| Na、Lu掺杂Mg2Si的电子结构及光学性质的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 何安娜,肖清泉,秦铭哲,谢泉.Na、Lu掺杂Mg2Si的电子结构及光学性质的第一性原理计算[J].人工晶体学报,2019,48(12):2194-2200. |
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| 作者姓名： | 何安娜 肖清泉 秦铭哲 谢泉 |
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| 作者单位： | 贵州大学大数据与信息工程学院,新型光电子材料与技术研究所,贵阳 550025 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61264004);贵州省留学回国人员科技活动择优资助项目([2018]09);贵州省高层次创新型人才培养项目([2015]4015) |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,研究了未掺杂Mg2Si以及Na、Lu掺杂Mg2Si的电子结构和光学性质.计算结果表明:Na掺杂Mg2Si后,费米能级进入价带,呈p型导电;Lu掺杂Mg2Si后,费米能级进入导带,呈n型导电.未掺杂Mg2Si对于能量低于0.5eV的光子几乎不吸收,但Na、Lu掺杂的Mg2Si对于能量低于0.5eV的光子还存在较大的吸收,即Na、Lu掺杂改善了Mg2Si对红外光子的吸收.掺杂后,可见光区的吸收系数与反射率明显减小,这说明掺杂的Mg2Si在可见光区的透过率增大.计算结果为Mg2Si 基光电器件的设计与应用提供了理论依据.
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| 关 键 词： | 第一性原理 Mg2Si 掺杂 电子结构 光学性质 |
First-principles Calculation on Electronic Structure and Optical Properties of Mg2Si Doped with Na and Lu |
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| HE An-na,XIAO Qing-quan,QIN Ming-zhe,XIE Quan.First-principles Calculation on Electronic Structure and Optical Properties of Mg2Si Doped with Na and Lu[J].Journal of Synthetic Crystals,2019,48(12):2194-2200. |
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| Authors: | HE An-na XIAO Qing-quan QIN Ming-zhe XIE Quan |
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