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研究了以掠入射的平面偏振光激励的多孔硅的光致发光。实验结果显示,光的入射角对多孔硅的发光行为影响不大,然而,以z方向偏振光激励的发光强度明显高于以x方向偏振光激励的发光强度。激励光电场相对于样品表面的不同取向引起光致发光的差异,这反映多孔硅的光学性质是各向异性的,也排除了纯粹的硅量子点的集合作为多孔结构的可能性。 相似文献
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用电化学腐蚀法制备出多孔硅系列样品.室温下具有明亮可见的光致发光.增大电解电流或延长腐蚀时间,发光光谱明显地“蓝移”;提高样品测量温度,发光光谱也明显地“蓝移”。红外吸收光谱表明多孔硅中除了硅丝骨架以外,还含有H、F及O等元素,随着腐蚀时间的增加,F和O原子的相对含量增加.实验结果表明,多孔硅在可见光区的发光现象是一种量子尺寸效应. 相似文献
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多孔硅发光峰温度行为的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
实验研究了多孔硅(Porous Silicon)光致发光峰随测量温度的变化,发现发光峰位随温度的移动与发光峰的能量有关。随温度升高,发光峰波长较长的样品它们的发光峰都移向高能,面发光峰能量较高的样品它们的发光峰都移向低能,发光峰波长位于740nm附近的样品,它们的发光峰与测量温度无关。对上术结果的起源作了讨论。 相似文献
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金—多孔硅光致发光和红外光谱研究 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了金-多孔硅 稳态光致发光,瞬态光致发光和傅里叶变换红外光谱的研究,讨论了金在多孔硅表面吸附产生的表面电子态对多孔硅光致发光特性的影响。 相似文献
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多孔硅/多孔氧化铝与PVK复合光致发光特性 总被引:1,自引:1,他引:1
用旋涂法实现了多孔硅、多孔氧化铝与聚乙烯咔唑(PVK)的复合,研究了多孔硅/PVK、多孔氧化铝/PVK复合体系的光致发光性能。PL谱的测试发现,多孔硅/PVK复合体系的PL谱同时具有多孔硅和PVK的发射峰。此外,在485nm的位置出现了一个新峰,讨论了这个峰的来源。而多孔氧化铝与PVK复合后,没有产生新的峰。但多孔氧化铝与PVK复合后,由于多孔氧化铝纳米孔的纳米限制效应使PVK的发光峰出现大幅度蓝移。从多孔硅与多孔氧化铝发光机制的不同出发,讨论了多孔硅、多孔氧化铝与PVK复合后产生不同结果的原因。 相似文献
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多孔硅纳向分辨拉曼及光致发光研究 总被引:2,自引:0,他引:2
运用高灵敏度的共焦显微拉曼系统研究了多孔硅在纵的拉曼效应和光致发光的性质。研究结果表明多孔硅在形成的初期和后的反应机制不相同。反应初期,外表面的颗粒尺寸比内同大,而经过长时间刻蚀而获得得的多孔硅,其相表面颗粒尺寸比 小。我们认为反应的初期主要表面不均匀电场的影响,而随着表面多孔层的增厚和颗粒的细化,刻蚀反应逐渐变成受传质过程和量子尺寸约束的控制。 相似文献
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利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱对一系列直流腐蚀和脉冲腐蚀的多孔硅的微结构及发光特性进行了对比研究.表面和侧面的AFM结果表明,多孔硅表面呈“小山”状,有许多小的、突出的硅颗粒.在相同的腐蚀条件(等效)下,脉冲腐蚀的样品表面Si颗粒更加尖锐、突出,侧面的线状结构更明显,多孔硅层更厚.对应的PL谱,脉冲腐蚀的样品发光更强.量子限制效应的理论可以比较成功地解释这个结果
关键词: 相似文献
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在微秒范围内测量了多孔硅的光致发光衰减,研究了衰减参数与发光波长、样品制备条件的关系,发现衰减参数与发射波长有关,但不依赖于样品制备条件。用发光三层模型解释了实验结果。 相似文献
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嵌入多孔硅中的C60分子的发光行为 总被引:1,自引:0,他引:1
1990年团簇C60分子分离的成功[1],立即引起了科学界的极大重视,有关C60分子的超导电性、光谱特性以及电子能级结构的研究报道与日俱增,由于单个C60分子是直径为7.1Å的球形分子,因而在某种程度上对于由C60分子聚集而成的具有几个纳米尺寸的CBO微晶的体系应该也具有类似于半导体超微粒低维量子限域的物理特性. 相似文献
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离子注入对多孔硅可见光发射特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本文在前期对多孔硅发光机理研究的基础上,研究了离子注入对多孔硅光致发光的影响.实验表明离子注入除了可以降低多孔硅光致发光的强度外,还将使多孔硅的光致发光光谱谱峰产生蓝移、半高宽展宽,并在多孔硅发光谱带中产生一些发光减弱区和次峰结构.文中最后对实验现象做了解释. 相似文献
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多孔硅激光染料镶嵌膜的荧光光谱研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文对以多孔硅为载体,镶嵌激光染料形成复合膜的光致发光进行了研究,比较了镶嵌膜与其他不同状态下染料发光的差异,发现镶嵌染料荧光光谱线型较其他状态下明显趋于对称,同时考察了衬底情况的改变对镶嵌膜发光的影响。通过对实验结果的分析指出,这种硅基镶嵌膜中的染料的发光主要来自单体的荧光发射。 相似文献