| 基于载流子选择性接触的N型晶硅电池钝化特性研究 |
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| 引用本文： | 张天杰,刘大伟,倪玉凤,杨露,魏凯峰,宋志成,林涛.基于载流子选择性接触的N型晶硅电池钝化特性研究[J].人工晶体学报,2020,49(9):1631-1635. |
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| 作者姓名： | 张天杰 刘大伟 倪玉凤 杨露 魏凯峰 宋志成 林涛 |
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| 作者单位： | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司,西安 710100;西安理工大学电子工程系,西安 710048 |
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| 摘 要： | 为了研究载流子选择性接触结构在N型晶硅电池钝化特性,本文设计了专门的材料结构.分析对比了不同掺杂浓度分布的材料结构在退火后、沉积SiNx:H薄膜后及烧结后隐开路电压值的变化,并对其钝化机理进行了分析.研究结果表明隐开路电压值对掺杂浓度分布非常敏感.随着掺杂浓度分布进入硅基体的"穿透"深度增加,相对应地退火后、SiNx:H薄膜沉积后及烧结后隐开路电压值均呈现先增加后减小的趋势,且样片沉积SiNx:H薄膜后隐开路电压的增加幅度也逐渐减小,而样片烧结后隐开路电压值又出现不同幅度的下降,且隐开路电压值的下降幅度逐渐减小.通过适当的掺杂工艺,可以使得烧结后的隐开路电压均值达到738 mV.
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| 关 键 词： | 晶硅电池 N型 载流子选择接触 氢钝化 掺杂浓度分布 |
Passivation Characteristics of N-Type Crystal Silicon Cell Based on Carrier Selective Contact |
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| ZHANG Tianjie,LIU Dawei,NI Yufeng,YANG Lu,WEI Kaifeng,SONG Zhicheng,LIN Tao.Passivation Characteristics of N-Type Crystal Silicon Cell Based on Carrier Selective Contact[J].Journal of Synthetic Crystals,2020,49(9):1631-1635. |
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| Authors: | ZHANG Tianjie LIU Dawei NI Yufeng YANG Lu WEI Kaifeng SONG Zhicheng LIN Tao |
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