量子阱垒层掺杂变化对双波长LED调控作用研究

采用APSYS软件研究了InGaN/GaN量子阱垒层掺杂变化对双波长 发光二极管发光光谱的调控问题. 在不同掺杂类型和浓度下对器件电子空穴浓度分布、 载流子复合速率、 能带结构、 发光光谱进行分析, 结果表明, 调节量子阱垒层n型和p型的掺杂浓度可以精确而有效地根据需要调控发光光谱, 解决发光光谱调控难的问题. 这些现象归因于掺杂的量子阱垒层对电子空穴分布的调控作用.     

基色LED的光谱漂移及其对显色性能影响的研究

发光二极管(LED)因其低功耗、低成本而被广泛应用于大型文字、图形和图像的显示,通过调节红、绿、蓝LED发光的亮度可产生不同显色指数的彩色图像像素。但是LED发光光谱会随环境温度的变化产生漂移,从而对显色性能产生影响。用驱动电流的变化模拟环境温度的变化对三基色LED的光谱漂移进行了测试,分别得到了三基色的漂移特性,提出了单色LED光谱漂移方程及三基色光谱漂移方程组。通过研究不同驱动电流下基色LED的光谱漂移,得到了相应的光谱漂移率。通过分析人眼对颜色宽容量的大小,以及基色LED的最大漂移波长,得到了只有红色LED的色差会影响显示屏显色性能的结论。该研究为彩色LED工程实践中反馈控制消除由基色漂移造成的显色色差提供了一定的理论依据和实验支持。     

蓝色荧光粉光谱特征对FED性能影响的色度学模拟计算

场发射显示器(field emissive display,FED)是一种新近发展起来的低压阴极射线平板显示器。Y2SiO5：Ce被筛选为这种显示器的蓝色荧光材料。然而该荧光粉发射光谱的峰值波长在410nm,处于人眼的不敏感区。由此提出：如果通过调整材料的组成,使该荧光粉的发射波长向长波移动,这样对荧光粉本身的颜色和光效有何影响?进而对由该材料涂制的FED显示屏的总光效和显色性能有何影响?采用色度学模拟计算的方法回答上述问题;计算中,蓝粉的光谱用高斯函数模拟。结果表明：发光峰带宽的增加和发光峰的红移都使蓝粉本身的光效提高;然而,为使FED同时具有高的光效和大的显色区域,蓝色荧光粉的发射峰最好位于420～460nm之间,并且窄的发光峰对显示屏性能有利。这一结果实际上对其他彩色显示屏也是适用的。     

GaP纯绿发光二极管的近红外发光研究

本文测量了GaP纯绿发光二极管在室温和液氮温度下的近红外发光光谱,观测到许多重叠的宽带发光.按高斯线型对光谱进行拟合,将其分解为6个发光谱峰,讨论了这些深能级发光的来源和它们对GaP发光二极管的发光强度的影响.     

转换屏发光光谱对闪光照相成像质量影响研究

转换屏的X射线激发发光光谱与透镜系统的匹配偏差会对闪光照相光电接收系统的成像质量造成影响.提出了一种一维线阵全分辨的模拟计算方法,对在理想光源照射下系统成像视觉全分辨能力进行了模拟计算.用白光光源加滤波片照明分辨率板的实验方法,对不同光源照射下系统的成像质量进行了评估.分析表明,转换屏发光宽光谱及其中心波长与透镜系统不匹配均对成像分辨率造成一定影响,而对图像对比度造成较大影响.只有在透镜系统针对的消像差波段540～550 nm附近窄带发光的转换屏,其成像质量才能基本不受匹配影响,近似于模拟计算的结果.     

大型多色半导体发光显示屏幕

研制成总发光象素为122880个的多色半导体发光显示屏.探讨了发光象元结构对出光效率和光强角分布的影响及第三色控制问题.描述了采用三级计算机系统控制屏幕显示的硬件和软件特点.     

旋涂方式对有机发光显示屏发光均匀性及性能的影响

采用旋转涂布法制备空穴传输层聚二氧乙基噻吩/聚对苯乙烯磺酸过程中,设置高低转速相结合的方式,调转基片方向实施二次旋涂干燥成膜,有效改善了材料因基片开口设计而引起的单双行薄膜厚度不均匀现象. 由于增加了功能层薄膜的均匀性,从而改善了显示屏的整体发光均匀性与发光效率. 改进工艺后制备的绿光显示屏电流效率提高了近40%,并得到了电流效率达1.25 cd/A的96×64的3.81 cm全彩高分子发光点阵显示屏,发光亮度提高了近25%. 关键词： 旋转涂布法 有机发光二极管 显示屏     

掺杂Mn2+的浓度对CdS纳米颗粒光致发光的影响

采用反胶束法,合成了硅土包裹的掺有不同浓度的Mn2 的CdS纳米颗粒.高分辨电镜表明这些颗粒的直径小于5 nm.仅仅改变Mn2 的掺杂浓度,研究了这些颗粒的光致发光谱和光致发光激发谱,结果表明:Mn2 浓度的大小对掺杂CdS纳米颗粒的发光产生了重要的影响.通过电子顺磁共振谱的测量和分析揭露了Mn2 浓度影响这些掺杂颗粒发光效率的原因.     

MEH-PPV/SiO_2异质结发光机理和非晶SiO_2二次特性的研究

在薄膜电致发光中采用有机聚合物MEH-PPV和无机半导体SiO_2复合制成异质结发光器件,利用SiO_2的加速、倍增和离化的二次特性,实现了固态阴极射线发光.结构为ITO/SiO_2/MEH-PPV/SiO_2/Al的发光器件,其电致发光光谱的显著特征是有两个发光谱带.光谱中除了波长较长(峰值为583 nm)的MEH-PPV的激子发光谱外,还观察到了波长较短(峰值为403 nm)的蓝色发光谱,并且长短波的发光强度随着电压的不同而变化.电压较低时,只有长波光发射.当电压较高时,只有短波光存在.这种有两个谱带的发光是固态阴极射线发光的独特标志,它是一种全新的激发方式,引发出发光学中一些新而重要的问题.固态阴极射线发光理论的重要方面之一就足SiO_2的二次特性.文章研究了固态阴极射线发光动力学问题,高电场下SO_2二次特性及厚度对二次特性的影响.     

“国外发光与电光”一九七四年分类目录

一固体发光的一般问题: 固体发光简介 发光材料的光谱特征(1) 制备荧光纯硫化锌原料的一种新方法 发光材料的光谱特征(2) 光度学简介 东芝磷光体 简讯: 用高压烧结法制备磷光体,51一5583一8753一5977一8786一9415一231 2 3 3 56二场致发光材料和器件: 场致发光的应用和固体显示前景 硫化锌和有关化合物的直流场致发光 直流场致发光材料与平板电视显示技术 场致发光磷光体 场致发光Zns: Er“ 薄膜的激发机理 固体X射线图象转换器 新的场致发光显示屏 场致发光体悬浮浓的电泳沉积 粉末材料的场致发光(1) 简讯: 关于场致发光器件的讨论 ZnS:…