| 氮化镓单晶生长研究进展 |
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| 引用本文： | 任国强,王建峰,刘宗亮,蔡德敏,苏旭军,徐科.氮化镓单晶生长研究进展[J].人工晶体学报,2019,48(9):1588-1598. |
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| 作者姓名： | 任国强 王建峰 刘宗亮 蔡德敏 苏旭军 徐科 |
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| 作者单位： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州,215123;苏州纳维科技有限公司,苏州,215002;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215123;苏州纳维科技有限公司,苏州215002 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61574162,61604169);国家重点研发计划项目(2017YFB0404100) |
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| 摘 要： | 氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想材料.受制于氮化镓单晶衬底的尺寸、产能及成本的影响,当前的GaN基器件主要基于异质衬底(硅、碳化硅、蓝宝石等)制作而成,GaN单晶衬底的缺乏已成为制约GaN器件发展的瓶颈.近年来,国内外在GaN单晶衬底制备方面取得了较大的进展.本文综述了氮化镓单晶生长的最新进展,包括氢化物气相外延法、氨热法和钠助熔剂法的研究进展,分析了各生长方法面临的挑战与机遇,并对氮化镓单晶材料的发展趋势讲行了展望.
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| 关 键 词： | 氮化镓单晶 氢化物气相外延 氨热法 助熔剂法 |
Research Progress on GaN Single Crystal Growth |
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| REN Guo-qiang,WANG Jian-feng,LIU Zong-liang,CAI De-min,SU Xu-jun,XU Ke.Research Progress on GaN Single Crystal Growth[J].Journal of Synthetic Crystals,2019,48(9):1588-1598. |
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| Authors: | REN Guo-qiang WANG Jian-feng LIU Zong-liang CAI De-min SU Xu-jun XU Ke |
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