| PECVD沉积参数对非晶硅向微晶硅薄膜转化的影响 |
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| 引用本文： | 翁秀章,周炳卿,谷鑫.PECVD沉积参数对非晶硅向微晶硅薄膜转化的影响[J].人工晶体学报,2018,47(2):297-301. |
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| 作者姓名： | 翁秀章 周炳卿 谷鑫 |
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| 作者单位： | 内蒙古师范大学物理与电子信息学院,功能材料物理与化学自治区重点实验室,呼和浩特010022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51262022) |
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| 摘 要： | 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统,以硅烷和氢气为反应气源,通过改变射频功率、硅烷浓度来制备氢化硅基薄膜材料.研究了沉积参数的变化对硅基薄膜材料微结构的影响.通过红外吸收谱、紫外可见光谱以及X射线衍射谱对样品材料进行表征.实验结果表明,随着射频功率的增加,薄膜中氢含量也相应地增大,而光学带隙表现出先增大后减小的规律.当硅烷浓度逐渐降低时,薄膜材料的光学带隙相应地降低,并从非晶硅薄膜逐渐向微晶硅薄膜材料转变,且薄膜材料在(111)方向的晶粒尺度达到了10.92 nm.实现了在高沉积压强、大射频功率、低硅烷浓度条件下可以有效优化改善硅基薄膜质量.
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| 关 键 词： | 非晶硅薄膜 PECVD 微晶硅薄膜 微结构 |
Influence of PECVD Deposition Parameters on the Transition from Amorphous Silicon to Microcrystalline Silicon Films |
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| WENG Xiu-zhang,ZHOU Bing-qing,GU Xin.Influence of PECVD Deposition Parameters on the Transition from Amorphous Silicon to Microcrystalline Silicon Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2018,47(2):297-301. |
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| Authors: | WENG Xiu-zhang ZHOU Bing-qing GU Xin |
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