| 同轴电缆头和转接头HPM击穿现象初步分析 |
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| 引用本文： | 李正红,孟凡宝,黄华,常安碧.同轴电缆头和转接头HPM击穿现象初步分析[J].强激光与粒子束,2005,17(2):245-248. |
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| 作者姓名： | 李正红 孟凡宝 黄华 常安碧 |
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| 作者单位： | 1.西北核技术研究所,陕西 西安 71 0024 |
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| 基金项目： | 国家863计划项目资助课题 |
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| 摘 要： | 介绍了同轴电缆头和转接头的HPM击穿实验研究方法，给出了几种电缆头和转接头微波击穿功率随微波频率、脉冲宽度、重复频率和脉冲持续时间变化规律的实验研究结果。结果表明:微波击穿发生在同轴电缆头连接处，是电缆接头沿面滑闪，且击穿功率随同轴电缆及转接头尺寸的减小而降低；击穿功率也随微波脉冲宽度（30 ns～1 μs）的增大而减小，并且在100 ns附近有一拐点；在低重复频率（1～1000 Hz）下，重频对击穿功率的影响不大；微波频率在2.856～9.37 GHz变化时，微波频率对击穿功率的影响不明显；微波脉冲宽度较窄时（几十ns以下），击穿功率随持续时间变化不大，脉冲宽度较宽时（百ns以上），击穿阈值随持续时间的增大而下降。
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| 关 键 词： | 微波击穿 同轴电缆 转接头 高功率微波 |
| 文章编号： | 1001-4322(2004)02-0245-04 |
| 收稿时间： | 2004/6/10 |
| 修稿时间： | 2004年6月10日 |
Particle simulation and optimization design of X-band quasi-periodic RF cavity for high power microwave source |
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| LI Zheng-hong,MENG Fan-bao,HUANG Hua,CHANG An-bi.Particle simulation and optimization design of X-band quasi-periodic RF cavity for high power microwave source[J].High Power Laser and Particle Beams,2005,17(2):245-248. |
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| Authors: | LI Zheng-hong MENG Fan-bao HUANG Hua CHANG An-bi |
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| Affiliation: | 1.Northwest Institute of Nuclear Technology,P.O.Box 69-13,Xi'an 710024,China |
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| Abstract: | A novel resonator of quasi-periodic structure is put out in the paper. The interaction between the beam and the microwave field in the cavity is theoretically investigated with 2.5 dimensional particle simulation code. With this type of structures, theoretically beam-microwave interaction efficiency can reach 52%. An X-band quasi-periodic structure cavity is designed, its working frequency is 9.4 GHz. With the voltage 700 kV, current 6.6 kA and magnet field 4.4 T in the simulation, the output power is 1.67 GW, the frequency 9.4 GHz and interaction efficiency about 36%. Driven by Sinus-700 accelerator in the experiment, microwave power is 1.3 GW, the frequency is 9.4 GHz, pulse duration is about 26 ns, and the efficiency is 26%. |
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| Keywords: | RF cavity Mode Bunch Backward wave oscillator(BWO) High power microwave(HPM) |
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