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过饱和度对KDP晶体生长与光学性能的影响研究
引用本文:朱胜军,王圣来,丁建旭,刘光霞,王端良,刘琳,顾庆天,许心光.过饱和度对KDP晶体生长与光学性能的影响研究[J].人工晶体学报,2013,42(10):1973-1977.
作者姓名:朱胜军  王圣来  丁建旭  刘光霞  王端良  刘琳  顾庆天  许心光
作者单位:山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
基金项目:国家自然科学基金(50721002,51202131)
摘    要:在不同过饱和度的溶液中生长了KDP晶体,对生长晶体的透过率,光散射和激光损伤阈值进行了表征.研究了不同过饱和度对KDP晶体生长及光学性能的影响.实验表明:KDP晶体可以在高过饱和度(σ>3;)溶液中实现快速生长,生长速度可大于10 mm/d;但随着溶液过饱和度的增加,KDP晶体生长溶液的稳定性降低,晶体容易出现包藏、开裂和添晶等缺陷,晶体的光学性能也随之降低.

关 键 词:KDP晶体  过饱和度  稳定性  透过率  缺陷  

Effect of Supersaturation on Growth and Optical Properties of KDP Crystal
Abstract:
Keywords:
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