首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
自然氧化引起的多孔硅光致发光光谱移动问题   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
吴晓薇  鲍希茂  郑祥钦  阎锋 《物理学报》1994,43(7):1203-1207
多孔硅发光是激发电子通过表面态间接的复合过程。自然氧化引入新的表面态,改变了表面态的分布,从而引起了多孔硅光致发光光谱的移动。 关键词:  相似文献   

2.
吴嘉达  谢国伟 《光学学报》1997,17(12):687-1692
研究了以掠入射的平面偏振光激励的多孔硅的光致发光。实验结果显示,光的入射角对多孔硅的发光行为影响不大,然而,以z方向偏振光激励的发光强度明显高于以x方向偏振光激励的发光强度。激励光电场相对于样品表面的不同取向引起光致发光的差异,这反映多孔硅的光学性质是各向异性的,也排除了纯粹的硅量子点的集合作为多孔结构的可能性。  相似文献   

3.
方容川  杨嘉玲 《发光学报》1992,13(4):275-280
用电化学腐蚀法制备出多孔硅系列样品.室温下具有明亮可见的光致发光.增大电解电流或延长腐蚀时间,发光光谱明显地“蓝移”;提高样品测量温度,发光光谱也明显地“蓝移”。红外吸收光谱表明多孔硅中除了硅丝骨架以外,还含有H、F及O等元素,随着腐蚀时间的增加,F和O原子的相对含量增加.实验结果表明,多孔硅在可见光区的发光现象是一种量子尺寸效应.  相似文献   

4.
多孔硅发光峰温度行为的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
李清山  马玉蓉 《发光学报》1999,20(3):265-269
实验研究了多孔硅(Porous Silicon)光致发光峰随测量温度的变化,发现发光峰位随温度的移动与发光峰的能量有关。随温度升高,发光峰波长较长的样品它们的发光峰都移向高能,面发光峰能量较高的样品它们的发光峰都移向低能,发光峰波长位于740nm附近的样品,它们的发光峰与测量温度无关。对上术结果的起源作了讨论。  相似文献   

5.
对在无光照条件下,电化学阳极腐蚀方法制备的n型多孔硅进行了光致发光性能研究.在325nm的激发光照射下,多孔硅样品的发光峰在620nm处,其橙红色的发光肉眼可见,并随阳极电流密度与腐蚀时间乘积的增加.先增强,后减弱.其发光峰位置与量子限制效应、表面态及缺陷态有关,发光强度与样品表面深度较浅孔洞所占的面积比成正比.  相似文献   

6.
金—多孔硅光致发光和红外光谱研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
郭亨群 《光学学报》1995,15(5):58-561
报道了金-多孔硅 稳态光致发光,瞬态光致发光和傅里叶变换红外光谱的研究,讨论了金在多孔硅表面吸附产生的表面电子态对多孔硅光致发光特性的影响。  相似文献   

7.
采用电化学腐蚀法制备多孔硅(PS),测量了多孔硅在近红外光(800nm)激光下的光致发光(PL)谱和光致发光激光(PLE)谱;结果表明多孔硅具有良好的上转换荧光特性光学特性并存存放时间 长,在一定期内峰值强度有明显的增。这种非线性光学响应的增强,被认为与空间量子限制效应作用下局域束缚关,光致发光谱的多峰结构表明多孔硅中存在多种发光中心。用量子限制/发光中心模型可以解释本实验结果。  相似文献   

8.
采用一种新的方法制备掺Er多孔硅.首先通过分子束外延法生长Er,O共掺的硅外延层,然后通过常规的电化学阳极腐蚀法将外延层制备成掺Er离子的纳米硅柱结构.由于实现了Er离子在多孔硅中沿深度方向的均匀分布,得到峰宽仅6nm的Er3+本征发光.同时,由于铒与氧共掺于硅柱内部,多孔硅不再需要通过高温后处理引入氧来实现铒的光学激活.实验还对多孔化前后,Er3+的发光强度作出直观的比较,讨论多孔硅可见光及红外光区域的发光对Er3+红外发射的影响. 关键词:  相似文献   

9.
多孔硅/多孔氧化铝与PVK复合光致发光特性   总被引:1,自引:1,他引:1  
用旋涂法实现了多孔硅、多孔氧化铝与聚乙烯咔唑(PVK)的复合,研究了多孔硅/PVK、多孔氧化铝/PVK复合体系的光致发光性能。PL谱的测试发现,多孔硅/PVK复合体系的PL谱同时具有多孔硅和PVK的发射峰。此外,在485nm的位置出现了一个新峰,讨论了这个峰的来源。而多孔氧化铝与PVK复合后,没有产生新的峰。但多孔氧化铝与PVK复合后,由于多孔氧化铝纳米孔的纳米限制效应使PVK的发光峰出现大幅度蓝移。从多孔硅与多孔氧化铝发光机制的不同出发,讨论了多孔硅、多孔氧化铝与PVK复合后产生不同结果的原因。  相似文献   

10.
多孔硅纳向分辨拉曼及光致发光研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
刘峰名  程璇 《光散射学报》1999,11(2):137-141
运用高灵敏度的共焦显微拉曼系统研究了多孔硅在纵的拉曼效应和光致发光的性质。研究结果表明多孔硅在形成的初期和后的反应机制不相同。反应初期,外表面的颗粒尺寸比内同大,而经过长时间刻蚀而获得得的多孔硅,其相表面颗粒尺寸比 小。我们认为反应的初期主要表面不均匀电场的影响,而随着表面多孔层的增厚和颗粒的细化,刻蚀反应逐渐变成受传质过程和量子尺寸约束的控制。  相似文献   

11.
多孔硅的微结构与发光特性研究   总被引:4,自引:1,他引:4       下载免费PDF全文
利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱对一系列直流腐蚀和脉冲腐蚀的多孔硅的微结构及发光特性进行了对比研究.表面和侧面的AFM结果表明,多孔硅表面呈“小山”状,有许多小的、突出的硅颗粒.在相同的腐蚀条件(等效)下,脉冲腐蚀的样品表面Si颗粒更加尖锐、突出,侧面的线状结构更明显,多孔硅层更厚.对应的PL谱,脉冲腐蚀的样品发光更强.量子限制效应的理论可以比较成功地解释这个结果 关键词:  相似文献   

12.
发光不衰减的多孔硅   总被引:2,自引:0,他引:2  
李新建  张裕恒 《物理》1999,28(4):195-197
用一种新的方法制备出了具有不同衰减的光致发光特性的多孔硅。如此制备的多孔硅新鲜样品,其发光峰位强度比普通多孔硅高2 ̄2.5倍,将样品在室温下暴露于空气中,其发光强度在前4个月中单调增加,然后达到饱和。在随后的8个月中,没有观察到发光衰减,发光峰位也没有发生变化,这种发光稳定性被归因子于多孔硅表面所形成的稳定的Fe-Si键。文章探讨了发光不衰减、峰位不蓝移的机理,并为多孔硅发光的量子限域模型提供了强  相似文献   

13.
研究了a-Si:H,a-Si:H,F,a-Si:H,Cl以及a-Si:H,Cl,O等非晶硅薄膜光致发光的温度依赖关系。测量了各种样品的无辐射跃迁激活能ε,并试图寻求激活能ε与样品的制备条件和结构之间的关系;同时从发光强度的温度相关性确定了带尾态密度分布参数T0,以及T0与发光光谱形状之间的关系。并将实验结果与瞬态光电导的数据进行了比较。  相似文献   

14.
李清山  李鹏 《发光学报》1995,16(4):325-329
在微秒范围内测量了多孔硅的光致发光衰减,研究了衰减参数与发光波长、样品制备条件的关系,发现衰减参数与发射波长有关,但不依赖于样品制备条件。用发光三层模型解释了实验结果。  相似文献   

15.
嵌入多孔硅中的C60分子的发光行为   总被引:1,自引:0,他引:1  
夏安东  左健 《发光学报》1994,15(4):360-362
1990年团簇C60分子分离的成功[1],立即引起了科学界的极大重视,有关C60分子的超导电性、光谱特性以及电子能级结构的研究报道与日俱增,由于单个C60分子是直径为7.1Å的球形分子,因而在某种程度上对于由C60分子聚集而成的具有几个纳米尺寸的CBO微晶的体系应该也具有类似于半导体超微粒低维量子限域的物理特性.  相似文献   

16.
离子注入对多孔硅可见光发射特性的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文在前期对多孔硅发光机理研究的基础上,研究了离子注入对多孔硅光致发光的影响.实验表明离子注入除了可以降低多孔硅光致发光的强度外,还将使多孔硅的光致发光光谱谱峰产生蓝移、半高宽展宽,并在多孔硅发光谱带中产生一些发光减弱区和次峰结构.文中最后对实验现象做了解释.  相似文献   

17.
碲化锌的光致发光及其温度效应   总被引:1,自引:1,他引:0  
研究了未故意掺杂的ZnTe晶体的光致发光光谱及其温度效应.光致发光光谱在室温下仅包含一个谱带,液氮温度下由四个谱带组成.由发光光谱的温度效应实验结果导出了未故意掺杂的ZnTe晶体中的Li受主能级和浅施主能级的激活能分别为65meV和20meV.讨论了液氮温度下光致发光光谱中的19054cm-1带的一个可能起源.  相似文献   

18.
多孔硅激光染料镶嵌膜的荧光光谱研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文对以多孔硅为载体,镶嵌激光染料形成复合膜的光致发光进行了研究,比较了镶嵌膜与其他不同状态下染料发光的差异,发现镶嵌染料荧光光谱线型较其他状态下明显趋于对称,同时考察了衬底情况的改变对镶嵌膜发光的影响。通过对实验结果的分析指出,这种硅基镶嵌膜中的染料的发光主要来自单体的荧光发射。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号