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Effects of Annealing on Schottky Characteristics in A1GaN/GaN HEMT with Transparent Gate Electrode
Authors:WANG Chong  ZHANG Kun  HE Yun-Long  ZHENG Xue-Feng  MA Xiao-mua  ZHANG Jin-Cheng  HAO Yue
Affiliation:Key Lab of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071
Abstract:
Keywords:
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