热压ZnS-ZnSe多晶混合粉末的光致发光和电致发光的研究

热压技术被引用来研究ZnS—ZnSe多晶混合粉末的光致发光和电致发光。用热压方法将粉末压缩成优质致密,便于制造发光器件的基片。制备了一系列的金属半导体结构的器件,这些器件发射从黄橙色到绿兰色的光。绿兰色发光器件的室温量子效率在10~(-5)—10~(-4)光子/电子范围,比用ZnS—     

ZnS薄膜参数对有机/无机复合发光器件特性的影响

半导体量子点(QDs)具有发光效率高和发光波长可调等特点。采用胶体CdSe QDs作电致发光器件的有源材料,TPD(N,N′-biphenyl-N,N′-bis-(3-methylphenyl)-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine)作空穴传输层,ZnS作电子传输层,研究了有机/无机复合发光器件ITO/TPD/CdSe QDs/ZnS/Ag的电致发光特性。TPD和CdSe QDs薄膜采用旋涂方法、ZnS薄膜采用磁控溅射方法沉积,器件表面平整。CdSe QDs的光致发光和电致发光谱峰位波长均位于～580 nm,属于量子点的带边激子发光。我们与以前的ITO/ZnS/CdSe QDs/ZnS/Ag发光器件结构进行了对比,发现新的器件结构的电致发光谱没有观察到QDs表面态的发光,而且新器件的发光强度是ITO/ZnS/CdSe QDs/ZnS/Ag结构的～10倍。发光效率的提高归因于碰撞激发与载流子注入两种发光机制并存的结果：一方面电子经过ZnS 层加速后,碰撞激发CdSe QDs发光;另一方面,空穴从TPD层注入CdSe QDs 与QDs中激发的电子复合发光。我们进一步研究了ZnS电子加速层厚度对发光特性的影响,选择ZnS薄膜的厚度分别是80,120 和160 nm,发现随着ZnS层厚度增大,器件启亮电压升高,EL强度增大,但是击穿电压降低。EL峰位随着ZnS厚度的减小发生明显蓝移,对上述实验现象进行了机理解释。     

黑白显像管用的无镉荧光粉

据《中心专利文摘》1976年1月27日号报导,“大日本涂料”公司用无镉荧光粉制成与用含镉荧光粉屏亮度相同的黑白电视荧光屏。这种屏含有(1)用Au和Al激活的ZnS(每克ZnS含有5×10~(-4)～10~(-2)克Au,2.5×10~(-4)～10~(-3)克铝)发光颜色是黄绿至绿;     

Mn注入的ZnS薄膜场致发光元件

日本J.Appl.phys.11(10)72,发表一篇短文,介绍Mn注入的ZnS薄膜场致发光元件,内容如下: 利用离子注入技术制造薄膜场致发光元件是卓有成效的。我们研究了Mn注入的ZnS薄膜的场致发光性能及有关特性。这种技术有如下一些引入注目的优点:(1)通过反复交替地注入激活剂(Mn,Cu,Al,     

稀土激活的ZnS粉末的直流场致发光

从ZnS:Mn:Cu粉末获得直流场致发光(DCE)现在是完全肯定了,但至少还存在两个问题。其一是能量传给Mn~(++)中心的机构问题,另一个问题是从ZnS系统获得其他颜色还有困难。关于后一个问题,我们曾报导过铒激活的硫化锌的绿色直流发光,亮度达到2呎—朗伯,能量效率为10~(-3)％(2)原文为10~3％——译注)。虽然稀土掺杂的ZnS磷光体在广阔范围的光致发光光谱已有过报导(如Larach(3),(4)所综述),但至今还没有发表过有关粉末     

ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管

采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度提高了近2倍,亮度提高了2倍;当ZnS缓冲层厚度为10nm时,器件发光的电流效率提高18%,器件的性能得到改善。宽禁带的ZnS缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用,促进器件载流子平衡,提高了器件发光效率,改善了器件性能。     

正向偏压ZnS二极管中的蓝色发射

最近人们对宽禁带半导体如GaN和ZnS的蓝色发光二极管表现出较大的兴趣。在这些材料中,ZnS是特别吸引人的,因为它是一种高效的磷光体,且其光致发光和阴极射线发光特性是人们熟知的。 我们成功地观测了正向偏压下ZnS二极管中(MIS结构)的稳定而高效的蓝色发射。由目前的二极管得到的高达5×10~(-4)的外部量子效率是蓝色场致发光方面报导的最高数值,鉴于本工作正处在初始阶段,因此上述结果是鼓舞人心的。     

ln_2O_3-ZnS:Mn-ZnSe-Al结构的薄膜直流电致发光器件

制做了一种能被直流激发,具有导体—半导体—电阻—金属(CSRM)结构的薄膜电致发光(EL)器件。其亮度达50fL,外量子效率为5×10~(-5)。为了了解ZnSe层的作用,研完了室温直流激发的B—V和I—V特性。实验证明ZnSe层的起分布电阻作用,它可以防止雪崩电流引起的ZnS:Mn发光层的击穿。     

壳层相关的CdSe核/壳量子点发光的热稳定性

测量了CdSe/ZnS(3 ML)核/壳结构及CdSe/CdS(3 ML)/ZnCdS(1 ML)/ZnS(2 ML)核/多壳层结构量子点在80~460 K范围内的光致发光光谱,研究了壳层结构对CdSe量子点发光热稳定性的影响。详细地分析了CdSe量子点的发光峰位能量、线宽和积分强度与温度之间的关系,发现CdSe量子点的发光热稳定性依赖于壳层结构。CdS/ZnCdS/ZnS多壳层结构包覆CdSe量子点在低温和高温部分的热激活能均大于ZnS壳层包覆的CdSe量子点,具有更好的发光热稳定性。此外,在300-460-300 K加热-冷却循环实验中,CdS/ZnCdS/ZnS多壳层结构包覆CdSe量子点的发光强度永久性损失更少,热抵御能力更强。     

《国外信息显示》一九七三年分类目录

一无机发光材料的一般问题: 发射光谱 余辉测量 光和颜色的测量 国外无机晶体发光研究概况 发光材料的能带结构 体效应场致发光 一种联合的发光中心 等电子陷阱二场致发光显示器件和材料: CdS:Cu粉末磷光体直流场致发光(DCEL)性质的研究 利用场致发光屏作发光天棚的可能性 粉末场致发光屏亮度的测量 粉末材料EL效率的测量 n一班族化合物粉末的直流场致发光 ZnS薄膜场致发光 粉末场致发光应用现状 薄膜PC一EL夹层型象加强器 碱卤晶体的场致发光简讯:一种硫化镐场致发光器件 ZnS:TbF3薄膜的直流场致发光 Mn注入的ZnS薄膜场致发光元件…     

ZnS:Mn量子点作磷光探针定量检测微量汞

以巯基丙酸(MPA)为稳定剂,合成了锰掺杂硫化锌(ZnS:Mn)量子点。由于汞离子对ZnS:Mn量子点的磷光有很强的猝灭作用,应用MPA修饰的ZnS:Mn量子点作磷光探针,定量检测水相中的微量汞离子。相对于荧光,磷光的寿命长、选择性好,没有荧光和散射光的干扰。在优化的实验条件下,当汞离子的浓度在1.0×10~(-5)~1.0×10~(-3)mol·L~(-1)范围内时,ZnS:Mn量子点的△P/P与汞离子浓度之间的关系符合Stem-Volmer方程,其线性相关系数为0.998 8。回收率为85.2%~106.1%,相对标准偏差为3.46%,检出限为9.7×10~(-6)mol·L~(-1)。讨论了量子点磷光的猝灭机理,研究了常见金属离子的干扰作用,选择合适的掩蔽剂,可以有效地消除干扰离子的影响。     

《国外信息显示》一九七二年分类目录

期页一、场致发光显示器件和材料: 粉末状氧化铝的场致发光127 Cdse单晶的双注入、负阻效应和场致发光磷光体场致发光129 SrS一Cu,Eu磷光体场致发光的磷光现象132 延长场致发光屏寿命的几种方法一136 稀土激活的ZnS粉末的直流场致发光27 稳定的低压场致发光屏210 对未来场致发光平板电视的设计考虑214 直流控制的固体X光图象转换器425 场致发光理论(一)415 场致发光理论(二)31 场致发光理论(三)614 由于声电不稳定性引起的ZnS低压场致发光56 场致发光层的高温固化对其亮度的影响510 磁场对ZnS一Cu场致发光粉结构和光学性质的影响512 …     

含填加剂的蒽的绿色场致发光

采用几类电极材料,已能观察到蒽晶体的场致发光。这种发光是由于注入晶体的电子和空穴的复合引起的。近来,使用牢固的接触方法,观察到蒽晶体稳定的兰色发光。如所周知,在光致发光场合下,蒽晶体中的丁省分子从蒽得到能量而发射绿色光。蒽的萤光强烈地猝灭,以至在小于10~(-6)克分子％丁省的浓度下,也能观察到强烈的绿色萤光。由于加入适量     

《国外发光与电光》一九七六年分类目录

一、发光的一般问题- 期页磷光体的视觉效率(会议文摘)11ZnS:Ag,Al和ZnS:Cu,Al磷光体发光的浓度碎灭(会议文摘)12_从1975年国际发光会议看发光学及其技术动向(动态报导)31一低能离子电子发光(动态报导)43稀土在无机晶体中的发光48稀土在光学和发光材料中应用的理论基础4 30专题讨论会一稀土在发光中的应用446磷光体应用的最近进展533发光材料4上_发光使我们能看到看不到的东西548__研磨对硫化锌荧光粉性能的影响561-氢硫化物荧光粉(专利选报)5 74生物化学中的发光(上)6 47 二、电致发光(场致发光) 粉末薄膜材料和器件-谈场致发光器件的…     

新结构电致发光薄膜器件各层的优化

本文比较了以SiO为预热层和以SiO2/Y2O3、SiO2/Ta2O5为复合预热层的新结构器件的发光亮度和传导电流,并拟合出这三种器件热电子能量,得出以SiO为预热层的新结构器件的热电子能量和发光亮度最高,比较了以SiO2和ZnS分别作加速层对发光和传导电荷的影响,得出在提高注入电荷方面,以ZnS做加速层优于SiO2做加速层；在提高热电子能量和发光亮度方面,以SiO2做加速层要好于ZnS做加速层。     

电极修饰层PEO/LiF对聚合物发光二极管发光性能的提高

在以聚合物发光材料poly(2-methoxy-5-(2′-ethylhexyloxy)-1,4-phenylene vinylene)(MEH-PPV)为发光层的聚合物发光二极管(PLEDs)的金属阴极与聚合物发光层之间插入一层绝缘的聚合物poly(ethylene oxide)(PEO),发光器件的发光性能有所提高,尤其是PEO/LiF共同对Al电极修饰时发光器件的开启电压、发光强度、电流效率等性能显著提高。初步分析表明修饰层的插入造成了发光聚合物层与金属电极界面形成势垒,通过空穴堆积抑制空穴的注入,增加电子的注入,并且PEO层可以有效抑制激子在阴极的猝灭。     

退火对ZnS/PS复合体系光致发光特性的影响

用脉冲激光沉积(PLD)技术以多孔硅(PS)为衬底生长了ZnS薄膜,分别测量了ZnS、PS以及ZnS/PS复合体系在室温下的光致发光(PL)光谱。结果发现,ZnS/PS复合体系的PL光谱中PS的发光峰位相对于新制备的PS有所蓝移。把该ZnS/PS样品分成三块,在真空400℃分别退火10,20,30 min,研究不同退火时间对ZnS/PS复合体系光致发光特性的影响。发现退火后样品的PL光谱中都出现了一个新的绿色发光带,归结为ZnS的缺陷中心发光。随着退火时间的延长,PS的发光强度逐渐降低且峰位红移。把ZnS的蓝、绿光与PS的红光相叠加,整个ZnS/PS复合体系在可见光区450~700 nm形成一个较宽的光致发光谱带,呈现较强的白光发射。     

金属铒和氟化铒掺杂的硫化锌薄膜的交流电致发光(ACEL)特性

本文报导了不同浓度的金属铒和氟化铒掺杂的硫化锌薄膜交流电致发光(ACEL)的特性,并进行了比较。实验结果表明:ZnS:ErF3薄膜ACEL的最佳浓度(5×10-3g/g)低于ZnS:Er3+薄膜ACEL的最佳浓度(1×10-2g/g)。在ZnS薄膜中掺入稀土离子,随着浓度的增加,稀土离子之间发生交叉弛豫,这一过程与稀土离子周围环境有关,这正是ZnS:ErF3和ZnS:Er3+薄膜ACEL具有不同的最佳浓度的主要原因。     

基于CuInS2/ZnS核壳结构量子点的高光效暖白光LED

采用逐步热注射法合成了用于白光LED的CuInS₂/ZnS(CIS/ZnS)核壳结构量子点.通过调整Cu/In的比率, 在CuInS₂(CIS)量子点的基础上, 合成了发射波长在570~650 nm之间可调的CIS/ZnS量子点.与CIS量子点的低量子产率相比, 具有核壳结构的CIS/ZnS量子点的量子产率达到了78%.通过在黄光荧光粉YAG :Ce³⁺表面旋涂CIS/ZnS量子点的方式制备了暖白光LED器件.在工作电流为10 mA时, 暖白光LED的发光效率达到了244.58 lm/W.由于CIS/ZnS量子点的加入, 所制备的白光LED器件的显色指数达到86.7且发光颜色向暖色调发生了转移, 相应的色坐标为(0.340 6, 0.369 0).     

由于声电不稳定性引起的ZnS低压场致发光

本文报导ZnS—Ⅰ单晶的均匀(没有通常看到的那种亮点和线)击穿前场致发光。用欧姆接触加电压,当电压达到晶体内平均电场为≥10~2v/cm时,可以看到这种场致发光。单晶是用气体输运反应法制得的,接着在熔融锌中进行处理,在室温和液氮温度研究了光谱、电压—亮度、电流—电压(Ⅰ—Ⅴ)和随时间变化的特性。场致发光光谱除了宽的红带和兰带以外,还有个一紫外带,延伸到330nm。在用上升时间为0.2微秒的方脉冲电压激发时,场致发光亮度波形的前沿没有时间延迟。N形的伏安特性和电流及亮度发生振荡的事实表明,晶体中产生了可动的电子畴,它集中了电场,并可能是决定这种场致发光的特征的主要因素。从振荡周期计算出的电子畴的运动速度和ZnS中的声速一致。从这一事实可以设想,在场致发光时存在着声电不稳定性。