半导体材料的区域提纯及区域匀平法

半导体材料是制造半导体器件的先行,也是开展对半导体的科学研究所必不可少的。制备高纯度的結构完整的半导体材料在半导体学的发展史上起了特別重要的意义。我們知道,极微量的杂貭和缺陷对半导体材料导电性能有决定性的作用,它可以使半导体材料具有适合一定器件的要求的性质,也可使半导体变为毫无用处的废物。半导体材料要求的純度是极高的,对制备晶体管用的锗、硅材料来說,通常要在8个9(純度为     

有机场效应晶体管材料及器件研究进展

有机场效应晶体管(organic field—effect transistor，OFET)作为新一代半导体晶体管因其广阔的应用前景和近年来技术上的突飞猛进，使之成为微电子和信息领域科学研究和产品开发中热门的话题之一．文章慨述了有机场效应晶体管的材料研究、器件制备技术以及有机场效应晶体管在各领域中应用的最新进展．     

集成电路中的物理问题讲座第四讲 半导体中深能级杂质缺陷与深能级瞬态谱

大家知道,不含杂质的纯半导体几乎没有什么直接的用途.为了制造半导体器件,人们总是先将半导体材料尽可能地提纯,然后用扩散、离子注入等方法将一定数量的特定杂质掺入半导体的一定部位,以控制半导体的导电类型和电阻率,再经金属蒸发等工艺,最终制成半导体器件.因此,研究杂质的性质和作用是很重要的.在半导体中,有两类性质和作用都绝然不同的杂质:一类杂质是在禁带中引入的能级与导带底或价带顶的能量差很小,远远小于禁带宽度,这类杂质称为浅杂质,它决定着半导体的导电类型与电阻率;另一类杂质在禁带中引入的能级与导带底及价带顶的能量差都…     

稀磁半导体--自旋和电荷的桥梁

稀磁半导体可能同时利用载流子的自旋和电荷自由度构造将磁、电集于一体的半导体器件．尤其是铁磁半导体材料的出现带动了半导体自旋电子学的发展．室温铁磁半导体材料的制备，半导体材料中有效的自旋注入，以及自旋在半导体结构中输运和操作已成为目前半导体自旋电子学领域中的热门课题．稀磁半导体呈现出强烈的自旋相关的光学性质和输运性质，这些效应为人们制备半导体自旋电子学器件提供了物理基础．     

非晶半导体薄膜与大面积电子学

 经过近20年的发展,非晶半导体的研究--特别是氢化非晶硅(α-Si:H)--已成为当前凝聚态物理和固态电子学中最活跃的领域之一.这类新型的电子材料之所以能引起人们的极大兴趣和高度重视,是因为这类材料具有广阔的应用前景,而它的性质却还未得到理论上的解释;薄膜制备技术还需进一步改进、完善,器件的重要用途尚在研究与探索之中.当今大家所熟悉的晶体管、集成电路以及由其作为有源元件制备的收音机、电视机、计算机等都是以晶态半导硅(C-Si)和砷化镓(C-GaAs)等材料制成.     

石墨烯射频器件研究进展

石墨烯因具有优良的电学特性,在半导体行业中受到广泛关注,特别因其具有超薄的结构和极高的载流子迁移率,为解决短沟道效应提供了可能,并且在高速电子领域具有应用前景.近年来,使用石墨烯作为沟道材料制备射频晶体管及射频电路是发挥石墨烯材料优势的一个重要研究方向.制造高性能的射频器件,首先要制备出高性能的石墨烯材料.在金属衬底上沉积均匀的单层石墨烯材料或者在绝缘衬底上外延生长单层、双层石墨烯材料都是获得高质量石墨烯材料的常用方法.器件结构及工艺流程的设计也是提升晶体管射频性能的重要因素,多指栅结构、T型栅结构、埋栅结构以及自对准工艺的发展能够有效改善石墨烯射频晶体管的截止频率及最大振荡频率.石墨烯晶体管独特的电学特性使得其除了可以构造与其他半导体材料电路相似的射频电路结构,还可以构造出功能完整并且结构更加简单的新型射频电路结构.     

钙钛矿场效应晶体管中的离子迁移（特邀）

场效应晶体管是一种通过电压控制电路的电子开关,是现代电子技术的关键元件。随着新型半导体材料的发展,场效应晶体管沟道材料的选择更加多样化。近年来,钙钛矿材料作为一种新型的有机无机杂化半导体材料在光伏和发光领域发展迅速,但由于其本身具有离子迁移的特性,限制了其在场效应晶体管领域的发展。钙钛矿材料中的离子迁移能够引起栅极电场的部分屏蔽,影响栅极的调制作用,降低场效应晶体管的迁移率。本文系统阐释了离子迁移现象的产生机理,总结了抑制离子迁移的方法,最后展望了钙钛矿晶体管的应用前景。     

MuSR技术在凝聚态物理中的应用

缪子自旋弛豫/旋转(MuSR)实验技术利用缪子的自旋,在原子尺度上研究样品内部磁场的静态分布和动态涨落。文章介绍MuSR实验技术在凝聚态物理中的应用,阐述了MuSR在磁性、超导材料中发现的独特信息,包括磁有序、内部磁场分布、具有特定频率范围的自旋涨落,以及在半导体材料中获得杂质的电子状态和位置。这些应用表明MuSR对于理解关联电子材料复杂的物理现象及其物理机制具有重要意义。     

中国科学院半导体所近年论文摘编

 中科院半导体所云集着黄昆、林兰英等一流物理学家和一大批有作为的中青年学者,他们在半导体物理,特别是在半导体超晶格物理的理论研究、半导体超晶格的光谱物理、超晶格低维系统的输运特性、超晶格量子阱中杂质、深能级行为、超晶格、多层异质结构材料诸方面获得众多成果,在世界半导体物理领域占有重要地位.根据灰色文献的定义,我们将该所学者在国际会议报告和将发表的论文有选择地摘录发表.供广大读者参考.     

硅中δ掺杂的新进展

δ掺杂Ｓｉ材料是一种新型半导体材料，它是利用杂质工程和能带工程的结合来调节半导体的性质的。它的许多物质为低维半导体系统的研究开辟了一个新领域，同时正是这些物理特性使得该材料在硅基光电子晶件，电子器件研制中具有广阔的应用前景，文章介绍了硅中δ掺杂方面的研究新进展。     

改进中学物理实驗的看法和做法

加強实驗是当前物理教学的重要問題.許多物理教师在提高教学貭量、加強实驗方面作了很多工作,而且取得了一定的成績。以下就我們看到而仍須改进的一些方面和摸索的一些力法提供大家研究参考. 一、当前中学实驗教学中存在的一些問題 1.部分教师对加強物理实驗的意义认识不足.一方面輕視实驗,另一方面又害怕实驗.     

我国半导体物理研究进展

简单地回顾了近年来我国半导体物理研究的进展,它包括三个方面,半导体超晶格、微结构;半导体表面、界面和杂质、缺陷;以及半导体新材料、新结构,这些进展说明,半导体物理研究在当代物理学和高技术的发展中都占有突出的地位,它仍是一门年轻的、富有生命力的学科,预期在将来有更大的发展。     

半导体超晶格国家重点实验室诚聘英才

<正>中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室是以半导体物理研究为主的国家重点实验室,在半导体材料生长、器件加工、物理测试和理论研究方面有着非常雄厚的研究基础,20年来为我国在半导体领域的基础研究方面做出了突出的贡献。现计划在半导体自旋电子学、半导体材料与器件物理以及固态     

半导体超晶格国家重点实验室诚聘英才

<正>中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室是以半导体物理研究为主的国家重点实验室,在半导体材料生长、器件加工、物理测试和理论研究方面有着非常雄厚的研究基础,20年来为我国在半导体领域的基础研究方面做出了突出的贡献。现计划在半导体自旋电子学、半导体材料与器件物理以及固态     

半导体超晶格国家重点实验室诚聘英才

正中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室是以半导体物理研究为主的国家重点实验室,在半导体材料生长、器件加工、物理测试和理论研究方面有着非常雄厚的研究基础,20年来为我国在半导体领域的基础研究方面做出了突出的贡献。现计划在半导体自旋电子学、半导体材料与器件物理以及固态量子信息方面招聘人     

半导体超晶格国家重点实验室诚聘英才

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半导体超晶格国家重点实验室诚聘英才

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半导体超晶格国家重点实验室诚聘英才

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半导体超晶格国家重点实验室诚聘英才

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在原子核物理学中的蒙特卡罗方法

(一) 导言在原子核物理学中,我們常常碰到大量粒子(如光子、电子、中子等等)在某种介貭中迁移的問題。例如中子通过介貭产生慢化現象;在宇宙綫中,高能电子通过介貭产生級联簇射;在近代应用原于核物理学中,常常碰到光子或中子在介貭中的迁移問題:光子或中子从它們的