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1.
高性能环境友好型无铅压电陶瓷及其应用是当前压电材料研究的热点之一,为了探究其在水声换能器领域的应用潜力,该文对铌酸钾钠基无铅压电陶瓷和锆钛酸铅压电陶瓷纵振式换能器进行了对比研究。依据仿真结果优化结构尺寸,制作了两种换能器样机并测试了其在空气中和水中的电声性能。测试结果表明,铌酸钾钠基无铅压电陶瓷换能器的谐振频率为35kHz,最大发送电压响应为 151dB,声源级可达 190dB,在 26kHz~67kHz 的频率范围内发送电压响应的起伏不超过±4.5dB,谐振频率处-3dB 的指向性开角约为 76°。该无铅压电陶瓷换能器具有和锆钛酸铅压电陶瓷换能器相当的发射性能,有望推动无铅压电材料在水声换能器领域的应用进程。 相似文献
2.
分析了斜方相、四方相铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料的结构和X射线衍射图谱的特点. 对于铌酸钾钠基压电材料斜方相结构, 从构成晶胞的一个单斜原胞进行分析, 计算出X射线衍射谱上每个衍射角附近的衍射峰数目和相对强度. 提出了2θ在20°—60°范围内根据(1 0 2)衍射峰(52°附近)和(1 2 1)衍射峰(57°附近)劈裂的数目区分斜方和四方相的新方法. 对于多晶陶瓷粉末, 可以更简便的由22°(或45°)附近前后峰的相对高低来判断斜方、四方相.
关键词:
铌酸钾钠
无铅压电陶瓷
X射线衍射
相变 相似文献
3.
采用传统固相烧结工艺, 结合特殊的气氛控制技术,制备了铌酸钾钠(KNN)基无铅透明陶瓷 xBa(Sc0.5Nb0.5)O3-(1-x) (K0.5N0.5)NbO3 (简写xBSN-(1-x)KNN). 并对其微观结构、介电、铁电性能和光学透光率进行了研究. 结果表明该体系陶瓷具有准立方钙钛矿结构, 没有其他杂相, 晶粒大小与可见光波长相当, 高度致密, 无明显的晶界存在. 在 x=0.05时, d33最高可达到110 pC/N, 2Pr达到25.4 μC/cm2. 同时该材料具有良好的透明性, 在可见光范围内,透过率达到54%左右, 近红外2500 nm处,透过率接近83%, 是一种有望取代铅基透明陶瓷的环境友好型无铅透明陶瓷. 相似文献
4.
压电陶瓷作为一种能够实现机械能和电能相互转换的功能材料,在民用和军事方面都有着广泛应用.随着人们环保及健康意识的提高,高性能兼具环境协调性的无铅压电陶瓷的研究成为了一项紧迫任务.在众多无铅材料中,(K, Na)NbO3(KNN)基陶瓷因其优异的综合性能而受到关注,但是利用相界同时调控高压电和电卡性能的研究偏少.本文采用传统固相方法制备了0.944K0.48Na0.52Nb0.95Sb0.05O3-0.04Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5ZrO3-1.6%(AgxNa1–x)SbO3-0.4%Fe2O3(x=0—1.0)无铅压电陶瓷,重点研究了AgSbO3/NaSbO3对陶瓷相结构、压电和... 相似文献
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透明铁电陶瓷是一类具有电光效应的功能陶瓷,由于其兼具传统陶瓷耐高温、抗腐蚀、高硬度以及优异的机械性能等特性,从而成为光电领域中的关键材料.而当前应用较多的是对环境危害较大的铅基透明铁电陶瓷,因此开发兼具光效应和电效应的无铅透明铁电陶瓷成为研究热点之一.本文在铌酸钾钠基无铅压电陶瓷掺杂改性研究的基础上,采用传统的固相合成法,制备了铌酸钾钠基无铅透明铁电陶瓷(K0.5Na0.5)0.94–3x Li0.06Lax Nb0.95Ta0.05O3 (KNLTN-Lax; x=0, 0.01, 0.015, 0.02),并对其晶体结构、微观形貌、透过率和电学性能进行了研究分析.研究结果表明, La3+掺杂提高了铌酸钾钠基陶瓷的透过率,掺杂量x=0.02的陶瓷样品在可见光范围透过率达到50%,在红外光附近的透过率则接近60%. La3+掺杂量x=0.01时压电常数(d33)达到110 pC/N,机电耦合系数(kp)达到0.267.此外陶瓷样品具有明显的铁电体特征,居里温度高于400℃,呈现出理想的驰豫铁电体特征,是一种有望取代铅基透明铁电陶瓷的环境友好型无铅透明铁电陶瓷. 相似文献
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《物理学报》2021,(19)
压电陶瓷广泛用于驱动器、传感器等电子领域,但是目前主要使用的压电陶瓷是铅基陶瓷.基于保护环境和社会可持续发展的需要,无铅压电陶瓷的研发变得迫切.无铅压电陶瓷(K,Na)NbO_3(KNN)因具有较高压电常数和居里温度,而受到广泛关注.然而较差的温度稳定性限制了其应用.本文通过二步合成法制备了电学性能温度稳定的(1-x)(Na_(0.52)K_(0.48))_(0.95)Li_(0.05)NbO_3-xCaZrO_3(NKLN-xCZ)陶瓷,研究了CaZrO_3对KNN基陶瓷微结构及电学性能的作用.研究结果表明:适量CaZrO_3改善了样品烧结性能,得到了致密陶瓷.随CaZr O_3增加,NKLN-CZ陶瓷的三方相(R)-四方相(T)共存出现在组分为0.05 ≤x ≤0.06.x=0.05时,陶瓷样品不但具有高居里温度(T_c=373 ℃),而且表现出良好电学性能(d_(33)=198 pC/N,k_p=39%,ε_r=1140,tanδ=0.034,P_r=21μC/cm~2,E_c=18.2 kV/cm).此外,该陶瓷由于存在弥散R-T相变,导致其相变温度区间拓宽,因此,该陶瓷具有较好的电学性能温度稳定:在温度范围为-50—150 ℃,NKLN-0.05CZ陶瓷的k_p保持在34%—39% (k_p变化量≤13%). 相似文献
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采用氧化固相法制备了(1-x)(Bi0.5Na0.5)TiO3-xBa(Ti0.95Zr0.05)O3(BNT-BZT)陶瓷,其中掺入量x的值分别为0,0.04,0.05,0.06,0.07.研究了BNT-BZT体系陶瓷的准同型相界以及陶瓷材料的微观结构和性能之间的关系,并探讨了陶瓷的介电性能和铁电等性能.通过探究Ba(Ti,Zr)O3(BZT)掺杂量对BNT 各性能的影响得出了当掺杂量x=0.05得到结构较为致密,介电,铁电性能较好的样本,对工业化研究和生产有重要的意义 相似文献
10.
采用NbCl5作为先驱物,利用溶胶-凝胶法在Si(100)衬底上成功获得高度择优取向的铁电铌酸锶钡(SBN)薄膜.与用Nb(OC2H5)5作为先驱物的SBN薄膜相比,NbCl5配制的薄膜前驱溶液中含有一定数量的K离子.K离子的含量对SBN薄膜取向的影响存在一个最优值.二次离子质谱测试发现,K离子对SBN晶胞的溶入和对Si衬底的渗透能够同时使SBN晶胞和Si晶胞产生微小扭曲,从而起到调整薄膜与衬底的匹配关系,并最终促使SBN薄膜c轴高度择优取向的生长.测试了薄膜的光学特性.
关键词:
铌酸锶钡
溶胶-凝胶方法
择优取向 相似文献
11.
研究并比较了两种不同(Ba0.5,Sr0.5)TiO3(BSTO)薄膜介电-温度特性.采用脉冲激光沉积技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备BSTO薄膜,发现制备条件的不同,可以得到介电性质完全不同的BSTO薄膜.在550℃和氮气氛下制备的BSTO薄膜在常温下具有很高的介电常数,在10kHz下,超过2500,并在200K温度以上介电常数基本不变.它的一些电学性质不同于在正常条件(650℃和氧气氛下)制得的BSTO薄膜,而类似于目前广泛报道的巨介电常数材料如CaCu3Ti4O12.两种薄膜介电性质测试结果表明: 氧气氛下制备的BSTO薄膜呈现铁电-顺电相变,符合居里-外斯定律;低温氮气氛下制备的BSTO薄膜,介电弛豫时间和温度的关系符合德拜模型,是热激发弛豫.文中给出了产生这种介电特性的初步解释. 相似文献
12.
通过射频磁控溅射在氧化硅片表面沉积ZnO/Au薄膜,并通过不同的热处理方式对薄膜进行退火。为了研究退火对ZnO/Au薄膜结构和压电特性的影响,采用X射线衍射分析(XRD)、光学显微镜、场发射扫面电镜(FESEM)和压电力分析仪对薄膜退火前后的材料特性进行了分析。研究发现,热处理能够改善ZnO/Au薄膜的结晶质量。特别是在氮气保护氛围下慢速退火后,薄膜结晶质量有明显改善。但是,热处理导致了薄膜的压电系数d33和d31降低。分析认为,热处理过程中Au原子在ZnO中的易迁移特性破坏了ZnO/Au薄膜的压电性能。 相似文献
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用直流磁控溅射技术在石英基片上制备不同厚度(5nm~114nm之间)的铬膜.使用X射线衍射仪和分光光度计分别检测薄膜的结构和光学性质,利用德鲁特模型和薄膜的透射、反射光谱计算铬膜的厚度和光学常量,并采用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质.结果表明:制备的铬薄膜为体心立方的多晶态,随着膜厚的增加,薄膜的结晶性能提高,晶粒尺寸增大;在可见光区域,当膜厚小于32nm时,随着膜厚的增加,折射率快速减小,消光系数快速增大,当膜厚大于32nm时,折射率和消光系数均缓慢减小并逐渐趋于稳定;薄膜电阻率随膜厚的增加为一次指数衰减. 相似文献
14.
Effects of Li Substitution and Sintering Temperature on Properties of Bi0.5(Na,K)0.5TiO3 Lead-Free Piezoelectric Ceramics 下载免费PDF全文
Bi0.5 (Na0.72K0.28- x Lix )0.5 TiO3 (BNKLT- 100x) lead-free piezoelectric ceramics are synthesized by conventional solid state sintering techniques. The dielectric and piezoelectric properties of the BNKLT-100x ceramics as a function of Li content are systematically investigated. It is found that not only Li content but also the sintering temperature has a strong effect on the piezoelectric properties of BNKLT. The piezoelectric constant d33 Of BNKLT varies from 120 to 252pC/N in the Li content range from 0.03 to 0.16. In the sintering temperature range from 1080 to 1130℃, the d33 value of BNKLT-6 changes from 200pC/N to 252pC/N. The BNKLT-6 sample sintered at 1100℃ has the highest piezoelectric constant d33 of 252pC/N, with the electromechanical coupling factors kp of 0.32 and kt of 0.44. 相似文献
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用作电致变色器件的LiNbO_3离子导体薄膜的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用射频溅射方法制备用作电致变色器件的LiNbO3薄膜,利用频率外推法和Wangner极化法对所沉积的LiNbO3离子导体薄膜的离子电导率进行了测试和计算,给出了薄膜的光谱特性,分析和讨论了薄膜制备工艺对薄膜结构和离子电导率的影响和作用。 相似文献
16.
研究并比较了两种不同(Ba0.5,Sr0.5)TiO3(BSTO)薄膜介电-温度特性.采用脉冲激光沉积技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备BSTO薄膜,发现制备条件的不同,可以得到介电性质完全不同的BSTO薄膜.在550℃和氮气氛下制备的BSTO薄膜在常温下具有很高的介电常数,在10kHz下,超过2500,并在200K温度以上介电常数基本不变.它的一些电学性质不同于在正常条件(650℃和氧气氛下)制得的BSTO薄膜,而类似于目前广泛报道的巨介电常数材料如CaCu3Ti4O12.两种薄膜介电性质测试结果表明: 氧气氛下制备的BSTO薄膜呈现铁电-顺电相变,符合居里-外斯定律;低温氮气氛下制备的BSTO薄膜,介电弛豫时间和温度的关系符合德拜模型,是热激发弛豫.文中给出了产生这种介电特性的初步解释.
关键词:
薄膜
脉冲激光沉积
介电弛豫 相似文献
17.
利用射频磁控溅射技术在LaNiO_3/SiO_2/Si基底上制备了Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3/CoFe_2O_4和Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-Pb TiO_3/Co Fe_2O_4/Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3两种复合薄膜.我们采取了三种退火条件对复合薄膜进行退火处理,研究两种复合薄膜的晶体结构、电学和磁学性能.通过对两种复合薄膜的结构的分析,发现两步法退火后得到复合薄膜同时存在纯钙钛矿相和尖晶石相两种结构.铁电性能测试表明,两种复合薄膜均具有较好的铁电性能,其中三层复合薄膜的剩余极化强度Pr最大可以达到14.9μC/cm2,这要归因于多层复合薄膜内部的应力-应变效应和界面耦合效应.在电场强度为80 k V/cm的漏电流密度数量级仅10-5A/cm2,其导电机制在高电场区满足Schottky机制.介频性能测试表明:复合薄膜的介频特性较差,双层复合薄膜的介电性能较好,其介电常数εr为1078,其介电损耗tgδ较大,约为0.43.此外,对复合薄膜的磁滞回线测试表明:两种复合薄膜中均存在磁学性能,且双层结构复合薄膜的铁磁性能较大,其饱和磁化强度Ms为119 emu/cm3,剩余磁化强度Mr达到31.6 emu/cm3,矫顽场Hc为1360 Oe.以上测试结果表明,铁电有序和磁有序可以存在于钙钛矿-尖晶石结构当中,通过多层复合和合适退火方式可以增强其铁电和介电性能. 相似文献
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在 SrTiO3 (001 ) 衬 底 上 生 长 SrRuO3 后, 外 延 生 长 的 0. 95 ( K0 .49 Na0 .49Li0 .02 ) ( Ta0 .02 Nb0 .8 ) O3 -0.05CaZrO3 (额外掺杂了2 wt% MnO2 ) 无铅铁电薄膜 ( 简称 KNNLT-CZM) 被系统研究. X 射线衍射结果说明KNNLT-CZM 薄膜具有较高的质量. X 射线光电子能谱 (XPS) 表明部分 K 元素没有进入 KNNLT-CZM 钙钛矿结构晶格中, Mn 元素主要以 Mn2 + 形式存在. 变温电滞回线(P-E) 表明 KNNLT-CZM 薄膜在78 K 到300 K 范围内都拥有极好的铁电性. 以上结果表明此类薄膜在电子器件应用方面具有极大的潜力. 相似文献
19.
钴掺杂氧化锌是室温稀磁半导体的重要候选材料,其磁学特性和钴掺杂浓度、显微结构及光学性质密切相关。磁控溅射具有成本低、易于大面积沉积高质量薄膜等特点,是广受关注的稀磁半导体薄膜制备方法。利用磁控溅射方法制备了不同浓度的钴掺杂氧化锌薄膜,并对其显微结构、光学性质和磁学特性进行了系统分析。结果表明:当掺杂原子分数在8%以内时,钴掺杂氧化锌薄膜保持单一的铅锌矿晶体结构,钴元素完全溶解在氧化锌晶格之中;薄膜在可见光区域有很高的透射率,但在567,615和659nm处有明显吸收峰,这些吸收峰源于Co2+处于O2-形成的四面体晶体场中的特征d-d跃迁。磁学特性测试结果表明钴掺杂氧化锌薄膜具有室温铁磁性,且钴的掺杂浓度对薄膜的磁学特性有重要影响。结合薄膜结构、光学和电学性质分析,实验中观察到的室温铁磁性应源于钴掺杂氧化锌薄膜的本征属性,其铁磁耦合机理可由束缚磁极化子模型进行解释。 相似文献
20.
利用射频磁控溅射技术在LaNiO3/SiO2/Si基底上制备了Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3/CoFe2O4和Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3/CoFe2O4/Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3两种复合薄膜.我们采取了三种退火条件对复合薄膜进行退火处理,研究两种复合薄膜的晶体结构、电学和磁学性能.通过对两种复合薄膜的结构的分析,发现两步法退火后得到复合薄膜同时存在纯钙钛矿相和尖晶石相两种结构.铁电性能测试表明:两种复合薄膜均具有较好的铁电性能,其中三层复合薄膜的剩余极化强度Pr最大可以达到14.9 μC/cm2,这要归因于多层复合薄膜内部的应力-应变效应和界面耦合效应.在电场强度为80kV/cm的漏电流密度数量级仅10-5A/cm2,其导电机制在高电场区满足Schottky机制.介频性能测试表明:复合薄膜的介频特性较差,双层复合薄膜的介电性能较好,其介电常数εr为1078,其介电损耗tgδ较大,约为0.43.此外,对复合薄膜的磁滞回线测试表明:两种复合薄膜中均存在磁学性能,且双层结构复合薄膜的铁磁性能较大,其饱和磁化强度Ms为119 emu/cm3,剩余磁化强度Mr达到31.6 emu/cm3,矫顽场Hc为1360 Oe. 以上测试结果表明,铁电有序和磁有序可以存在于钙钛矿-尖晶石结构当中,通过多层复合和合适退火方式可以增强其铁电和介电性能. 相似文献