硫酸镁与氨水水热反应合成碱式硫酸镁晶须

以MgSO4·7H2O和氨水为原料进行MgSO4·5Mg(OH)2·3H2O晶须(MOS)制备的实验.研究了水热反应温度、时间、镁离子浓度及原料配比对水热反应后液相及固相组成和MOS形貌结构的影响.结果表明,合成MOS的最优条件为反应温度190℃,反应时间5h,镁离子浓度3 mol/L,n(七水硫酸镁)∶n(氨水)比例为0.6∶1.合成MOS的母液能够实现循环利用,所得产品为形貌结构完整的MOS晶须.     

KH-570硅烷偶联剂表面改性微硅粉分散性研究

采用KH-570硅烷偶联剂在酸性条件下对微硅粉(SF)表面进行了改性,通过控制改性时间和改性剂用量确定了最佳工艺参数,并对改性前后的微硅粉进行了表征,同时测定接枝改性样品表面的羟基数和吸油值,分析其改性效果.结果表明:改性后的微硅粉(KH570-SF)吸油值明显降低,表面羟基数急剧减少,KH-570硅烷偶联剂分子成功的以化学键的形式接枝在微硅粉表面,微硅粉团聚现象减少,分散性得到改善,同时对硅烷偶联剂改性微硅粉机理进行了探讨,结合热重和红外光谱分析表明,KH-570硅烷偶联剂主要通过与微硅粉颗粒表面的-OH形成氢键缔合而吸附到微硅粉颗粒表面上.     

常温改性半水硫酸钙晶须及其稳定化机理研究

性能优良的半水硫酸钙晶须常用于增强增韧有机复合材料和无机复合材料.为防止半水硫酸钙晶须与水接触或在潮湿的环境中发生水化反应而导致晶体结构与性能的破坏,因此需要对半水硫酸钙晶须进行表面改性.本文基于溶度积原理,探寻常温下复合改性介质中改性半水硫酸钙晶须的新途径.采用单掺月桂酸钠、海藻酸钠、硅酸钠、草酸钠和氟化钠作为改性剂,并设计正交试验探索影响改性效果的显著性因素和最佳改性工艺.利用XRD、FTIR和SEM对晶须改性前后进行化学组成和微观结构的分析.研究结果表明,复合改性介质体积比和改性剂种类是影响改性工艺的显著性因素,改性剂在复合介质中的溶解度直接影响着最终表面改性产物层的性能.单掺15;氟化钠或海藻酸钠、复合介质体积比29:1、改性时间5 min时,改性半水硫酸钙晶须在水中溶解度降低并且能够保持晶体结构和性能的稳定.     

多孔镁基板上纳米厚度氢氧化镁叠片的水热合成研究

通过水热法在烧结的多孔镁基板上制备了纳米厚度的氢氧化镁(Mg(OH)2)叠片.分别用SEM及XRD表征了水热合成过程中基板的形貌和物相变化.结果表明,将水热合成的反应时间控制在20 ～ 40 min之内,可以制备出具有100 nm左右厚度的、不同紧密程度的Mg(OH)2叠片.水热合成的反应时间超过40 min,Mg(OH)2叠片将会逐渐从基板表面生长合并为块状晶体.同时,对水热反应过程中氢氧化镁晶体的形核和长大机理进行了探讨.     

Si69有机湿法改性白炭黑及其性能表征

以Si69为改性剂,无水乙醇为溶剂,设计正交试验,对沉淀法白炭黑粉体进行有机湿法改性,探究实验最佳工艺.采用X射线衍射、傅里叶红外光谱、热失重分析仪、接触角仪、纳米粒度及Zeta电位仪、扫描电镜等对改性前后白炭黑的结构形貌及其性能进行表征,主要考察了Si69改性剂对沉淀法白炭黑的疏水性及分散性的影响.结果表明:实验的最佳工艺为反应温度55℃,反应时间4h,pH值为7.当Si69用量为0.375 g时,改性白炭黑的分散性最好.改性后的白炭黑仍为无定形态,物相结构没有变化;改性过后的白炭黑其表面羟基数减小,疏水性增强,接触角由改性前的9°增大到97°;改性使白炭黑表面极性减弱,粒径分布变窄,降低了颗粒团聚程度,分散性得到明显提高.     

徐闻盐场苦卤制备Mg2(OH)2CO3·3H2O晶须

以苦卤为原料,先在体系中加入Na2CO3-NaHCO3缓冲溶液,再以Na2CO3为沉淀剂,采用液相沉淀法制备了直晶率好、分散性好的碱式碳酸镁晶须(Mg2 (OH)2CO3·3H2O).通过元素分析、SEM及XRD测试等手段分别表征了产品的纯度、形貌特征及属性.结果表明,碱式碳酸镁晶须分散性好、晶形好、粒度分布均匀、晶须质量好.当反应温度T=32℃,反应时间t=69 h时可获得晶形好、表面光滑的碱式碳酸镁晶须.     

以稻壳灰为硅源制备超疏水性白炭黑

以稻壳为原料,采用自蔓延燃烧法制备高活性的稻壳灰.以稻壳灰为原料,采用碱溶煮-酸反应法制备较高纯度的白炭黑.以六甲基二硅氮烷(HMS)为改性剂,采用溶胶-凝胶法制备超疏水性的白炭黑及其膜.主要研究酸反应过程中的pH值和反应时间对白炭黑中SiO2含量的影响,以及六甲基二硅氮烷改性剂对白炭黑(SiO2)膜疏水性能的影响,通过XRD、SEM、IR和润湿接触角进行性能表征.研究结果表明,将稻壳灰在NaOH溶液中加热到90℃后溶煮2h,再用硫酸调节溶液的pH值为3,反应时间控制在2h时,白炭黑SiO2的含量可达98.48;.当六甲基二硅氮烷用.量为0.15(与硅钠溶液的质量之比)时,可以获得接触角为166.3.的SiO2的SiO2超疏水膜.而改性剂对SiO2表面改性作用是一种接枝反应,将疏水性基团接枝替代SiO2表面的羟基,而使SiO2表面疏水.     

水热法生长立方MgO微晶研究

以尿素与Mg(NO3)2·6H2O在不同的反应温度和不同物质的量配比条件下,制备出前驱体Mg5(OH)2(CO3)4·4H2O/MgCO3,经煅烧得到立方MgO微晶粉末.利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对所制得产物的晶相和形貌进行了表征.结果表明:当尿素和Mg(NO3)2·6H2O物质的量的比为2∶1时,在160℃的水热反应条件下,制备出立方MgO前驱体微晶,在1000℃煅烧2h后能够获得晶型完整、形貌规则、粒径约为5μm的MgO立方微晶.     

多孔镁基板上纳米厚度氢氧化镁叠片的水热合成研究（英文）

通过水热法在烧结的多孔镁基板上制备了纳米厚度的氢氧化镁(Mg(OH)_2)叠片。分别用SEM及XRD表征了水热合成过程中基板的形貌和物相变化。结果表明,将水热合成的反应时间控制在20~40 min之内,可以制备出具有100 nm左右厚度的、不同紧密程度的Mg(OH)_2叠片。水热合成的反应时间超过40 min,Mg(OH)_2叠片将会逐渐从基板表面生长合并为块状晶体。同时,对水热反应过程中氢氧化镁晶体的形核和长大机理进行了探讨。     

正交法优化ZnO/MMT抗菌材料制备条件及抑菌活性研究

以氯化锌、氢氧化钠为原料,蒙脱石(Montmorillonite,MMT)为载体,最小抑菌浓度(MIC)和最小杀菌浓度(MBC)为测试指标,采用正交试验考察物料配比、反应温度、反应时间等因素对该抗菌材料抑菌活性的影响,确定ZnO/MMT抗菌材料的最佳制备条件,并通过XRD、SEM和BET对其结构进行了表征.结果表明,影响该抗菌材料性能的因素依次为反应温度>物料配比>反应时间,制备ZnO/MMT抗菌材料的最佳条件为氯化锌:氢氧化钠=1:8,反应温度为70℃,反应时间为18 h.ZnO/MMT抗菌材料对沙门氏菌(Salmonella)、大肠杆菌(E.coli)和金黄色葡萄球菌(S.aureus)具有广谱抗菌性.