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1.
通过一步法绿色合成了CdSe-聚氨酯(CdSe-PU)纳米复合发光材料.在N2保护下,将单质硒(Se)溶于蓖麻油,以蓖麻油酸作为氧化镉(CdO)的配体,合成硒化镉(CdSe)纳米晶.将聚丙二醇2000和异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)合成的预聚体,加入含CdSe纳米晶的蓖麻油溶液,通过交联作用得到CdSe-PU纳米复合发光材料.采用紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、荧光光谱仪(PL)、傅里叶红外光谱仪(FT-IR)、热重分析仪(TGA)、透射电子显微镜(TEM)对CdSe纳米晶和聚氨酯复合材料的结构和性能进行了表征.结果表明:此方法合成的CdSe纳米晶性能良好,能在聚氨酯纳米复合材料中均匀分散且性能稳定,CdSe-PU纳米复合材料耐热性有所提高. 相似文献
2.
采用硫脲做为表面修饰剂,合成了硫脲表面修饰的掺杂Cd2 的ZnS纳米晶(ZnS∶Cd/SC(NH2)2),用X射线粉末衍射、透射电子显微镜、红外光谱以及荧光光谱等手段进行了表征.实验结果表明,Cd2 掺入了ZnS纳米晶中,硫脲分子中的S原子与该纳米晶表面的金属离子存在配位作用,ZnS∶Cd/SC(NH2)2纳米晶为分散性较好、平均粒径7 nm的球形粒子且具有良好的荧光性质. 相似文献
3.
以手性化合物D-青霉胺和L-半胱氨酸为双修饰剂在水相中合成了CdSe纳米晶, 痕量Hg(II)对其荧光强度有明显猝灭作用,基于此建立了定量测定痕量Hg(II)的新方法.在Cd2+, HSe-, D-Pen和L-Cys摩尔比为1: 0.25: 2: 1.2, pH=7.5的条件下,合成的纳米晶具有更好的发光强度和稳定性.TEM显示CdSe纳米晶为球形颗粒,粒径约为50和80 nm.在磷酸盐缓冲溶液(pH 7.38)中,CdSe纳米晶最大荧光峰为516 nm,对Hg(II)有高选择性响应.纳米晶的相对荧光强度与Hg(II)的浓度呈良好线性关系, 检出限为40 pmol/L.本方法测定不同水样中Hg(II)的浓度,回收率为96.7%~102.5%. 相似文献
4.
以合成的十碳酸镉作为Cd前驱体, 十八烯作为单质硒溶剂, 并添加十八胺作为活性剂, 在无三丁基膦或三辛基膦参与的条件下, 以较低温度制备了具有闪锌矿结构的高质量的CdSe纳米晶. 利用吸收光谱、荧光光谱(PL)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)对不同反应时间得到的CdSe纳米晶进行形貌和光谱性质表征. 实验结果表明, 采用该无膦法只需调控反应时间就可得到粒径均一、分散性好的CdSe纳米晶, 其荧光波长可覆盖470-630 nm的可见光区, 而荧光峰半高宽则始终保持在24-30 nm之间并具有较高的荧光量子产率(535 nm处大于60%). 最后, 对CdSe纳米晶量子产率随反应时间变化的原因进行了分析. 相似文献
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6.
以手性化合物L-青霉胺、D-青霉胺、L-半胱氨酸为单一修饰剂或组合成双修饰剂,合成不同修饰剂修饰的CdSe纳米晶。对最佳合成条件如配料比,反应pH值,回流温度,回流时间进行了优化,对CdSe纳米晶发光强度及稳定性进行了系统研究。结果发现双修饰剂修饰的纳米晶比单修饰剂修饰的纳米晶荧光强度高,稳定性好;双修饰剂中第二修饰剂的空间位阻小的修饰效果好;不同手性修饰剂之间能以稳定方式结合的修饰效果好。研究了CdSe纳米晶对生物大分子的识别,仅发现核酸对CdSe纳米晶有明显的作用,用CdSe纳米晶作为荧光探针对大肠杆菌进行标记。 相似文献
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8.
在有机相体系中利用ZnSe前驱体纳米晶制备过程中的富Se环境,以引入Cd2+的方式在相对温和的环境下通过控制Cd2+离子的加入量及调节反应时间,成功制备了ZnSe/CdSe核-壳复合结构纳米晶.利用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、紫外-可见吸收光谱(UV-vis)和荧光光谱(FL)对其结构形貌以及光学性质进行表征和分析的结果表明,CdSe以外延生长的方式包覆在ZnSe纳米晶表面从而形成具有良好结晶性的核-壳复合结构,其荧光发射始终保持良好单色性,同时实现了在500~620nm可见光范围内的连续可调. 相似文献
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