首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

NCl(a^1△)/I(^2P3/2)传能体系的实验研究
引用本文:唐书凯,于海军,闵祥德,汪健,张翠兰,多丽萍,桑凤亭.NCl(a^1△)/I(^2P3/2)传能体系的实验研究[J].强激光与粒子束,2003,15(6):529-532.
作者姓名:唐书凯  于海军  闵祥德  汪健  张翠兰  多丽萍  桑凤亭
作者单位:唐书凯(中国科学院,大连化学物理研究所,短波长化学激光国家重点实验室,辽宁,大连,116023)       于海军(中国科学院,大连化学物理研究所,短波长化学激光国家重点实验室,辽宁,大连,116023)       闵祥德(中国科学院,大连化学物理研究所,短波长化学激光国家重点实验室,辽宁,大连,116023)       汪健(中国科学院,大连化学物理研究所,短波长化学激光国家重点实验室,辽宁,大连,116023)       张翠兰(中国科学院,大连化学物理研究所,短波长化学激光国家重点实验室,辽宁,大连,116023)       多丽萍(中国科学院,大连化学物理研究所,短波长化学激光国家重点实验室,辽宁,大连,116023)       桑凤亭(中国科学院,大连化学物理研究所,短波长化学激光国家重点实验室,辽宁,大连,116023)
基金项目:国家863计划项目资助课题;大连化学物理研究所创新基金资助课题
摘    要:利用微波放电C12/He等离子体作为Cl源,对反应NCl(a^1△) I(^2P3/2)→NCl(X^3∑) I(^2P3/2)进行了实验研究,得到了较大的I(^2P3/2)自发辐射荧光信号,检测到NCl(a^1△,b^1∑)自发辐射荧光光谱在存在少量I(^2P3/2)下发生的显著变化,其中NCl(a^1△)自发辐射荧光信号降低,同时由于I(^2P3/2)的作用,NCl(b^1∑)自发辐射荧光信号大幅度增加。在考察各反应气体流量对I(^2P3/2)自发辐射荧光信号的影响时发现,在本次实验条件下,各种气体的最佳流量:He为1—4mmol/s,I2为0.01—0.03mmol/s,Cl2为1.0mmol/s左右,而HN3流量略大于Cl2流量时信号升高幅度开始变缓,约为Cl2流量的两倍时信号不再有显著的变化。

关 键 词:微波放电  NCl(a^1△)/I(^2P3/2)传能体系  实验研究  自发辐射荧光光谱  化学激光系统  氯化钠  
文章编号:1001-4322(2003)06-0529-04
收稿时间:2002/4/24
修稿时间:2002年4月24日

Experimental study on NCl(a1Δ) /I(2P3/2)system
Abstract:NCl(a1Δ) /I(2P3/2)System was studied by using microwave discharge Cl2/He plasma as Cl atoms source. Strong I (2P1/2) radiation at 1315 nm was obtained. The considerable changes of NCl(a1Δ) and NC1 (b1 summation ) radiation at 1077 nm and 665 nm respectively were observed when a little amount of I2 was injected into the flow of Cl and HN3,. namely NC1 (a1Δ) radiation at 1077nm decreased rapidly while NCl(b1 summation ) radiation at 665 nm increased rapidly due to the reactions NCl(a1Δ) + I(2P3/2)-> NCl(X3 summation ) + I(2P1/2) and NCl(a1Δ)+I(2P1/2)-> NCl(b1 summation ) +I(2P3/2). The intensity dependence of I (2P1/2) radiation at 1315 nm on He, Cl2 HN3 and I2 flow rate was investigated. The results show that the optimum flow rate for gases of He, I2 ,Cl2 and HN3 are 1-4, 0.01-0.03, 1 and l-2 mmol/s respectively.
Keywords:Microwave discharge  Cl  NCl  I
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号