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相似文献
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1.
Zn:LiNbO3晶体的生长及其抗光损伤能力增强的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
LiNbO3中掺入ZnO,用提拉法生长Zn:LiNbO3晶体。测试了晶体的红外透射光谱,抗光损伤能力,光电导和倍频性能。研究和探讨了高掺锌铌酸锂晶体抗光损伤增强的机理。  相似文献   

2.
Zn:Fe:LiNbO3晶体的生长及其全息性能的研究   总被引:3,自引:2,他引:1  
本文首次详细报导了Zn:Fe:LiNbO3晶体的生长技术,研究了晶体的吸收光谱、衍射效率和响应时间。与Fe:LiNbO3相比,Zn:Fe:LiNbO3晶体响应速度快,且衍效率较高,并具有较宽的角度响应范围,是一种优良的全意记录介质材料。  相似文献   

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Ce:Nd:LiNbO3晶体具有优良的光折变性能,它作为全息记录介质,用于实现了光学图象微分和全息关联存储。  相似文献   

5.
本文报道了Ce:Pr:LiNbO3晶体的生长。测试了晶体的指数增益系数、衍射效率、位相共轭反射率和响应时间。以Ce:Pr:LiNbO3晶体作存储元件,实现全息关联存储,图象清晰完整。  相似文献   

6.
Ce:LiNbO3晶体的生长及其位相共轭效应   总被引:8,自引:5,他引:3  
  相似文献   

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Ce:Fe:LiNbO3晶体的生长与其四波混频效应的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文报道了Ce:Fe:LiNbOe晶体的生长,采用简并四波混频光路测试晶体相位共轭反射率、响应时间和相位共轭温度效应,在632.8nm和488.0nm波长的非简并四波混频中,获得了变频相位共轭光,具有温度增强效应。  相似文献   

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在生长LiNbO3晶体过程中掺进ZnO和Ho2O3,生长出Zn:Ho:LiNbO3晶体.测试了Zn:Ho:LiNbO3晶体的双折射梯度、光损伤阈值、吸收光谱和荧光光谱.研究表明,Zn:Ho:LiNbO3晶体是优良的激光介质材料.  相似文献   

11.
Ce:Fe:LiNbO3晶体的生长及其多波耦合效应的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
  相似文献   

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Zn:Eu:LiNBO3晶体光折变效应的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文报导了Zn:Eu:LiNbO3晶体的11生长,测试了晶体抗光致散射能力。研究Zn:Eu:LiNbO3晶体的二波耦合效应和四波混频效应。结果表明,Zn:Eu:LiNbO3晶体具有较高的的抗光致散射能力和响应速度。  相似文献   

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β-Zn3BPO7晶体的提拉法生长研究   总被引:1,自引:2,他引:1       下载免费PDF全文
采用提拉法生长β-Zn3BPO7(简称ZBP)晶体.研究了生长工艺,用[210]方向的籽晶,获得了尺寸为35mm×20mm×10mm的单晶,该晶体无色透明,不开裂,呈现发育完好的{001}板面.通过设计特殊的温场以及在生长结束后采用适当的热条件有效地抑制了相变的发生.生长过程中靠近液面的温度梯度为30~60℃/cm,晶体转速为15~25r/min,提拉速度不大于1mm/h.ZBP晶体有宽的透光范围,它的紫外吸收边为240nm.ZBP晶体不潮解,其莫氏硬度为5Mohs.  相似文献   

18.
本文报道了Pr∶Fe∶LiNbO3晶体的生长,利用简并四波混频测试了Pr∶Fe∶LiNbO3晶体的位相共轭反射率、响应时间、光电导、位相工轭温度效应。并且测试了Pr∶Fe∶LiNbO3晶体的非简并四波混频变位相共轭反射率和抗光散射能力。研究和探讨了Pr∶Fe∶LiNbO3晶体提高响应速度和抗光散射的机理。  相似文献   

19.
Mg:LiNbO3及Nd:Mg;LiNbO3晶体畴结构与单畴化研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文对Mg;LiNbO3及Nd:Mg:LiNbO3晶体的畴结构与单畴化条件进行了系统的研究;报道了主要晶面的畴结构特征;确定了合适的极化温度和电流密度。  相似文献   

20.
采用不同成分配比,以Czochralski法生长铌酸钾锂(KLN)晶体,研究生长工艺和成分配比对KLN晶体性能的影响.选用的轴向温度梯度为28~35℃/cm,晶体的旋转速度为5~10r/min;晶体的生长速度与KLN的生长原料的成分有关.采用场冷法对KLN晶体进行极化处理.极化电流密度为2mA/cm3,极化温度为460~340℃.生长出透明的没有裂纹的KLN晶体.  相似文献   

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