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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
巴图  何怡贞 《物理学报》1980,29(6):698-705
本文利用化学浸蚀方法,在400—900℃的温度范围内,在0.35—13kg·mm-2的应力条件下,测量了硅晶体中单个位错的运动速度。实验结果表明,位错运动速度V(τ,T)作为温度(T)和分解切应力(τ)的函数,满足如下方程:V(τ,T)=Aτme-Q/(KT)。式中m=1.02—1.49,Q=1.96—2.07eV。最后,把实验结果与扩展位错的弯结模型作了比较。 关键词:  相似文献   

2.
麦振洪  马碧春 《物理学报》1989,38(8):1344-1347
应用X射线形貌技术研究了掺In和不掺In 砷化稼单晶的滑移位错. 观察到由于位错密度不同, 其滑移位错的组态不同。对滑移位错和胞状网络进行了初步的理论解释. In 和不掺In 砷化稼单晶的滑移位错. 观察到由于位错 对滑移位错和胞状网络进行了初步的理论解释. 关键词:  相似文献   

3.
应用X射线形貌技术研究了掺In和不掺In砷化镓单晶的滑移位错。观察到由于位错密度不同,其滑移位错的组态不同。对滑移位错和胞状网络进行了初步的理论解释。 关键词:  相似文献   

4.
李志远  甘霖 《光学学报》2011,(9):166-180
硅材料在红外通讯波段具有低损耗和高折射率的特性,使得其成为集成光学领域中应用最广的材料之一.主要介绍了本课题组在二维硅基平板光子晶体中实现微纳尺度上光调控的研究进展,讨论了利用光子晶体的缺陷态实现各种集成光学器件,包括光子晶体波导、微腔和利用光子晶体波导和微腔形成的滤波器.还介绍了光子晶体中特殊的光折射现象,包括红外波...  相似文献   

5.
王雪华  顾本源 《物理》2005,34(1):18-20
对非均匀电磁系统中原子的Lamb移位导出一个普适的理论公式,发现对Lamb移位的主要贡献来自实光子的吸收和再辐射过程,这打破了自1947年以来一直被人们所认同的传统概念,即在均匀空间中,Lamb移位主要来自虚光子的吸收和再辐射过程.对光子晶体,文章作者预言了巨Lamb移位效应.对原子集合,进一步发现依赖位置的Lamb移位将使一个能级扩展成一个能带,就像原子气体中依赖速度的多普勒效应一样.  相似文献   

6.
介绍了光集成器件和MOEMS中硅材料和衍射光学元件的应用。在此基础上分析了硅基衍射光学元件在光集成器件和MOEMS中的重要地位;描述了几种常见形态的硅基衍射光学元件,简单分析了难于获得垂直于硅基底的衍射光学元件的原因。  相似文献   

7.
硅晶体中点缺陷结合过程的分子动力学研究   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
乔永红  王绍青 《物理学报》2005,54(10):4827-4835
采用分子动力学方法模拟研究了硅晶体中的空位和间隙原子的结合过程. 研究中采用了Stilliger-Weber三体经验势描述原子间的相互作用, 系统分别在低温300K和高温1400K进行弛豫. 计算中发现空位和间隙原子倾向于通过<111>方向结合,而<110>方向上存在着势垒. 通过势垒值的计算, 对Tang和Zawadzki势垒计算值的差异进行了解释. 关键词: 分子动力学 空位与间隙原子 扩散  相似文献   

8.
利用X射线投影貌相术观察和分析了硅蹼中的位错和层错。在生长态硅蹼中,除观察到柏氏矢量为1/2<110>的刃型、螺型与60°全位错以及柏氏矢量为1/6<112>的Shockley刃型半位错外,还观察到平行于硅蹼表面的大面积层错和蹼中的60°,30°Shockley半位错。位错在热处理过程中运动并发生位错反应形成近六角形的位错网络。热处理改变生长态硅蹼中层错的组态和衬度,并由于杂质聚集破坏了Shockley半位错的消象法则。还观察到层错象中的位错。对所观察的结果都分别作了分析和简要的讨论。 关键词:  相似文献   

9.
 这里介绍的压电晶体四硼酸锂(Li2B4O7,缩写为LBO),是80年代发现的新型压电材料.由中科院上海硅酸盐所范世(马岂)研究员领导的研究组,屏弃国际上一直沿用的提拉法,独创了硼酸盐单晶坩埚下降法生长技术,成功地生长出大尺寸LBO单晶(φ78×100mm).1989年8月,被第九届国际晶体生长会议公认为国际领先水平.1990年7月,通过中科院组织的专家鉴定.  相似文献   

10.
一、引 言 任何半导体器件的设计都是以其使用目的来决定的.对于半导体太阳能电池,只有一种共同的用途,即把太阳光转换为电能.但是,各种具有不同特殊用途的太阳能电池的最有效的器件设计,则是各不相同的 最初,太阳能电池是为了供给人造卫星和运载卫星所需要的电能.高质量的单晶  相似文献   

11.
周耐根  周浪  杜丹旭 《物理学报》2006,55(1):372-377
用分子动力学方法对5%负失配条件下面心立方晶体铝薄膜的原子沉积外延生长进行了三维模拟.铝原子间的相互作用采用嵌入原子法(EAM)多体势计算.模拟结果再现了失配位错的形成现象.分析表明,失配位错在形成之初即呈现为Shockley扩展位错,即由两个伯格斯矢量为〈211〉/6的部分位错和其间的堆垛层错组成,两个部分位错的间距、即层错宽度为1.8 nm,与理论计算结果一致;外延晶体薄膜沉积生长中,位错对会发生滑移,但其间距保持稳定.进一步观察发现,该扩展位错产生于一种类似于“局部熔融-重结晶”的表层局部无序紊乱- 关键词: 失配位错 外延生长 薄膜 分子动力学 铝  相似文献   

12.
采用精细化设计方法,进行了菲涅耳区衍射光学束匀滑器件的设计,利用爬山-模拟退火混合优化算法,获得了真实的束匀滑分布,不仅控制了算法采样点上的光强分布,还控制了其他非采样点上的光强分布。优化得到的束匀滑器件的位相深度小于π,易于后续加工。  相似文献   

13.
黄亨吉  善甫康成 《物理学报》1984,33(9):1227-1239
本文讨论硅晶体中由〈110〉螺位错引起的电子散射,用紧束缚近似只考虑s电子和p电子。用长波近似只考虑Γ附近的电子散射。此散射近似地服从基尔霍夫-惠更斯形式的积分方程。用规范变换和格林函数方法解出了散射方程。确认了在硅复杂能带的情况下也同单一能带的情况一样,在位错的下游侧出现电子波播及不到的影子。 关键词:  相似文献   

14.
 采用精细化设计方法,进行了菲涅耳区衍射光学束匀滑器件的设计,利用爬山-模拟退火混合优化算法,获得了真实的束匀滑分布,不仅控制了算法采样点上的光强分布,还控制了其他非采样点上的光强分布。优化得到的束匀滑器件的位相深度小于π,易于后续加工。  相似文献   

15.
运用分子动力学方法,研究了金属铜单晶中不同形状的Frank位错环演化形成的各种类层错四面体稳定构型.对其形成过程的细致分析表明,这些稳定构型都可以用统一的位错分解和位错反应过程来解释.模拟结果表明,在零温下各种Frank位错环存在各自的临界尺寸,小于临界尺寸的Frank位错环不能长成类层错四面体结构.对梯形、六边形等Frank位错环演化过程的模拟表明,在形成稳定类层错四面体的过程中,存在位错生长和回缩的振荡现象.振荡现象是由于位错间的排斥和吸引相互作用不同步或弹性波传播的延迟效应引起的. 关键词: 层错四面体 位错 分子动力学  相似文献   

16.
万威  唐春艳  王玉梅  李方华 《物理学报》2005,54(9):4273-4278
借助高分辨电子显微像结合解卷处理的方法研究了GaN晶体中的堆垛层错.简要介绍了高分辨电子显微像的解卷处理原理,指出通过解卷处理可以把本来不直接反映待测晶体结构的高分辨电子显微像转换为直接反映晶体结构的图像.用高分辨电子显微像观察了GaN晶体中的堆垛层错,对高分辨电子显微像作了解卷处理.在解卷像上清晰可见缺陷核心的原子排列情况,据此确定了层错的类型.此外,还讨论了解卷处理在研究晶体缺陷中的效用. 关键词: GaN 晶体缺陷 高分辨电子显微学 解卷处理  相似文献   

17.
18.
武佩  胡潇  张健  孙连峰 《物理学报》2017,66(21):218102-218102
石墨烯是一种由单层碳原子紧密排列而形成的具有蜂窝状结构的二维晶体材料,特殊的结构赋予了其优异的性能,如高载流子迁移率、电导率、热导率、力学强度以及量子反常霍尔效应.由于石墨烯优异的特性,迅速激起了人们对石墨烯研究以及应用的热情.石墨烯沉积或转移到硅片后,其器件构建与集成和传统硅基半导体工艺兼容.基于石墨烯的硅基器件与硅基器件的有机结合,可以大幅度提高半导体器件的综合性能.随着石墨烯制备工艺和转移技术的优化,硅基底石墨烯器件将呈现出潜在的、巨大的实际应用价值.随着器件尺寸的纳米化,器件的发热、能耗等问题成为硅基器件与集成发展面临的瓶颈问题,石墨烯的出现为解决这些问题提供了一种可能的解决方案.本文综述了石墨烯作为场效应晶体管研究的进展,为解决石墨烯带隙为零、影响器件开关比的问题,采用了量子限域法、化学掺杂法、外加电场调节法和引入应力法.在光电器件研究方面,石墨烯可以均匀吸收所有频率的光,其光电性能也受到了广泛的关注,如光电探测器、光电调制器、太阳能电池等.同时,石墨烯作为典型的二维材料,其优越的电学性能以及超高的比表面积,使其作为高灵敏度传感器的研究成为纳米科学研究的前沿和热点领域.  相似文献   

19.
 采用爬山-模拟退火混合优化算法,选取合适的权重因子,改善了衍射光学束匀滑器件的设计性能,其顶部不均匀性小于1%,能量利用率优于95%。采用旋转镂空掩模板,加工出Φ 180的束匀滑器件,并进行了实验研究,获得了较好的束匀滑光强包络。为获得真实的束匀滑分布、改善顶部均匀性、提高抗波前畸变宽容度,选取特定的焦面采样间隔进行了精细化设计。  相似文献   

20.
 模拟分析了光谱色散匀滑技术对衍射光学器件束匀滑性能的影响。光谱色散匀滑技术的使用提高了衍射光学器件的抗波前畸变能力,降低了对加工精度的高要求。光谱色散匀滑技术与衍射光学器件的联用有望满足惯性约束聚变对束匀滑性能的高要求。  相似文献   

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