特性进行了比较,结果表明:它们有着不同的退化机理。     

组合注入质子导致不对称耦合双量子阱截面混合效应研究

关键词：     

GaAs中N等电子陷阱的研究

对离子注N的GaAs样品作了77K的静压光致荧光研究。观察到了N陷阱中心元胞势束缚激子N_x的发光光谱及畸变势束缚激子N_T的发光峰。测量N_X能级的压力系数为2.8meV/kbar,常压下N的共振态高于导带边179meV。讨论了N等电子陷阱的电声子耦合强度及有效束缚激子半径随压力的变化关系。 关键词：