| 多孔硅吸杂对单晶硅片电性能的影响 |
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| 引用本文： | 李佳艳,游小刚,谭毅,郭素霞.多孔硅吸杂对单晶硅片电性能的影响[J].人工晶体学报,2013,42(11):2364-2368. |
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| 作者姓名： | 李佳艳 游小刚 谭毅 郭素霞 |
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| 作者单位： | 大连理工大学材料科学与工程学院,大连116024;大连理工大学辽宁省太阳能光伏系统重点实验室,大连116024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51074032);国家自然科学基金-云南联合基金项目(U1137601);国家自然科学青年基金(51104028);高等学校博士学科点专项科研基金(新教师类)(20110041120031) |
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| 摘 要： | 多孔硅吸杂是减少晶体硅中杂质和缺陷,提高太阳能电池转换效率的有效方法.本文采用电化学腐蚀方法在单晶硅片上制备多孔硅.通过观察多孔硅的形貌、孔隙率、多孔层厚度及单晶硅片的电阻率变化,研究不同的腐蚀时间对制备多孔硅的吸杂效果的影响,并分析多孔硅吸杂的机理.结果表明,在J=100 mA/cm2条件下腐蚀时间为30 min、40 min、50 min、60 min吸杂处理后,电阻率均提高,且随着腐蚀时间的增加,电阻率相应增加,与多孔硅的形貌、孔隙率和多孔层厚度的变化趋势一致.多孔硅形成伴随弹性机械应力出现,随腐蚀时间增加,应力增加,晶格常数相应增加,这都有利于缺陷和金属杂质在多孔硅层-基底界面处迁移和富集,导致单晶硅吸杂后电阻率增大.
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| 关 键 词： | 多孔硅 电化学腐蚀 吸杂 电阻率 |
Effect of Porous Silicon Gettering on the Electrical Properties of Monocrystalline Silicon Wafer |
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| LI Jia-yan,YOU Xiao-gang,TAN Yi,GUO Su-xia.Effect of Porous Silicon Gettering on the Electrical Properties of Monocrystalline Silicon Wafer[J].Journal of Synthetic Crystals,2013,42(11):2364-2368. |
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| Authors: | LI Jia-yan YOU Xiao-gang TAN Yi GUO Su-xia |
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