半导体材料（semiconductor material）

导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料，其电导率在10(U-3)～10(U-9)欧姆/厘米范围内。半导体材料的电学性质对光、热、电、磁等外界因素的变化十分敏感，在半导体材料中掺入少量杂质可以控制这类材料的电导率。正是利用半导体材料的这些性质，才制造出功能多样的半导体器件。半导体材料是半导体工业的基础，它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。半导体材料按化学成分和内部结构，大致可分为以下几类。     

Ti镀层—金刚石界面结合强度与界面产物显微结构的关系

本文了磁控溅射Ｔｉ镀层与金刚石界面反应形成ＴｉＣ层的厚度，镀层与金刚石界面结合强度随热处理时间的变化关系；用ＳＥＭ观察了界面的反应形成的ＴｉＣ在金刚石表面上的分布特征；讨论了镀层－金刚石界面结合强度与ＴｉＣ显微结构特征的相关性。结果表明，镀层与金刚石界面反应首先在金刚石表面外延生成点状ＴｉＣ，点状ＴｉＣ沿镀层与金刚石界面生长，最后形成连续的ＴｉＣ薄膜，从而达到Ｔｉ镀层与金刚石界面最大结合强度。     

半导体激光泵浦非晶态La1—xNdxP5O14的激光特性研究

测量了非晶态五磷酸镧钕（Ｌａ１－ｘＮｄｘＰ５Ｏ１４，ＬＮＰＰ）材料在７９０￣１１００ｎｍ波长范围内的吸收光谱，并对其半导体激光泵浦下的激光特性进行了研究。采用平凹腔（Ｒ＝５０ｍｍ，Ｌ＝４０ｍｍ），输出耦合率为Ｔ＝１％，泵浦光斑半径为１８０μｍ时，其斜效率达３４．６％。其近共心腔时的阈值为２１μＪ。     

Fe刻蚀金刚石的工艺因素

对Ｆｅ刻蚀金刚石过程中石墨要出的速率进行了定量的研究。Ｆｅ刻蚀金刚石的过程是：金刚石晶格中的碳原子溶入γ－Ｆｅ，在γ－Ｆｅ中扩散并在远离金刚石的一侧以石墨态要出。由该机制导出了石墨析出速率的理论公式。石墨析出速率（ＪＧ）与温度、保温时间、Ｆｅ膜厚度及碳在γ－Ｆｅ中的扩散系数有关。合理设置上述参数及通过添加元素改变扩散系数的方法，可以控制Ｆｅ与金刚石反对石墨的析出量。     

石榴石单晶膜的生长与应用分析

通过对石榴石单晶膜生长的分析，在研究总结大量前人工作的基础上，本文首次提出“等效参量”的概念和最大生长速度分析法，找出了若干参量之间的内在联系，结合实验数据即可确定出单晶膜的生长机制。实验初步证实了该分析方法的正确性。单晶膜于器件已获得成功。     

4—氨基二苯甲酮（ABP）的半导体倍频性能研究

从有机溶剂中生长４－氨基二苯甲酮晶体。采用Ｘ射线衍射方法分析了晶体结构；测定了三个主轴方向的折射率；确定了几个有效非线性系数；研究了晶体的半导体倍频性能。     

Fe刻蚀金刚石的速率

本语文对Ｆｅ刻蚀金刚石的速率进行了定量的研究。Ｆｅ刻蚀金刚石的机制是金刚石晶格中的碳原子自（金刚石－Ｆｅ）界面不断溶入γ－Ｆｅ，并在γ－Ｆｅ中扩散。根据这一机制，导出了Ｆｅ刻蚀金铡石速率（ｖ）的理论公式。应用理论公式的计算值与实测相比较，两者基本相符。该式对与Ｆｅ刻蚀金刚石机制相同的过程均可适用。     

铟掺杂ZnGa2O4纳米线中的结构缺陷分析

用热蒸发的方法合成了铟掺杂的ZnGa2O4纳米线.利用透射电镜和X射线能谱对样品的结构和成分进行了研究.在"之"字形和竹节形两种形貌的纳米线中分别发现了孪晶和面位错两种缺陷."之"字形生长的纳米折线是孪晶,沿<111>方向生长,孪晶角为140°.竹节形的纳米线沿<011>方向生长,竹节处存在两种面位错,面位错与生长方向分别成54°和90°角.缺陷的存在对纳米线的性质将产生重要影响.