产生区宽度模型与产生寿命的确定

本文建议了一种由两个不同电压扫描率下的饱和电容值确定产生寿命的实验方法。C}7于这一实验方法只涉及不同电压扫描率下产生区宽度之差，因此无论使用Fierret的改进的产生区宽度模型或是使用简单的Zerbst模型都将给出同样的产生寿命值。实验结果表明，对于同一个MOS电容器样品，从不同电压扫描率组合得到的产生寿命值基本一致.     

用准平衡能带模型研究MIS结构场增强非平衡瞬态

本文研究了线性电压作用下MIS结构的电场增强非平衡I/V瞬态.本文除了考虑到深能级中心在非稳态条件下有随时间而改变的产生率以外,还考虑了深能级中心的电场增强产生载流子效应.在研究中我们采用了较简单的准平衡能带模型来分析有效产生区宽度.文中对于位于禁带中部的深能级中心的MIS结构给出了具体的结果.     

用准平衡能带模型研究MIS一结构场增强非平衡瞬态

本文研究」线性电压作用下MIS结构的电场增强非平衡I/Ir瞬态.本文除了考虑到深能级中心在非稳态条件下有随时间而改变的产生率以外,还考虑了深能级中心的电场增强产生载流子效应.在研究中我们采用了较简单的准平衡能带模型来分析有效产生区宽度.文中对于位于禁带中部的深能级中心的MIS结构给出了具体的结果.     

线性电压扫描法测量硅的体产生寿命和表面产生速度的研究`

本文采用 Rab bain 的 产 生 区 宽度模 型,导 出了描述线性 电压 扫描 作用下 M O S 电容 器的电容 一 时间瞬态特性的微分方程,通过积分这一微分方程,得到 了描述线性 电压 扫描作用的M O S 电容器的 电容 一时 间瞬 态特性方 程.依据这 一方 程,提出了一 种确定体产生寿命和 表面产生速度的计算方法.     

HET-450大功率霍尔电推力器仿真分析及试验

针对大功率霍尔推力器耐受强热载荷不易稳定工作、宽放电电压范围调整难以高效电磁调控等关键难点，兰州空间技术物理研究所与哈尔滨工业大学联合开展了10 kW级以上大功率霍尔推力器技术研究，开展了热分析设计，并建立热仿真模型，计算获得关键组件稳态温度，结果显示各部位温度均满足设计要求；同步建立了PIC仿真模型，进行了80 mg/s固定流率下，不同电压下电离特性分析，结果表明推力器放电腔口径较大情况下，电压低会使工质利用率降低从而导致推力器效率低；进一步，开展性能分析，得出600 V阳极效率低于500 V时工况，分析为电离不充分和壁面能量损失所致；此外，基于实验样机开展了试验研究，实现30 kW功率下的稳定工作，表明针对性热防护设计具有较好效果，并采用激光干涉推力测量法，获得推力为1.33 N,与仿真数据所得1.38 N偏差在5%以内，具有较高的符合度，表明推力器设计合理有效。     

铝(l)一3，5，7,2' ,4‘一五经基黄烯酮-吐温80体系的分光光度研究及应用

本文研究了铝(I)与3.5.7,2' ,4，一五轻荃黄烯酮(桑色素，Morin )在非离子表面活性剂Tween 80存在下，pH3. 4-4. 4的HAC-NaAc介质中，Al ( I)与Morin形成稳定的黄绿色配合物，其最大吸收波长在423nm处，表观摩尔吸光系数为7. 2 X 10`L " mol-' " cm ;’配合物组成比Al ( I ) = Morin =1 = 3，其表观不稳定常数为1. 43 X 10-".Al ( I)浓度在0^-15 fig/25m1之间符合比尔定律.以硫脉、抗坏血酸和邻菲罗琳作掩蔽剂，测定了电镀废水中微量铝，结果满意.     

比较AI6000-D智能仪和QS1在介质损耗上的测量

测量介质损耗是高压电气测量绝缘的基础试验.然而,从测量精度上、测量环境和测量时间上讲,现在用传统的方法和仪器测量已不能满足试验人员的测量要求.通过现代自动抗干扰精密介质损耗测量仪A I6000-D和传统的高压西林电桥Q S1对电压互感器(变比6 000V/100V)进行介质损耗测试结果的比较,智能仪A I6000-D的优势卓然而出.     

大气压氩气介质阻挡放电特性的一维粒子仿真

介质阻挡放电(DBD)是产生低温等离子体的一种常见放电方式。本文建立了大气压下氩气DBD的一维PIC/MCC模型,采用了粒子自适应权重(APM)以及基于OpenMPI的并行计算策略,考虑了带电粒子在介质板上的积累以及复合反应。本文针对频率500 kHz,幅值电压3 kV正弦电压激励下放电的时空演化特性进行仿真研究,得到了其汤森放电、辉光放电等阶段中的放电特征,研究了电压幅值、气隙间距、介质板介电常数等参数对放电特性的影响。     

基于NSCT域HVS模型的抗打印扫描水印算法

建立了新的NSCT(nonsubsampled contourlet transform)域人类视觉系统(human visible system,HVS)模型,在此基础上设计一种抗打印扫描算法.通过计算NSCT分解后的各个子带的HVS模型量化值,将全息共轭水印图替换HVS值最大的中频子带.实验结果表明,本文算法可以抵御一定程度的打印扫描攻击,具有较好的视觉掩蔽效果,PSNR≥39.2dB,实际水印嵌入容量为1/4×(M-2)×(M-2)bit.本文算法可以应用于对数字水印有抗打印扫描攻击需求的某些场合.     

新试剂(S-Br-PADCAP)与铜显色反应及其应用的研究

本文研究了S-Br-PADCAP与Cu ( I)显色反应的条件及其应用.实验表明，在榕液pHB. 8士0. 5时，在常温下，Cu ( I)与S-Br-PADCAP迅速地形成稳定配合物，试剂和配合物的最大吸收峰分别于458nm和560nm,Cu( I)与S-Br-PADCAP的配位比为1"2，表观摩尔吸光系数。= 1. 31 X lOSL " mol-' " cm-' ,Cu ( I)的浓度在。-12. 5}g/25m1范围内符合比耳定律.本文用锌试剂负载树脂将Cu ( I)与其他干扰离子分离，成功地测定了人发中微量铜的含量，其结果与原子吸收法相一致.     

双口网络噪声模型的系统理论及其应用

从放大器实际存在的时域原始噪声模型出发，推导出两个时域等效噪声模型，并由此扩展到频域，得到了相对应的几个功率谱噪声模型，从而系统地给出了双口网络噪声模型理论和一系列实用的计算公式．将这些理论应用到光纤通信接收机前置放大器的噪声计算上，用统一的方法，算出了光接收机ＢＪＴ和ＦＥＴ前置放大器的等效输入端噪声电压电流功率谱，供光接收机设计使用     

静电对Si衬底GaN基蓝光LED老化寿命的影响

对几组本工程中心研制的Si衬底GaN基蓝光二极管(LED)施加了不同静电击打后,分别在30、50和70 mA的驱动电流下进行了老化实验对比,施加静电电压分别为0、100、500和1 000 V.研究对比了1 000 V范围内的静电对Si衬底上GaN基蓝光LED老化寿命的影响,并对相关实验现象进行了分析.结果表明在1000V范围内施加不同的静电对其寿命没有明显的影响.     

电压敏感性隔膜用于锂离子电池可逆过充保护

研制了一种具有电压敏感功能并可为4．20V级锂电池和锂离子电池提供可逆过充保护的新型复合聚合物膜．这种膜由聚对苯（PPP）和聚苯胺（PAn）膜复合而成，在无掺杂的本征状态下为电子绝缘体；在高的氧化电势下因发生p-掺杂而变成电子导体；在正常工作电压下又因脱杂而恢复成电子绝缘体．因而，它可以作为一种电压敏感性隔膜用于防止电池过充．在Li／LiMn2O4模拟电池中的应用研究结果证实，在长时间的过充条件下，这种复合隔膜仍能够有效地钳制电池的充电电压，从而为电池提供町逆的过充保护．在正常充放电条件下，复合隔膜对电池性能没有产生负面影响．     

增强工艺偏差容忍度的带隙基准电压源设计

随着CMOS工艺特征尺寸的减小,带隙基准电压源在制造过程中因器件失配和工艺波动易导致实际输出电压和目标值发生偏离,降低芯片成品率.为此提出将Pelgrom失配模型引入电路设计中,分别从器件参数、电路结构、版图布局三方面对亚微米级的电路进行工艺偏差优化.基于华润上华（CSMC）0.5 μm工艺以及Hspice软件仿真,显示基准源输出电压为1.232 54 V,偏差小于5 mV.流片测试结果表明,应用此设计的三通道LED驱动控制芯片成品率达到96.8%,输出电流达到（18±0.5）mA的芯片占99.6%以上.     

考虑温度效应的铬污染软土电动修复研究

针对铬污染软黏土自行设计了电动修复试验装置, 开展铬污染软土室内试验, 研究污染土中重金属铬的去除特性, 分析电动修复过程中, 电流、温度、电解质溶液pH的变化以及电压、温度和铬初始浓度对电动修复试验效果的影响. 结果表明, 电动修复可以有效去除土壤中的Cr(VI), 增大电压有利于铬从污染土中释放; 当外加电压为36V时, 各组Cr(VI)去除率都达到了96%以上, 土壤中Cr(总)的最高去除率可达76%; 提高温度可以促进Cr(VI)的还原反应, 降低铬污染土的毒性, 可为重金属污染土的修复提供参考.     

内调制光电探测器光生电压的模型分析

针对栅压对内调制光电探测器耦合区的影响，以及横向发生的抽取效应对受光结的影响，从描述探测器的泊松方程、电流方程和连续性方程出发，通过计算输出电流Id，得出了内调制光电探测器受光结光生电压Vop，与栅压Vg的函数关系式，并依此建立了模型，该模型与实验结果基本吻合．由于该模型采用了电路形式，可以用PSPICE等软件进行模拟，这为研究内调制光电探测器的内部性质提供了理论基础．     

氧化铁红对印染废水中锑（V）的吸附性能

印染行业锑（Sb）污染严重,常规除锑工艺难以达标,铁氧化物对水中锑及其化合物具有良好的吸附效果,选取氧化铁红110、138与190,分别记为T110、T138、T190,对模拟印染废水中的Sb（V）进行吸附去除。结果表明,当Sb（V）初始浓度为200 μg·L^-1,投加量为0.2 g·L^-1时,T138的除锑效果最佳,去除率可达99.44%。XRD图谱显示,氧化铁红的主要成分为\alpha-Fe₂O₃。TEM与XPS图谱表明,T138的颗粒形状较不规则且相对粗糙,含还原态铁与丰富的羟基位点,有利于吸附Sb（V）。吸附动力学实验显示,Sb（V）吸附过程较符合准二级动力学模型,以化学吸附为主。吸附热力学结果表明,T110与T138对Sb（V）的吸附较符合Freundlich模型,T190则较符合Langmuir模型。在实际应用中,印染废水中共存的含氧阴离子与染料明显抑制氧化铁红对Sb（V）的吸附。     

电磁悬浮控制系统的设计与仿真

在介绍电磁悬浮控制系统的基本原理基础上,建立了电磁悬浮控制系统的位置和电磁控制电压关系的数学模型,并采用了复合模糊控制器设计了磁悬浮控制系统,在M atlab/S im u link下进行了仿真实验,并取得了令人满意的仿真结果.