液相外延生长磷化镓 采用离心倾斜技术

目前,液相外延生长法是制造高质量GaP发光二极管材料的最成功的方法。离心倾斜技术就是以液相外延生长法为基础的。用这种技术产生的发光外延材料具有     

采用锌扩散工艺在SSD方法生长的GaP晶体上制作绿色发光二极管

通过把100毫巴的氮和0.05毫巴的氨的混合气体导入生长管内的办法,使合成溶质扩散(SSD)生长的晶体的氮浓度达到3×10~(17)cm~(-3)。用锌扩散法已经制出这种材料的绿色发光二极管,获得了高达0.01％的量子效率,和商品的气相外延二极管性能相近。除绿峰外,一些SSD二极管在700nm处还有个谱峰,该峰是由氧的污染所引起的,严格地处理反应管,可以减少氧沾污。     

太赫兹GaAs肖特基混频二极管高频特性分析

在太赫兹波段,存在几种新的高频效应会限制混频二极管的高频特性.应用热电子发射理论和隧道理论,研究了外延层肖特基二极管的高频特性,并以截止频率为品质因数对二极管进行优化设计.研究表明,当二极管工作频率大于等离子频率时,二极管相当于一个电容,失去了混频性能;提高基底掺杂浓度可以减小基底等离子共振效应;外延层等离子频率非常重要并且在研究外延层等离子共振效应时必须考虑传输时间效应;减小阳极直径、减小外延层厚度、提高外延层掺杂浓度可以提高二极管的工作频率.这对太赫兹波段室温混频器件的研制具有重要的参考价值.     

磷化镓场致发光二极管

本文叙述了具有S形I-U特性的绿色和红色发光光源,它是一种外延p—n—p—n结构的GaP场致发光二极管。 论述了这类管子的电学场致发光特性和参数,表明磷化镓场致发光二极管的特性和由其他材料制成的发光二极管的特性相似。     

荧光体发光二极管

荧光体发光二极管是一种特殊的发光二极管,它由GaAs红外发光二极管和特殊的荧光体组合成的。 这种二极管的构造如图1所示,荧光体覆盖在GaAs红外发光二极管的外部,GaAs发出的红外光作用在荧光体上使荧光体发出波长较短的可见光。 以前人们是把波长较短的光(如紫外光)照射到荧光体上转换得到波长长的可见光。与     

本身具有存储性能时LED彩色显示器

这种显示器组合了由p-n-p-n结四层结构构成的两种可见(红色与绿色)LED。它具有动态存储性能和光敏性能,因而有可能用光笔“写入”与“擦除”。 如图1所示,在一个管座上边对边地放置两个不同类型的二极管而构成双色可见LED灯。一个二极管是GaAs红外LED,其表面涂敷了特殊的磷光材料,使红外光转变成绿色光(930mμ和540mμ)。另一个二极管是GaAlAs红色发光二极管(680mμ)。这种显示板是由14×15LED矩阵单元构成。     

发光二极管特性及其改进办法

用半导体P—n结把电流转换成光的器件总称为发光二极管。因此它包括通常的自然光发光二极管,激光二极管以及具有电、光开关性能(P—n—P—n结构)的二极管等。发光二极管材料主要有GaAs,GaP,Ga(As,P),(Ga,Al)As等。其中有的已有商品。除此之外,正在研究(Ga,In)P,GaN,SiC等其他材料。本文介绍了用典型的发光材料制成的一般发光二极管。做为发光二极管的特性,首要的问题是发光效率,对可见发光二极     

GaInAsP/InP双异质结发光管材料的研究

用二相法液相外延生长了GaInAsP/InP双异质结材料。已制得用于光通讯的、小面积的、输出功率>1mW(工作电流100mA)的发光二极管。讨论了外延工艺和影响材料性质的因素。     

一种“玻璃-结晶半导体”发光二极管

这里所报导的是由掺杂的透明玻璃和掺杂的半导体晶体构成异质结,并进而制成发光二极管。下表列出了能观察到发光的二极管的各种材料组成:     

用汽相外延生长及锌扩散制造GaP发光二极管

最近几年,GaP被广泛地用于做发光二极管,特别是绿灯。GaP二极管绝大部分是用液相外延方法生长的,因为用这种方法能做出高效率的管子。 但汽相外延生长法却也有某些好的地     

发光二极管的简易测试装置

Electronic Design 22(22)一期介绍了一种用于测试发光二极管数字显示器和单个管子的简易装置。 测试装置中装两个发光二极管,方向相反并联起来。再串联一个限流电阻然后接到一个变压器次级线圈6.3V的电线上。当测试装置输出端短接或把低阻通路放到输出端时。两个管子都亮。当输出端与一发光二极管阳极上的正的引线接通时,该正二极管就与所测的发光管一道亮。当把负的引线接到一发光二极管的阳极上时,该负发光二极管的     

可变色的钕和铒注入的ZnS发光二极管

利用离子注入技术制备ZnS发光二极管,当激发参数改变时,电致发光给出不同的发射颜色。一种类型ZnS发光二极管是将Nd离子注入到ZnS的一个表面,而Er离子注入到另一个表面,两而的电极做成条状并彼此交错,仪当反向偏压时才给出电致发光,因而外加电压改变极性时,二极管将是绿色(Er3+)或橙色(Nd3+)发光。第二种类型ZnS发光二极管是将Er和Nd离子注入到ZnS的同一表面,但是不同的深度,当外加电压的大小改变时,二极管发光颜色可以从绿色到橙色或者从橙色到绿色。     

在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管

用等离子体辅助的分子束外延的方法在蓝宝石衬底上生长了氧化锌的p-n同质结发光二极管。在实验中p型ZnO层是采用NO等离子体作为掺杂剂生长的。在低温下,二极管的I-V特性曲线显示了典型的p-n结整流特性,并且具有很低的开启电压（4V）。在实验中得到了位于蓝紫区的电致发光。     

磁光式无源传感器测量脉冲电流

利用国产磁光玻璃材料、发光二极管LED以及光电二极管PIN,制成了一套磁光式无源传感器,用来测量脉冲电流。这套测量设备的上升时间为300ns,可用来记录雷放电电流、等离子体实验中的脉冲电流及高功率脉冲装置中的电流。     

半导体负阻场致发光二极管

得到室温下具有负阻的场致发光二极管。是采用含有深受主能级锰作主要杂质的的砷化镓半导体作基底,因而是P型半导体。在砷化镓基底的表面上,再外延生长(例如气相外延)一层含有n型杂质(譬如碲)的砷化镓。当二极管加有适当电压时,这层n型区就提供称作少数载流子的电子注入高阻区。在远离掺碲区的砷化镓基底的另一个表面上,扩散锌作浅能级杂质,以获得锌占优势的掺杂区。扩散的结果是一边锌占优势,另外一边仍然锰占优势,中间形成高阻区。 室温 20℃或更低时,电压刚超过 1伏二极管呈现高阻。当达到临界击穿电压时,就出现电流随电压下降而上升的负阻。对于1伏量级的过电压,二极管电流由小变大的开关速度小于10毫微秒。     

Ⅲ-Ⅴ化合物的范德华外延生长与应用

Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料体系带隙涵盖范围广、载流子迁移率高,非常适宜用来制备发光二极管、激光器、高电子迁移率晶体管等光电子器件。在异质衬底上进行Ⅲ-Ⅴ化合物的共价外延时,只有外延层与衬底层间的晶格失配度较小时才能获得高质量外延层,而范德华外延已被证实可以有效放宽外延层与衬底层间晶格失配与热失配要求,有利于外延层的应力释放与质量提高,同时也易于外延层从衬底上剥离转移,为制备Ⅲ-Ⅴ化合物基新型光电子器件提供了便利。本文对二维(2D)材料、Ⅲ-Ⅴ化合物在石墨烯上的范德华外延过程以及使用范德华外延制备的Ⅲ-N基光电子器件的各项研究进行了讨论分析,并对其前景进行了展望。     

简讯

据美《电子学》杂志报导,美帝一公司实验室研制出全部用半导体装配起来的矩阵显示。报导说:这种显示由32×50个砷化镓发光二极管组成的矩阵。能显示完整的图形和符号(做成光点图形还可以显示字母数字、数字符号和图象等)。记忆线路也装在显示系统中,因此记忆(门锁输出驱动器)和二极管使用同样的电流,输入功率得到了更好的利用。该电路还有一个二极管输出电平,可以调节亮度,范围在10—25尺朗伯之间。从而根据环境光的情况,使用最低的功率。此外把记忆线路全部和显示部件做成集成电路,并与标准晶体管—晶体管—逻辑开关电路相匹配,因此这种显示就可以直接用于计算机、键盘和磁带录音机。     

制备绿色磷化镓发光二极管的液相外延生长法

用液相外延法可以制备出绿色场致发光磷化镓二极管。在密闭坩埚中装入Ga-GaP熔体,再将它放入垂直炉中。将GaP衬底片插入温度保持在约1110—1140℃的熔体中。从S、Se和Te中选择一种杂质加入熔体,然后缓慢地把温度冷到约1070—1100℃,就可形成n—型GaP薄层。此时用受主杂质(例如Zn或Cd)加入熔体进行反型掺杂,而制得p—型层。然后把衬底拉出熔体使之冷却到周围的温度。为降低串联电阻,对片子的衬底这边可进行磨薄,然后就可制备场致发光二极管。切割或解理下来的小片,分别在它的p侧和n侧制上Au—Zn和Au—Sn合金点。 用上述方法制备的绿色发光二极管的效率约为2.7×10~(-4),如把反反射环氧树脂帽加于二极管则效率可提高二倍以上。二极管可用作平面指示器。     

超高速发光二极管

日本电气株式会社在1984年研制成功了超高速发光二极管。这种二极管在结构上增加了一层结晶层,把注入电流时影响高速响应的“寄生容量”降到了原来的十分之一。发光孔径、各层厚度及杂质的掺杂量都设计成最佳状态。其特性:面发光型发光二极管;发光波长为1.3μm,光纤结合输出;调制速度为20亿波特/S(NRZ)。其结构见下面剖面图。     

用发光二极管演示电磁感应实验

从音乐贺卡上取下红、绿二只发光二极管，将两只二极管反向并联．先用一节干电池给反向并联的两只二极管通电，发现其中一只二极管发光，调换干电池两极(即改变电流方向)，另一只二极管发光，说明二极管有单向导电性．再将反向并联的两只二极管与一个约200匝的漆包线圈组成闭合回