| 硅在HF溶液中阳极溶解的研究 |
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| 引用本文： | 尹峰,李学萍,肖绪瑞.硅在HF溶液中阳极溶解的研究[J].影像科学与光化学,1997,15(1):80-83. |
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| 作者姓名： | 尹峰 李学萍 肖绪瑞 |
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| 作者单位： | 中国科学院感光化学研究所, 光电化学中心, 北京100101 |
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| 摘 要： | Uhlir及Turner早在50年代就已发现1,2],硅在HF溶液中阳极极化时,阳极电流大于某一特定值硅表面会发生电抛光反应,而低于这个值硅表面则会形成一层不同颜色的多孔硅层.1990年Canham发现多孔硅层在室温下有光致发光现象3],受到科学界的高度重视,在世界范围内掀起了研究多孔硅的热潮4].众多的研究表明,多孔硅的发光性能与其微孔的多少、大小和分布密切相关.但多孔硅要发展成为可实用的光电子材料,首先必须制备出微孔分布均匀,孔径及孔深可控的多孔硅材料.这就有必要弄清多孔硅的形成机理5],了解硅在HF溶液中的溶解过程及机理.为此,本文对不同掺杂浓度不同导电类型的(111)晶面单晶硅在HF溶液中的电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)特性进行了研究,并对这些特性进行了分析.
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| 关 键 词： | 多孔硅 电流-电压特性 电容-电压特性 |
| 收稿时间： | 1996-06-12 |
A STUDY OF ANODIC DISSOLUTION OF SILICON IN HF SOLUTIONS |
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| YIN Feng,LI Xueping,XIAO Xurui.A STUDY OF ANODIC DISSOLUTION OF SILICON IN HF SOLUTIONS[J].Imaging Science and Photochemistry,1997,15(1):80-83. |
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| Authors: | YIN Feng LI Xueping XIAO Xurui |
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| Affiliation: | The Center of Photoelectrochemistry, Institute of Photographic Chemistry, The Chinese Academy of Sciences, Beijing 100101, P. R. China |
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| Abstract: | The current potential(I-V)and capacitance-potential(C-V)characterizations of p+, p-, n+, and n- silicon during the anodic dissolution in HF solutions were studied. There is a strong dependence of the silicon doping type and concentration on the anodic dissolution process of silicon in HF solutions. The rate of dissolution of silicon in HF solutions decreased in the order of p+>p->n+>n-. |
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| Keywords: | porous silicon current-potential characterizations capacitance-potential characterizations |
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