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相似文献
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1.
2.
光电探测器原理及应用   总被引:3,自引:0,他引:3  
雷肇棣 《物理》1994,23(4):220-226
介绍了光电与系统的组成,阐述了光电二极管和雪崩光电二极管的工作原理及噪声问题,对雪崩光电二极管APD和光电倍增管PMT进行了比较,并以四象限探测器为例说明了光电探测器的应用问题。  相似文献   

3.
4.
向华 《光的世界》1993,11(5):38-40
  相似文献   

5.
6.
陈月珍 《应用光学》1993,14(2):28-32
影响多碱光电阴极稳定性的因素很多,诸如管子的管型结构、管子的真空状况、阴极制作工艺、管子的存放及其使用条件等。本文主要从工艺角度分析影响多碱光电阴极稳定性因素,并提出改进措施。  相似文献   

7.
谭宇 《应用光学》1997,18(6):1-3,,7,
综述了坦克用光电系统的发展过程,现状及发展趋势。  相似文献   

8.
从作战系统的组成出发,分析了光电跟踪设备在现代战争中的地位.针对三种不同光电跟踪设备的特点,根据网络中心战和火控系统的发展趋势,对其市场需求进行了分析.最后总结了国外光电跟踪火控技术的发展趋势,结合国内实际,对国内未来的发展提出了建议.  相似文献   

9.
常本康 《光学学报》1994,14(5):65-468
研究了New S25与LEP^*光电阴极的光谱响应特性。从理论上分析了光电子逸出深度,光电阴极结构参量和光电阴极厚度对光谱响应特性的影响。并对实用三碱阴极的潜力进行了理论预测。明确指出集New S25与LEP^*之长获得的实用三碱阴极可以和Ⅲ-Ⅴ族NEA阴极媲美。  相似文献   

10.
高铜硅铸铝合金ZL3的光电光谱分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
  相似文献   

11.
光电总体集成技术和光电系统的研发   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
光电技术是信息化建设和国防科技工业的重要支撑技术,在实现装备现代化进程中占据着重要地位.本文论述了光电集成技术的重要性,总结了其主要的研究内容,对今后的发展提出了相应的建议.  相似文献   

12.
完善系统集成环境提高光电总体技术水平   总被引:1,自引:1,他引:0  
以系统工程方法论述光电总体技术的特征、内容及方法。阐述了光电总体技术研究环境。  相似文献   

13.
杜宁  张璇 《物理通报》2020,(4):93-93,98
为解决目前教学用落球法粘滞系数测定仪使用中出现的调节精度低、测量计算琐碎等诸多缺陷,我们改进了测定仪装置,通过增加光电传感器和光电计时器,使其更易于精准调节和测量,从而提高实验教学效率.  相似文献   

14.
本文综述潜艇潜望镜的发展,重点论述90年代现代光电潜望镜和光电桅杆的技术特点及其典型产品。  相似文献   

15.
16.
概念、趋势与对策--军用光电系统技术发展的战略思考   总被引:3,自引:1,他引:2  
描述了军用光电系统的基本概念和类别,分析了军用光电系统技术的发展趋势,结合信息化战争条件下高科技战争的基本特点和规律,提出了军用光电系统技术发展的切入点和战略思路。  相似文献   

17.
一种新型光电材料—β—FeSi2的结构,光电特性及其制备   总被引:3,自引:0,他引:3  
王连卫  陈向东 《物理》1995,24(2):83-89
β-FeSi2是近年来发展起来的新型硅基光电材料,详细介绍了β-FeSi2的结构,电学、光学性质以及它的制备技术。对目前存在的问题以及未来的研究动向作了简要的讨论。  相似文献   

18.
传统冯·诺依曼计算机在并行性计算和自适应学习方面效率较低,无法满足当前飞速发展的信息技术对高效、高速计算的迫切需求.受脑启发的神经形态计算具有高度并行性、超低功耗等优势,被认为是打破传统计算机局限性,实现新一代人工智能的理想途径.神经形态器件是实施神经形态计算的硬件载体,是构建神经形态芯片的关键.与此同时,人类视觉系统与光遗传学的发展为神经形态器件的研究提供了新的思路.新兴的光电神经形态器件结合了光子学与电子学各自的优势,在神经形态计算领域展露出巨大潜力,受到了国内外研究人员广泛关注.本文对光电神经形态器件及其应用的最新研究进行了总结.首先综述了人工光电突触与人工光电神经元,内容包括器件结构、工作机制以及神经形态功能模拟等方面.然后,对光电神经形态器件在人工视觉系统、人工感知系统、神经形态计算等领域中的潜在应用作了阐述.最后,总结了当前光电神经形态器件所面临的挑战,并对其未来的发展方向进行了展望.  相似文献   

19.
张焕文 《光子学报》1990,19(3):277-281
本文对延长多碱光电阴极长波阈的问题进行了探讨;对多碱光电阴极P型Na2KSb+本征K2Cssb+本征Cs3Sb的结构模型进行了印证;提出了工艺上应采取的措施。实验上获得了450μA/Lm的积分灵敏度;长波阈(峰值灵敏度的百分之一所对应的波长)为9400Å,当入射光波长为9900Å时仍有0.05mA/W的光电响应。  相似文献   

20.
GaAs基谐振腔增强型光电探测器   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文报道了利用MBE和MOCVD方法生长外延材料并制作出GaAs基谐振腔增强型光电探测器,进行理论分析和实验研究的结果。  相似文献   

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