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相似文献
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1.
许顺生 《物理》1979,8(4):0-0
一、引言X射线衍射貌相术(简称X射线貌相术)是利用X射线在晶体中衍射的动力学及运动学衍衬原理,根据晶体中完整及非完整部分衍射的衬度变化及消光规律,来检查晶体材料及器件表面和内部微观结构缺陷的一种方法.随着半导体、激光等科学技术的发展和近完整晶体材料的大量使用,自五十年代末期以来,X射线貌相术的实验和理论有了很大发展,逐渐形成为一种有效的检验手段和一门分支学科[1-3].X射线貌相术具有下列一?...  相似文献   

2.
在本刊已发表的另一篇文章中,我们已经介绍了X射线貌相术的一些基本原理、实验方法和发展动向[1].本文将就晶体缺陷方面的几个问题。附以少量貌相图,简单地介绍我们近年来在这方面的部分工作,用以说明这门科学技术的某些实际应用.一、长程应力场的观察晶片受到机械损伤、剧烈的热起伏、强烈的点阵错配,或者在界面不连续处由于热膨胀系数不同等原因,都会使晶片在较大的范围内产生局部的弹性弯曲畸变,造成长程应力场.....  相似文献   

3.
用X射线透射扫描形貌方法研究了LiNb0_3晶体中的包裹物和位错。在实验中发现了包裹物的相应于不同衍射矢量的X射线形貌与基于各向同性理论预言的形貌之间存在分歧,这被解释为弹性各向异性效应。同时还观察到Burgers矢量为最短点阵平移矢量1/3的纯刃型位错和次短点阵平移矢量1/3<0111>的纯螺型位错,以及由该螺型位错组成的纯扭转晶界。  相似文献   

4.
利用X射线双晶衍射方法,对从同一Si(111)基片上切割的两块样品,在不同电解电流密度下,腐蚀形成的多孔硅层相对于基体硅的晶格畸变进行了分析。这两块样品晶格的畸变明显不同。其中电流密度较小的样品畸变较大,其多孔硅层对于基体硅在垂直和平行于晶体表面的方向上,晶格有不同程度的膨胀,搁置一段时间后,两者晶格渐渐匹配,但存在着弯曲。两者的(111)晶面取向亦有偏差。电流密度较大时多孔硅层较厚,其双晶反射强度很低,且弥散地迭加在基体硅反射峰上。  相似文献   

5.
洪晶  叶以正 《物理学报》1965,21(12):1968-1976
本文用化学侵蚀法显示了硅晶体印压产生的位错。测量了在不同温度、不同切应力下“花结”上刃型(或60°)位错的运动速度。设位错运动是热激活的,激活能为~2.94eV.比较了900℃下刃型(或60°)位错及螺型位错的速度,后者较小。在不同样品上进行速度的测定,说明原生位错对形变位错运动有阻碍作用。观察到原生位错和晶界位错在外加力作用下的增殖,对位错在增殖中的速度进行了测量。讨论了本工作所用的实验方法,并分析了影响速度测量值的某些因素。  相似文献   

6.
许顺生、冯端主编的《X射线衍衬貌相学》是大家盼望已久的一本好书,现在终于出版了.这本书分理论、实验技术、设备、分析方法和应用几个方面,由这几方面的国内专家分别撰写.全书既有专题性,又有系统性,前后连贯,是国内这个领域内的第一本权威著作. X射线貌相学,自从1943年Barrett能从衍衬象中看到更多细节之后,引起了人们的注意. 五十年代后期,高质量的近完整晶体研制成功并被深入研究,因此能直接观察各种缺陷又不破坏试样的X射线貌相方法得到了进一步发展.1958年左右,Lang和 Borrmann分别发展了投影貌相术和异常透射貌相术;Bonse与 Kap…  相似文献   

7.
本文利用非平衡分子动力学方法研究了位错和堆垛层错对氮化镓晶体热导率的影响。研究结果表明氮化镓中刃型位错的存在不仅对垂直位错线方向的热量传输有影响,也对平行于位错线方向有较大影响。本文利用非平衡分子动力学方法对氮化镓晶体中小角度晶界、晶界c面(0001)堆垛层错以及a面(1210)面堆垛层错结构的界面热阻进行了计算,并且研究了氮化镓晶体中c面堆垛层错的界面热阻的变化规律。研究结果表明氮化镓晶体中c面堆垛层错的界面热阻随着层错厚度的增加而增大,随着体系长度的增大而减小。  相似文献   

8.
用X射线透射扫描形貌方法研究了LiNb03晶体中的包裹物和位错。在实验中发现了包裹物的相应于不同衍射矢量的X射线形貌与基于各向同性理论预言的形貌之间存在分歧,这被解释为弹性各向异性效应。同时还观察到Burgers矢量为最短点阵平移矢量1/3的纯刃型位错和次短点阵平移矢量1/3<0111>的纯螺型位错,以及由该螺型位错组成的纯扭转晶界。 关键词:  相似文献   

9.
我们在有和无离子束辅助两种情形下,在双轴织构Ni基底上制备了CeO2薄膜,结果表明,无离子束辅助沉积时,薄膜表现出(111)取向,在离子能量为240eV,束流为200μA/cm2,基片温度为360℃的条件下沉积的CeO2薄膜呈现出良好的立方织构.另外,我们分析了薄膜应力随温度和离子辅助条件的变化关系,结果表明,离子束轰击可以减小薄膜应力,在360℃附近薄膜应力几乎被完全弛豫.  相似文献   

10.
刘振茂  王贵华  洪晶  叶以正 《物理学报》1966,22(9):1077-1097
用化学侵蚀法研究了在机械应力和热应力作用下硅中位错的增殖和非均匀成核。结果表明,在使位错增殖和成核作用上,热应力同机械应力是等效的。硅中小角晶界中的位错,原生孤立位错都能成为位错源;晶体内部的缺陷及表面蚀斑处的应力集中能够引起位错成核;硅中螺型位错能够通过交叉滑移机制发生增殖。对新生位错环空间分布的研究表明,Frank-Read机制可能是位错增殖的主要形式。位错能否发生增殖,主要决定于位错源所受分切应力的数值、晶体温度、位错本身的结构特点以及钉扎情况等。  相似文献   

11.
滕凤恩  王煜明 《物理学报》1989,38(1):118-123
本文是文献[1]的续篇。对于原A,B,C三种样品在已测得Deff,ρ,M,Re和(E/V)的基础上,又分别测出了抽出型、插入型和孪生层错几率α′,α″和β以及层错能γ,真正晶块大小D0关键词:  相似文献   

12.
本文利用X射线截面形貌术、限区形貌术、回摆形貌术以及扫描电子显微镜等方法研究了硅单晶中一个片状沉淀物,确定其组态及在晶体内的位置,并对其形成作了简略的分析。 关键词:  相似文献   

13.
应用X射线形貌技术研究了掺In和不掺In砷化镓单晶的滑移位错。观察到由于位错密度不同,其滑移位错的组态不同。对滑移位错和胞状网络进行了初步的理论解释。 关键词:  相似文献   

14.
洪晶  王贵华  刘振茂  叶以正 《物理学报》1964,20(12):1254-1267
通过实验肯定了硅单晶的化学侵蚀定向方法,找出抛光液的最佳配比及抛光时间。确定了所选定的位错侵蚀剂的侵蚀规范;此侵蚀剂对晶面无选择性,能显示出刃型和螺型位错,以及“新”、“旧”位错。通过长时间侵蚀、逐层侵蚀、劈裂面蚀斑的对应、小角晶界上蚀斑的观察、形变硅单晶中蚀斑排列以及弯曲形变样品中蚀斑密度与曲率半径间的关系的研究等方法,证明了用此侵蚀剂所得的蚀斑确实与位错一一对应。  相似文献   

15.
冯国光 《物理学报》1986,35(2):274-278
用会聚束电子衍射得到了石墨和辉钼矿的底面横向层错的带轴图样。带轴图样显示了层错引起的变化,对称性降低和部分衍射分裂,本文首先指出衍射分裂或不分裂可以用晶体缺陷衍射衬度理论来解释,这对应于缺陷的可见和不可见,这结果对缺陷的研究有普遍性意义。这方法为研究晶体缺陷提供了强有力的手段。 关键词:  相似文献   

16.
巴图  何怡贞 《物理学报》1980,29(6):698-705
本文利用化学浸蚀方法,在400—900℃的温度范围内,在0.35—13kg·mm-2的应力条件下,测量了硅晶体中单个位错的运动速度。实验结果表明,位错运动速度V(τ,T)作为温度(T)和分解切应力(τ)的函数,满足如下方程:V(τ,T)=Aτme-Q/(KT)。式中m=1.02—1.49,Q=1.96—2.07eV。最后,把实验结果与扩展位错的弯结模型作了比较。 关键词:  相似文献   

17.
周衡南  蒋树声 《物理学报》1980,29(3):374-379
用X射线透射扫描形貌方法观察了直拉法生长LiNbO3晶体中各种类型点阵缺陷,诸如铁电畴壁、生长层、位错、亚晶界和胞状组织等;用不同衍射矢量对[001]和[210]方向生长的晶体的形貌消象规律,结合X射线铁电异常散射效应和光学显微观察,讨论了晶体中180°铁电畴和生长层的衬度及其分布,并研究了LiNbO3晶体中180°畴壁形成及其相互关系。 关键词:  相似文献   

18.
黄亨吉  善甫康成 《物理学报》1984,33(9):1227-1239
本文讨论硅晶体中由〈110〉螺位错引起的电子散射,用紧束缚近似只考虑s电子和p电子。用长波近似只考虑Γ附近的电子散射。此散射近似地服从基尔霍夫-惠更斯形式的积分方程。用规范变换和格林函数方法解出了散射方程。确认了在硅复杂能带的情况下也同单一能带的情况一样,在位错的下游侧出现电子波播及不到的影子。 关键词:  相似文献   

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