类铍离子内壳激发态1s2p33Po的俄歇宽度、俄歇分支率和辐射跃迁率计算

采用鞍点变分方法和鞍点复数转动方法,并考虑相对论修正和质量极化效应,计算了类铍内壳激发态1s2p33Po的俄歇宽度、俄歇电子能量和俄歇分支率.同时还对1s2p33Po态到1s22p3p3Pe态(Z=4～10)的振子强度和辐射跃迁率进行了计算.计算结果和其他理论结果和实验数据符合的很好.     

类铍离子内壳激发态1s2p3 3P0、3D0及2s2p3 3D0 的俄歇宽度和俄歇分支率

采用鞍点变分方法和鞍点复数转动方法并考虑相对论修正和质量极化效应,计算了类铍离子内壳激发态1s2p3 3P0、3D0和内壳双激发态2s2p3 3D0的俄歇宽度、俄歇分支率和俄歇电子能量.同时还对1s22p2 3Pe态到1s2p3 3P0、3D0态(Z=4~10)的振子强度和辐射跃迁率进行了计算,计算结果与其他理论结果以及实验数据符合得很好.     

类锂离子内壳激发态的能量、俄歇宽度和俄歇分支率（英文）

采用鞍点变分方法和鞍点复数转动方法并考虑相对论修正和质量极化效应,计算了类锂离子内壳激发态的能量、俄歇宽度、俄歇分支率和俄歇电子能量.进一步采用截断变分方法饱和空间波函数.计算结果与其他理论结果以及实验数据符合得很好.     

类硼S离子K壳层激发共振态的辐射和俄歇跃迁

采用多组态鞍点变分方法计算了类硼S离子K壳层激发共振态1s2s~22p~2, 1s2s2p~3, 1s2p~(4 2,4)L(L=S, P,D)的非相对论能量和波函数,利用截断变分方法饱和波函数空间,改进体系的非相对论能量.利用微扰理论计算了相对论修正和质量极化效应,利用屏蔽的类氢公式计算了QED (quantum electrodynamics)效应和高阶相对论修正.进一步,考虑闭通道和开通道相互作用,计算了由俄歇共振效应引起的能级移动,从而得到了共振态的精确相对论能级.利用优化的波函数,计算了类硼S离子K壳层激发共振态的电偶极辐射跃迁的线强度、振子强度、跃迁率和跃迁波长.计算的振子强度和辐射跃迁率均给出了长度规范、速度规范、加速度规范的结果.三种规范结果的一致性表明了本文计算的波函数是足够精确的.利用鞍点复数转动方法计算了类硼S离子K壳层激发共振态的俄歇跃迁率、俄歇分支率和俄歇电子能量.本文的计算结果与其他文献数据符合较好.     

C+离子内壳激发共振态1s2s(3S)2p3的Auger能量和Auger分支率

利用精确的鞍点变分波函数和鞍点复数转动方法,计算了C+离子五电子原子系统内壳激发共振态1s2s(3S)2p3 2,4Po, 2,4Do 的俄歇能量和俄歇分支率,考察了俄歇跃迁的收敛性,对300-keV C+离子和CH4气体碰撞实验产生的高分辨率俄歇电子谱进行了标定,并指出这些类硼C+离子的内壳激发共振态对253-273eV范围的实验谱线有重要贡献. 本文计算结果与实验数据符合得很好.     

C~+离子内壳激发共振态1s2s(~3S)2p~3的Auger能量和Auger分支率(英文)

利用精确的鞍点变分波函数和鞍点复数转动方法,计算了C⁺离子五电子原子系统内壳激发共振态1s2s（³S）2p^32,4P°,^2,4D°的俄歇能量和俄歇分支率,考察了俄歇跃迁的收敛性,对300 keV C⁺离子和CH₄气体碰撞实验产生的高分辨率俄歇电子谱进行了标定,并指出这些类硼C⁺离子的内壳激发共振态对253～273 eV范围的实验谱线有重要贡献.本文计算结果与实验数据符合得很好.     

X射线光电子能谱中的俄歇参数

简要介绍了几种俄歇参数定义以及俄歇参数图中涉及的原子外部驰豫能和俄歇双电离体系终态能，最后评述它们的应用。     

类锂离子内壳激发1s22s22S态的电离势和Auger跃迁率

采用鞍点变分方法和鞍点复数转动方法,并考虑相对论修正、质量极化效应,计算了类锂等电子系列(Z=10～20) 1s2s2 2S态的电离势、Auger跃迁率和辐射跃迁率． 同时还计算了QED效应和高阶相对论修正对电离势的贡献．     

类锂离子内壳激发1s2s2 2S态的电离势和Auger跃迁率

采用鞍点变分方法和鞍点复数转动方法,并考虑相对论修正、质量极化效应,计算了类锂等电子系列(Z=10～20) 1s2s2 2S态的电离势、Auger跃迁率和辐射跃迁率.同时还计算了QED效应和高阶相对论修正对电离势的贡献.     

窄带隙超晶格中载流子俄歇寿命和碰撞电离率的第一性原理研究

通过第一性原理的完整形式,基于全势能线性化增广平面波方法确定的精确能带结构和波函数,推算了技术上极为重要的窄带隙半导体超晶格中载流子俄歇复合时间.少数载流子的俄歇寿命由两种相关的方法来确定:1)由Fermi-金规则直接估算,2)联系俄歇复合和其相反过程碰撞电离,建立细致平衡公式,在一个统一的结构中进行间接估算.在n掺杂HgTe/CdTe和InAs/In_xGa_1－xSb超晶格中,由直接和间接的方法确定的寿命与一些实验结果相当一致.这说明该计算模式可以作为一种精确的手段用于窄带隙超晶格材料的性能优化. 关键词： 第一性原理 俄歇复合 碰撞电离 半导体超晶格     

洞态氩离子的退激发及末电离态离子分布的理论研究

在描述洞原子(或离子)退激发过程只考虑单俄歇跃迁和辐射跃迁的辐射-单俄歇级联退激发模型的基础上,进一步考虑了双俄歇跃迁的贡献,发展了辐射-单俄歇-双俄歇级联退激发模型.据此模型研究了Ar⁺(1s^-1)(1s洞态氩离子)和Ar⁺(2s^-1)(2s洞态氩离子)的退激发过程及末电离态离子的分布,获得了与实验相符的结果. 关键词： 辐射-单俄歇级联退激发模型 双俄歇跃迁 辐射-单俄歇-双俄歇级联退激发模型 洞离子退激发     

类Li硼离子内壳层三重激发态2s2p~2的结构和俄歇过程

采用基于全相对论框架的多组态Dirac-Fock方法,研究了类Li硼离子内壳层三重激发态2s2p~2的结构和俄歇退激发过程.为了充分考虑电子关联效应,将活动空间扩展到n=8壳层.详细讨论了电子关联效应对类Li硼离子内壳层三重激发态2s2p~2结构和俄歇退激发过程的影响.结果表明,在对类Li硼离子内壳层三重激发态2s2p~2进行理论研究时,有必要考虑来自n=8壳层的电子关联效应.本文模拟的类Li硼离子内壳层三重激发态2s2p~2的俄歇电子谱与实验符合好.     

类Li硼离子内壳层三重激发态2s2p2的结构和俄歇过程

采用基于全相对论框架的多组态Dirac-Fock方法,研究了类Li硼离子内壳层三重激发态2s2p2的结构和俄歇退激发过程。为了充分考虑电子关联效应,将活动空间扩展到n=8壳层。详细讨论了电子关联效应对类Li硼离子内壳层三重激发态2s2p2结构和俄歇退激发过程的影响。结果表明,在对类Li硼离子内壳层三重激发态2s2p2进行理论研究时,有必要考虑来自n=8壳层的电子关联效应。本文模拟的类Li硼离子内壳层三重激发态2s2p2的俄歇电子谱与实验符合好。     

核衰变产生的X射线和俄歇电子数据计算

核衰变过程中,内转换电子发射和电子俘获能在原子电子壳层内留下空穴.其他原子电子壳层的电子将填补这些空穴,其原子电子位置将重排,并发射X射线和俄歇电子.X射线和俄歇电子的能量由原子电子结合能计算得到,X射线和俄歇电子的强度分别由内转换电子发射和电子俘获在原子电子壳层内留下的空穴数,X射线荧光产额,和空穴转移系数计算得到.本文简要介绍核衰变产生的X射线和俄歇电子数据的计算方法、计算程序与工作流程,并以核衰变为例说明其具体应用和简要讨论与总结.     

AlxGa1-xAs俄歇灵敏度因子的测定

利用PHI610俄歇谱仪测定了Al,Ga和As的俄歇灵敏度因子。对6种不同x值的Al_xGa_1-xAs样品进行俄歇定量分析。结果与X射线双晶衍射测量值非常一致。结果表明,利用自身谱仪测定的俄歇灵敏度因子进行的定量分析结果,与目前通常使用的手册或内标法提供的元素相对灵敏度因子的定量分析结果相比,测量精度得到大大提高。 关键词：     

锂内壳高激发2smd4De,2pnd4Do系列的能量和辐射跃迁

采用鞍点变分方法计算了锂内壳高激发四重态1s2smd⁴D^e(m=3—7)和1s2pnd⁴D^o(n=3—5)的能量,利用截断变分方法得到能量改进量,并计算了相对论修正、质量极化效应,从而获得了高精度的能量计算值.同时还对该系统之间的辐射跃迁波长、振子强度和辐射跃迁率进行了计算.计算结果与实验符合得很好. 关键词： 内壳高激发态 鞍点变分方法 振子强度 精细结构     

铀与表面铝薄膜界面反应的俄歇电子能谱分析

主要利用俄歇电子能谱（AES）研究了室温下铀、UO2与表面铝薄膜之间的界面反应，以及退火对界面反应的影响。在俄歇电子能谱仪超高真空室中，利用Ar^＋枪溅射铝靶，使其分别逐步沉积到铀基体与UO2表面上，然后利用电子枪适时采集表面俄歇电子能谱，研究膜基界面反应。     

俄歇定量分析中确定背散射因子的一种新方法

背散射因子是俄歇定量分析中要考虑的主要因素。本文提出一种利用微分前俄歇谱N(E)背景求得背散射因子的新方法。由于使背散射因子的计算与能谱相结合,这种方法不但可以避免Monte Carlo的冗长计算,还能进一步提高定量分析的精度。文中列举了用该方法对Au-Cu和Ag-Cu两种合金的定量分析结果,并与Monte Carlo和相对灵敏度因子方法的结果进行了比较。 关键词：     

类镍W46+、Au51+偶极跃迁的相对论多组态计算

本文基于全相对论Dirac-Fock方法，分别用GRASPO和GRASP2原子结构程序包计算了金和钨的类镍离子3d^10-3d^94p、3d10-3d^94f、3p^63d^10-3p^53d^104s和3p^63d^10-3p^53d^104d之间的电偶极跃迁波长和振子强度，得到与实验相一致的结果；同时分析了组态相互作用和有限核体积分布效应对高Z高剥离态多荷电离子的原子结构参数的影响。     

GeⅩⅪ-SeⅩⅩⅢ离子n=3，△n=0跃迁谱线和振子强度的计算

用HFR方法对CaⅨ-KrⅩⅩⅤ离子3s^2，3s^3P，3s3d，3p^2组态能级结构进行了理论计算。在已有实验研究的基础上，通过分析离子能级沿等电子序列的变化规律，运用最小二乘拟合方法预言计算了GeⅩⅪ-SeⅩⅩⅢ离子3s^2，3s^3P，3s3d，3p^2组态14条精细结构能级值。在此基础上，进一步计算了GeⅩⅪ-SeⅩⅩⅢ离子3s^2-3s3p，3s3p-3s3d和3s3p-3p^2跃迁的23条谱线波长和相应的振子强度。计算结果与已有的实验值十分吻合，波长的最大不确定度为0．008nm。