| 氮化镓单晶的液相生长 |
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| 引用本文： | 任国强,刘宗亮,李腾坤,徐科.氮化镓单晶的液相生长[J].人工晶体学报,2020,49(11):2024-2037. |
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| 作者姓名： | 任国强 刘宗亮 李腾坤 徐科 |
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| 作者单位： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123;苏州纳维科技股份有限公司,苏州 215002 |
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| 基金项目： | (国家自然科学基金)%(国家重点研发计划) |
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| 摘 要： | 氮化镓(GaN)具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想衬底材料.除气相法(包括HVPE(氢化物气相外延)、MOCVD(金属有机化合物化学气相沉淀)、MBE(分子束外延))生长GaN单晶外,液相法(包括氨热法和助熔剂法)近几年在制备GaN单晶方面取得了较大的进展.本文介绍了氨热法和助熔剂法的生长原理、装备特点及生长习性;综述了两种液相生长方法的研究历程及研究进展,并对液相法生长GaN单晶的发展趋势及主要挑战进行了展望.
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| 关 键 词： | 氮化镓单晶 液相法 氨热法 助熔剂法 |
Liquid Phase Growth of GaN Single Crystal |
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| REN Guoqiang,LIU Zongliang,LI Tengkun,XU Ke.Liquid Phase Growth of GaN Single Crystal[J].Journal of Synthetic Crystals,2020,49(11):2024-2037. |
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| Authors: | REN Guoqiang LIU Zongliang LI Tengkun XU Ke |
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