T1系1223相超导体的不可逆线

研究了（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ０．８Ｂａ０．２）２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ超导体的不可逆场Ｈ（Ｔ），并与Ｙ系Ｂｉ系和Ｔｌ１２１２相超导体作了比较。实验表明，在７７Ｋ下Ｔｌ１２２３相的不可逆场高达５Ｔ。证明了该材料在高温下的磁通钉扎比Ｂｉ系超导体和Ｔｌ１２１２相导体强得多，并对此作了讨论，由磁滞回线估计的磁化电密度Ｊｃ在７７Ｋ和２Ｔ磁场下大于１４＾４／ｃｍ＾２。     

Tl系1223相超导体的不可逆线

研究了(Tl_(0.5)Pb_(0.5))(Sr_(0.8)Ba_(0.2))_2Ca_2Cu_3O_y超导体的不可逆场H~*(T),并与Y系、Bi系和Tl1212相超导体作了比较。实验表明,在77K下Tl 1223相的不可逆场高达5T。证明了该材料在高温下的磁通钉扎比Bi系超导体和Tl 1212相超导体强得多,并对此作了讨论,由磁滞回线估计的磁化电流密度J_c在77K和2T磁场下大于10~4A/cm~2。     

热处理对T1—1223超导体的不可逆性的影响

我们用交流磁化率技术研究了热处理对掺杂了Ｐｂ和Ｂａ的ＴｌＳｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ（Ｔ１－１２２３）超导体的不可逆线的影响，发现适当的热处理只提高了样品的起始温度Ｔ５０但并不改变其约化不可逆线，同时我们还讨论了样品的磁通钉扎机制。     

热处理对T1－1223超导体的不可逆性的影响

我们用交流磁化率（ＡＣＳ）技术研究了热处理对掺杂了Ｐｂ和Ｂａ的Ｔ１Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ（Ｔ１－１２２３）超导体的不可逆线的影响，发现适当的热处理只提高了样品的起始温度７ｃ０。但并不改变其约化不可逆线，同时我们还讨论了样品的磁通钉扎机制．     

T1-1223超导体及其复Ag带的制备

研究了用部分熔化法制备Tl-1223超导体的工艺.样品的名义组成为(Tl_(0.5)Pb(0.5))(Sr_(0.8)Ba_(0.2))Ca_2Cu_3O_y。经熔化退火的样品,其磁化电流在77K和1T下大于2×10~4A/cm~2。用熔化—退火的超导粉作原料制得的复Ag带短样,J_c达1.6—1.7×10~4A/cm~2(77K,OT)。采用烧结后的超导粉作原料,在制备复Ag带的工艺中,如用熔化—退火的热处理制度,可以免除单轴压的冷加工工艺,这对长带的制备将带来很大的便利。     

T1系超导体中T1含量的控制

Ｔ１－２２２３和Ｔ１－２２１２相超导样品经Ｔｌ２Ｏ３蒸气处理超导转变温度发生明显的变化，Ｔｃ的变化来源于样品中Ｔ１含量的变化，Ｔｌ２Ｏ３蒸气能有效地阻止Ｔ１基超导体中Ｔ１的损失，随着Ｔｌ２Ｏ３蒸气压的增加Ｔ１损失明显减少，这是一种控制Ｔ１浓度的有效方法。     

高Tc（Hg,Pb）—1223相超导体的EPMA研究

在ＨｇＢａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ８＋δ（Ｈｇ－１２２３相）超导体中，我们以Ｐｂ部分代替Ｈｇ，成功地合成了（Ｈｇ，Ｐｂ）－１２２３相超导体，并对这些样品进行了ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＳＥＭ和ＥＤＸ等分析。本文着重报导ＥＭＰＡ分析的结果：在我们最佳合成的（Ｈｇ，Ｐｂ）－１２２３超导样品中，正离子比为Ｈｇ：Ｐｂ：Ｂａ：Ｃａ：Ｃｕ＝０．６６：０．３４４：２：１．９８：２．９７，氧含量为８．４１；以及样品的主相为（Ｈｇ，     

铋系氧化物高温超导相晶格软化研究

本文报道了在液氮温区以上铋系高 T_c 超导相变温穆斯堡尔谱的实验结果.穆斯堡尔无反冲因子随温度变化表明,在超导转变温度 T_c 以上,铋系高 T_c 相的 Cu-O 层中出现了明显的晶格软化现象,这种与晶格软化相联系的结构不稳定行为可认为是超导转变的前驱效应.在 Cu-O 层上发生的品格软化的特殊性质,对超导电性的影响不能忽略.     

镧系超导体1／8反常现象的研究

我们测量了La2-xMxCuO4（LMCO，M=Sr，Ba，x=0．05，0．10，0．125，0．15，0．2）体系的室温正电子寿命谱，研究了正电子湮没机制与超导电性之间的关系．实验结果表明在x=1／8附近电子密度（ne）出现峰值响应，说明在掺杂浓度不断增加的过程中，当x〈1／8时，正电子-空穴反关联起决定性的作用．而在x〉1／8时，化学掺杂引起的电子损失是决定电子密度的最重要的原因．     

镧系超导体1/8反常现象的研究

我们测量了La2-xMxCuO4 (LMCO,M=Sr,Ba,x=0.05,0.10,0.125,0.15,0.2)体系的室温正电子寿命谱,研究了正电子湮没机制与超导电性之间的关系.实验结果表明在x=1/8附近电子密度(ne)出现峰值响应,说明在掺杂浓度不断增加的过程中,当x<1/8时,正电子-空穴反关联起决定性的作用,而在x>1/8时,化学掺杂引起的电子损失是决定电子密度的最重要的原因.     

Bi系超导体高T_c相的形成机制

本文研究Bi系超导体高Tc(2223)相的形成机制。提出Bi系氧化物超导体高Tc相的形成过程是:首先Sr-Ca-Cu氧化物(Ca_(0.85)Sr_(0.15)CuO_2)与低Tc(2212)相反应形成高Tc相的核,然后样品内2223相核通过象结晶学中晶体生长那样的方式长大成2223相晶粒。2223相成核过程中Sr-Ca-Cu氧化物的形成途径有两条:一条是通过固相反应从Ca_2CuO_3和SrCaCu_5O_8的平衡中形成;另一条是通过液相反应从2212相,Ca_2PbO_4和CuO之间的反应直接形成。固相反应的速度远小于液相反应的速度,从而2223相核的形成速度在液相反应下得到加快。通过高Tc相的形成机制,提出Pb对Bi系超导体高Tc相形成的作用是:它只加速2223相的成核,而对2223相的成长不起作用。最后利用2223相形成机制,烧制出具有织构的样品。     

晶格振动对Ti-Al系统相稳定的影响

在电子结构计算的基础上,利用集团变分方法(CVM)研究了Ti-AI系统的高温相稳定,并且运用两种方法考虑晶格振动对相稳定的影响。结果发现,利用连续介质模型考虑的晶格振动对系统相稳定几乎无影响,而利用Mobius反演对势并计算晶格振动谱的方法考虑的晶格振动对系统相稳定有明显的影响,说明在讨论晶格振动对合金相稳定的影响时,晶格振动的光学模是很重要的。     

Tl—1223超导体及其复Ag带的制备

研究了用产中分熔化法制备Ｔｌ－１２２３超导体的工艺。样品的名义组成为（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ０．８Ｂａ０．２）Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ。经熔化退火的样品，其磁化电流的７７Ｋ和１Ｔ下大于２×１０＾４／ｃｍ＾２。用熔化－退火的超导粉作原料制得的复Ａｇ带短样，Ｊｃ达１．６－１．７×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２（７７ｋ，０Ｔ）。采用烧结后的超导粉作原料，在制备复Ａｇ带的工艺中，如用熔化－退火的热处理制度，可以免除…     

晶格振动对Ti-Al系统相稳定的影响

在电子结构计算的基础上,利用集团变分方法（ＣＶＭ）研究了Ｔｉ－Ａｌ系统的高温相稳定,并且动用两种方法考虑晶格振动对相稳定的影响。结果发现,利用连续介质模型考虑的晶格振动对系统相稳定几乎无影响,而利用Ｍｏｂｉｕｓ反演对势并计算晶格振动谱的方法考虑的晶格振动对系统相稳定有明显的影响,说明在讨论晶格振动对合金相稳定的影响时,晶格振动的光学模是很重要的。     

T1－2223超导体的制备工艺与稳定性研究

本文研究了预烧结与后处理条件对获得单相Ｔ１－２２２３化合物的影响，当预烧结温度在７５０℃左右时，Ｔ１－２２２３相开始形成．低温预烧结可以减少Ｔ１的损失．后处理有利于晶体的进一步完善和提高．在不同气氛的热处理条件下，对Ｔ１－２２２３相的热稳定性进行了初步的研究．     

Bi系超导体高Tc相的形成机制

本文研究Bi系超导体高T_c(2223)相的形成机制。提出Bi系氧化物超导体高T_c相的形成过程是:首先Sr-Ca-Cu氧化物(Ca_0.85Sr_0.15CuO₂)与低T_c(2212)相反应形成高T_c相的核,然后样品内2223相核通过象结晶学中晶体生长那样的方式长大成2223相晶粒。2223相成核过程中Sr-Ca-Cu氧化物的形成途径有两条:一条是通过固相反应 关键词：     

热处理条件对Bi系2223相超导体的相结构和Tc的影响

采用两次烧结的固相反应法,制备了高质量的名义组分为Bi_(1.92)Pb_(0.37)Sr_2Ca_2Cu_(3.03)O_y的2223单相多晶样品,其零电阻温度为107K。研究了烧成温度和冷却速率对样品的单相性和T_c的影响。结果表明,烧成温度对样品的单相性起决定作用,冷却速率对其影响不大。但是烧成后冷却速率的变化可以使2223相的T_c至少在10K的范围内移动。缓慢冷却使其T_c向高温移动,这与通常在2212相中见到的移动相反。T_c的变化主要归因于超导体中氧含量的变化,而氧含量、载流子浓度、T_(co)以及正常态的电阻行为等因素之间存在密切相关。当样品充分吸氧过程基本完成后,冷却速率的变化,对样品的颗粒T_c影响很小,但对体T_c仍有一定影响。     

掺杂、无序和混晶半导体的晶格振动行为

一、研究的意义和目的 杂质诱发的半导体晶格振动问题和无序和混晶半导体的晶格振动问题的研究,在过去20多年中一直是比较活跃的. 过去的研究表明,在杂质诱发晶格振动情况下,由于杂质原子量和掺杂的不同而引起的力常数的变化,可以诱发与杂质有关的、不同程度局域化的振动模(尤其是位于声子带上方的局域模),并可使原来光学不激活的声子带模变得部分地光学可激活.然而对与低频的声学声子带有关的杂质诱发振动行为,国内外却研究得很少,实验方面尤其如此. 关于无序半导体的晶格振动行为,已有的研究成果表明,无序可以使理想晶体情况下光s学不激活…