电路模型的改进及若干相应结果

指出1段导线可以采用注上3个非负常数L,R，Q或分式（LP^2＋RP＋Q）／p的1段有2个端点的简单曲线来表示，且L恒≠0；可定义电路为有限条导线串并联而成的组件，使电路图可相应简化．提出用等价电路来简化电路的概念，从而得出用电路图来计算拉氏阻抗的较直观简洁的新方法，并证明了在任何电路中都存在拉氏阻抗，并且是个分子次数比分母次数高1的分式；也证明了拉氏电位降定理中的L{u（t）}=ZL{i（t）}可加强为L^s{u（t）}=ZL{i（t）}，其中L^s{u（t））则为u（t）的强拉氏变象．同时也证明了空载电路中电流可通过电路特征表达电路特征定理，即i（t）=g（t）·ue（t）=∫0^1g（t—τ）ue（t）dτ，而ue（t）为外接电动势两端之电位差，g（t）=L^-1{Z^-1}为拟连续、缓增的函数，也被称为电路的电路特征；又证明了电路特征测定定理ue（t）=δ0（t）时，i（t）即为g（t），并且电路特征定理和测量定理对一切电路均成立．     

收缩到一点的一类曲线流

处理由偏微分方程描述的新的平面曲线流：DX/Dt=β（k）N，X（μ，0）=X0（μ），当初始曲线X0（μ）是凸的Jordan曲线和β(k)满足适当的条件时，应用偏微分方程中的最大值原理和先验估计，证明了发展曲线的周长和面积同时收缩，最终它们都收缩到一点。     

某类高阶线性微分方程解的增长性

研究了线性微分方程f^（k）＋ak-1（z）e^pk-1（z）f（k-1）＋…＋A0（z）e^Po（x）f=0及其相应的非齐次线性微分方程解的增长性．在一定条件下，得到了其解的级及零点收敛指数的精确估计。     

高阶动态电路的Matlab仿真

求解动态电路一般是列微分方程,解微分方程.但高阶或复杂的电路,用求解微分方程的方法比较困难,所以对于高阶及复杂的动态电路的分析多用运算法求解.运算法的方程是符号＂S＂的函数,本文介绍了用Matlab软件解符号方程的方法,并给出了仿真图.     

关于中立型泛函微分方程的一致渐近稳定性判别的两个定理

本文利用Ｌｙａｐｕｎｏｖ泛函方法和Ｐａｚｙμｘｕｈ函数方法的基本思想，将文（２）中某些结构推广到中立型泛函微分方程，得到中立型泛函微分方程的一致渐近稳定性的两个判别定理。     

一类二阶非线性偏微分方程Baecklund变换的分类

讨论形如ut=F（u,ux,uxx）的非线性偏微分方程由可积系统vx=P（v,u,ux）,vt=Q（v,u,ux）定义的Backlund变换u→v分类问题,证明了这样的非线性偏微分方程只能是Burgers方程ut=uxx＋2uux,而相应的可积系统是vx=（λ＋v）（u-v）,vt=（λ＋v）（u2＋ux-uv）-λ（λ＋v）（u-v）,其中λ是任意常数.     

一类三阶非线性积分微分方程三点边值问题的奇摄动解

利用微分不等式的方法，研究三阶积分微分方程三点边值问题：εｘ＾ｍ（ｉ）＝ｆ（ｔ，Ｔｘ，ｘ，ｘ＇，ε）０≤ｉ≤１ ｘ＇（ｏ）＝Ａｘ（θ）＝Ｂｘ＾ｎ（１）＝Ｃ其中：ε＞０是小参数；θ是介于０与１之间的常数；［Ｔｘ］（ｔ）＝Ｅ＋∫＾ｔｘ（τ）ｄｒ，Ｅσ，Ｅ为常数。证明了解的存在性，并给出解的浙的估计式。     

一类Duffing型微分方程周期解的存在性

本文研究二阶微分方程在周期一边界条件之下解的存在性．仅仅借助Ｌｅｒａｙ－Ｓｃｈａｕｄｅｒ的一个不动点定理，在允许ｇ（ｕ）超线性增长的情况下，我们得到了一个问题（１）（２）的周期解的存在性定理．     

索伯列夫空间及其应用

索伯列夫（Sobolev）空间是以苏联数学家的姓来命名的一类函数空间．它是专门研究由多个实变量的弱可微函数组成的某些Banach空间的各种性质，这类函数空间为偏微分方程的理论研究提供了重要的工具，也是现代偏微分方程理论研究的基础之一．本文重点介绍了Sobolev空间的性质，其中包括最重要的嵌入定理和迹定理，作为预备知识，首先介绍广义函数．     

外噪声下马尔萨斯系统随时间的演化

采用微分方程的李群方法，研究了外噪声影响下的马尔萨斯系统对应的福克-普朗克方程，得出了含时间概率密度P（x,t）的严格表达式；讨论了最可几值x随时间的变化。并讨论了此时的最可几值x与确定性描述的区别。     

基于单稳态定时偏差的高识别性PUF电路设计

通过对单稳态电路定时偏差和物理不可克隆函数(physical unclonable functions,PUF)电路的研究,提出了一种基于单稳态定时偏差的高识别性PUF电路设计方案.首先,分析单稳态定时电路的自我标识物理特性,提出长定时单稳态电路设计方法;然后,利用该单稳态电路产生的定时偏差信号以及激励信号控制数据选择器选择2个定时偏差信号,结合仲裁器判决唯一的、不可克隆的输出响应.采用TSMC 65nm CMOS工艺,在不同环境下对设计的PUF电路进行Monte Carlo仿真,分析其识别性、可靠性等特性.实验结果显示,所设计的PUF电路识别性可达99.82%,且误码率为2.7%.     

基于TCM电路的抗温度漂移老化传感器设计

结合电路老化检测原理与温度补偿方法(Temperature Compensation Method, TCM), 提出了一种具有抗温度漂移特性的老化传感器电路方案. 该方案首先根据晶体管的温度补偿, 设计温度不敏感的TCM延迟单元; 然后结合被测组合电路的老化冗余时间, 利用TCM延迟单元级联方式实现参考老化延迟电路; 最后将老化延迟检测电路的输出和参考延迟电路的输出进行时序比较, 判断电路是否处于老化状态. 在SIMC 65nm CMOS工艺下仿真验证, 结果表明所设计的老化传感器功能正常, 在-40~120℃之间稳定性达到98％.     

基于Pipelined结构的电流型CMOS模数转换器电路设计

低功耗设计在当前超大规模集成电路中越来越重要.以电流信号为转换对象,利用电流传输理论,结合电流型CMOS电路设计技术,设计了8位基于Pipelined结构的ADC电路.结果表明,利用电流型CMOS电路可方便地实现电流信号的加减与放大运算,避免了使用传统Pipelined电路结构中的运算放大器电路,因此电路结构简单,可显著降低电路的功耗,提高转换速度,计算机仿真结果表明,电路功能正确.     

基于忆阻器的SIMON轮函数电路设计

忆阻器由磁通量、电荷、电压、电流之间关系对称性推导得出, 被认为是继电阻、电容、电感之后的第四大无源元件, 具有记忆功能和非易失性等特点. 通过对忆阻器工作原理和电路模型的研究, 提出了基于忆阻器的SIMON轮函数电路设计方案. 该方案首先分析忆阻器模型结构和SIMON算法, 设计基于忆阻器的与、或、非门电路; 并在此基础上实现基于忆阻器的SIMON轮函数电路, 利用忆阻器的非易失性特性实现断点记忆功能; 最后在Cadence Virtuoso环境下, 仿真验证所设计电路的断电保存功能. 与传统CMOS电路比较, 基于忆阻器的SIMON轮函数电路减少了27.8%的元器件数量, 低功耗特性明显.     

基于pt100的温度测控实验装置的开发与应用

本文介绍了pt100作为温度传感器件的温度测控实验装置的开发与应用．该装置能够实现在恒温箱中进行的温度测控实验,可用于展示温度测量与控制的全过程．同时包含了信号检测、转换、处理和控制等电路．是一个开发综合性实验的范例．     

程控数字交换机计费系统电路设计

针对实际的程控数字交换机计费系统，设计了一种在计算机和程控数字交换机之间进行并行通信的接口电路．该接口电路由大规模集成电路器件构成．对其硬件电路组成及工作原理作了较为详细的阐述，对计算机数据接收程序的设计也作了必要的说明，并给出了程序流图．     

直流电机无速度传感器闭环控制系统设计

提出一种利用直流电机运转过程中的反电动势作为反馈参数的控制方案,采用分时产生PWM输出的方法,实现了直流电机无速度传感器闭环控制系统.该系统由主控电路、功率驱动电路、采样电路、过流保护电路等模块组成.经验证,该系统调速精度高、简单可靠、经济实用,可供直流电机速度控制系统设计参考.     

门级电路自动测试向量生成技术原理

集成电路的飞速发展使得测试的难度不断增加,而ATPG技术在测试向量产生方面具有重要的意义,本文对该技术的发展及其所采用的方法进行了系统地介绍和分析.针对门级的组合电路和时序电路的ATPG方法具有许多相似之处,但也同时存在各自的特点,在文中,对这两类电路的方法进行了仔细的比较、区分.     

基于CNFET的低功耗三值门电路设计

通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)的研究,提出一种基于CNFET的低功耗三值门电路设计方案.该方案在分析CNFET结构及其不同尺寸的碳纳米管对应于不同阈值电压特性的基础上,以多值逻辑理论为指导,设计基于CNFET的三值反相器、与非门、或非门等单元门电路,最后利用HSPICE对所设计的电路进行仿真.结果表明:所设计电路具有正确的逻辑功能,与传统三值门电路相比,三值CNFET门电路平均传输速度提高52.7%,平均能耗节省54.9%.