| 高压辅助法制备红外非线性AgGaGe5Se12、AgGaGeS4晶体 |
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| 引用本文： | 马佳仁,黄昌保,倪友保,吴海信,王振友.高压辅助法制备红外非线性AgGaGe5Se12、AgGaGeS4晶体[J].人工晶体学报,2018,47(12):2423-2428. |
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| 作者姓名： | 马佳仁 黄昌保 倪友保 吴海信 王振友 |
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| 作者单位： | 中国科学院合肥物质科学研究院,安徽光学精密机械研究所,安徽省光子器件与材料重点实验室,合肥 230031;中国科学技术大学,合肥 230026;中国科学院合肥物质科学研究院,安徽光学精密机械研究所,安徽省光子器件与材料重点实验室,合肥 230031 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51702323);国防科技创新特区项目支持 |
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| 摘 要： | AgGaGe5 Se12、AgGaGeS4非线性晶体在中远红外激光具有良好的应用前景.合成高纯多晶是制备可器件化单晶元件的关键.但S、Se易挥发、高温下饱和蒸气压高,易导致石英坩埚的爆炸,组分偏离化学计量比.为此,本文采用一种新型的高压辅助法合成出大尺寸高纯的多晶原料,解决了石英坩埚爆炸和组份偏离问题,并在此基础上进行了单晶的生长过程.多晶X射线粉末衍射测试结果与模拟图谱或者标准PDF卡片一致;X射线荧光光谱分析得到各元素百分含量非常接近化学计量比,AgGaGe5 Se12中Ag、Ga、Ge、Se各占7.86;、5.08;、23.80;、63.26;,AgGaGeS4中Ag、Ga、Ge、S各占28.22;、18.24;、19.52;、34.02;;单晶透过率测试得到AgGaGe5 Se12、AgGaGeS4透过率分别为60;、70;,证明此方法制备的AgGaGe5 Se12、AgGaGeS4晶体性能优良,展现了该方法在多晶合成的应用潜力.
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| 关 键 词： | AgGaGe5Se12 AgGaGeS4 中远红外激光 高压辅助法 |
High-Presure-Assisted Preparation of Infrared Nonlinear Crystal AgGaGe5 Se12 and AgGaGeS4 |
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| MA Jia-ren,HUANG Chang-bao,NI You-bao,WU Hai-xin,WANG Zhen-you.High-Presure-Assisted Preparation of Infrared Nonlinear Crystal AgGaGe5 Se12 and AgGaGeS4[J].Journal of Synthetic Crystals,2018,47(12):2423-2428. |
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| Authors: | MA Jia-ren HUANG Chang-bao NI You-bao WU Hai-xin WANG Zhen-you |
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