| Mo掺杂Mn4Si7的光电性质的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 谢杰,张晋敏,冯磊,潘王衡,王立,贺腾,陈茜,肖清泉,谢泉.Mo掺杂Mn4Si7的光电性质的第一性原理计算[J].人工晶体学报,2020,49(1):99-104. |
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| 作者姓名： | 谢杰 张晋敏 冯磊 潘王衡 王立 贺腾 陈茜 肖清泉 谢泉 |
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| 作者单位： | 贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025;贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025;贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025;贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025;贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025;贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025;贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025;贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025;贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025;贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025;贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025;贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025;贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025;贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025;贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025;贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025;贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025;贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025 |
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| 基金项目： | 贵州省自然科学基金(黔科合基础[2018]1028);贵州大学研究生重点课程项目(贵大研ZDKC[2015]026);国家自然科学基金(61264004);贵州省高层次创新型人才培养项目(黔科合人才(2015)4015);贵州省留学回国人员科技活动择优资助项目(黔人项目资助合同[2018]09) |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,计算了Mn4Si7及Mo掺杂Mn4Si7的电子结构和光学性质.计算结果表明Mn4 Si7的禁带宽度Eg=0.804 eV,Mo掺杂Mn4Si7的禁带宽度Eg=0.636 eV.掺杂使得Mn4 Si7费米面附近的电子结构发生改变,导带底由Γ点转移为Y点向低能方向下偏移,价带顶向高能方向上偏移,带隙变窄.计算还表明Mo掺杂Mn4Si7使介电函数、折射率、吸收系数及光电导率等光学性质增加.
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| 关 键 词： | 第一性原理 Mn4Si7 电子结构 光学性质 |
First-principles Calculation on the Photoelectric Properties of Mo Doped Mn4Si7 |
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| XIE Jie,ZHANG Jinmin,FENG Lei,PAN Wangheng,WANG Li,HE Teng,CHEN Qian,XIAO Qingquan,XIE Quan.First-principles Calculation on the Photoelectric Properties of Mo Doped Mn4Si7[J].Journal of Synthetic Crystals,2020,49(1):99-104. |
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| Authors: | XIE Jie ZHANG Jinmin FENG Lei PAN Wangheng WANG Li HE Teng CHEN Qian XIAO Qingquan XIE Quan |
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| Keywords: | |
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