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第一性原理研究二维GaN的电子结构和光学性能
引用本文:张陆,任达华,谭兴毅,钱楷.第一性原理研究二维GaN的电子结构和光学性能[J].人工晶体学报,2018,47(12):2624-2631.
作者姓名:张陆  任达华  谭兴毅  钱楷
作者单位:湖北民族学院信息工程学院,恩施,445000
基金项目:国家自然科学金(11864011);湖北省自然科学基金(2018CFB390)
摘    要:二维GaN是一种性能优良的半导体光电材料,用途广泛.因此,基于密度泛函理论采用广义梯度近似方法系统研究单层、双层和三层二维GaN的电子结构和光学性质,并与三维GaN体材料进行比较.结果表明:随着维数的降低,二维GaN的能带变宽,各能级的能量值起伏变大;不同于三维GaN,二维GaN量子尺寸效应明显,N的2s态和2p态相互作用增强,出现能带重叠,呈现较好的导电特性;分析费米能级发现导带底附近存在明显表面态,这是因为Ga的4s电子态的贡献;随着二维GaN层数的增加,对紫外光的反射特性越来越好,在特定的能量范围内,二维GaN的能量损失为零.由此可知,研究二维GaN的电子结构和光学性质有助于二维GaN在纳米光电器件中的应用.

关 键 词:二维GaN  第一性原理  电子结构  光学性能  

First-principle Study on the Electronic Structure and Optical Properties of Two-dimensional GaN
ZHANG Lu,REN Da-hua,TAN Xing-yi,QIAN Kai.First-principle Study on the Electronic Structure and Optical Properties of Two-dimensional GaN[J].Journal of Synthetic Crystals,2018,47(12):2624-2631.
Authors:ZHANG Lu  REN Da-hua  TAN Xing-yi  QIAN Kai
Abstract:
Keywords:
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