| 可控化学腐蚀法制备碳化硅量子点及其表面修饰 |
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| 引用本文： | 康杰,宋月鹏,孙为云,丁紫阳,李连荣,焦璨,雷腾飞.可控化学腐蚀法制备碳化硅量子点及其表面修饰[J].人工晶体学报,2020,49(10):1889-1895. |
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| 作者姓名： | 康杰 宋月鹏 孙为云 丁紫阳 李连荣 焦璨 雷腾飞 |
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| 作者单位： | 郑州职业技术学院材料工程系,郑州 450121;山东农业大学机械与电子工程学院,泰安 271000;齐鲁理工学院机电工程学院,济南 250200 |
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| 基金项目： | (山东省科技发展计划);(山东省现代农业产业技术体系果品产业创新团队资金);(中国博士后科学基金) |
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| 摘 要： | 通过可控的化学腐蚀法完成了对碳化硅量子点的制备,而后经超声空化作用及高速层析裁剪获得水相的碳化硅量子点溶液,利用化学偶联法,一步实现了SiC量子点的表面物化特性调控.通过对制备工艺参数调整前后量子点微观形貌、光谱特性的表征,结果表明:腐蚀次数、腐蚀剂组分及腐蚀剂配比是影响碳化硅量子点光致发光效率的主要因素,调整腐蚀次数与腐蚀剂组分的配比,同时加入偶联剂分析纯硫酸,当以V(HF):V(HNO3):V(H2 SO4)=6:1:1(体积比)的组分及比例腐蚀球磨后的β-SiC粉体时,制备出的水相碳化硅量子点光致发光相对强度最为理想.同时对碳化硅量子点表面巯基的形成机制与修饰稳定性进行了初步分析.
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| 关 键 词： | 碳化硅量子点 化学腐蚀法 微观形貌 光致发光相对强度 光谱特性 表面修饰 |
Preparation and Surface Modification of SiC Quantum Dots by Controllable Chemical Etching Method |
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| KANG Jie,SONG Yuepeng,SUN Weiyun,DING Ziyang,LI Lianrong,JIAO Can,LEI Tengfei.Preparation and Surface Modification of SiC Quantum Dots by Controllable Chemical Etching Method[J].Journal of Synthetic Crystals,2020,49(10):1889-1895. |
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| Authors: | KANG Jie SONG Yuepeng SUN Weiyun DING Ziyang LI Lianrong JIAO Can LEI Tengfei |
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