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变价元素铋掺杂钨酸铅晶体辐照损伤的研究
引用本文:梁玲,顾牡,段勇,马晓辉,刘峰松,吴湘惠,邱隆清,陈铭南,廖晶莹,沈定中,张昕,宫波,薛炫萍,徐炜新,王景成.变价元素铋掺杂钨酸铅晶体辐照损伤的研究[J].中国物理 C,2003,27(6):526-531.
作者姓名:梁玲  顾牡  段勇  马晓辉  刘峰松  吴湘惠  邱隆清  陈铭南  廖晶莹  沈定中  张昕  宫波  薛炫萍  徐炜新  王景成
作者单位:[1]同济大学物理系,上海200092 [2]中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050 [3]上海金属功能材料重点实验室,上海200940
基金项目:国家自然科学基金 ( 197740 43),高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划,上海市教育委员会重点学科研究项目,曙光计划 (02SG19),青年教师项目 ( 0 1QN18)资助~~
摘    要:采用剂量为4Mrad的γ射线辐照Bridgman法生长的未掺杂和掺铋钨酸铅晶体,研究了辐照前后晶体的透射光谱、X射线激发发射光谱(XSL)的变化.利用正电子湮没寿命谱(PAT)和X光电子能谱(XPS)的实验手段,对钨酸铅晶体辐照前后的微观缺陷进行了研究,并对其抗辐照损伤性能及微观机理进行了初步探讨.研究表明,铋掺杂使得晶体中的正电子捕获中心和低价氧浓度下降;辐照后,未掺杂晶体中正电子捕获中心浓度下降,低价氧浓度上升,掺铋晶体则出现了与之完全相反的情况,正电子捕获中心浓度上升,低价氧浓度下降.提出掺铋钨酸铅晶体中铋的掺杂辐照前主要以Bi3+占据VPb的形式存在,辐照使变价元素铋发生Bi3+→Bi5+的变价行为,Bi5+可以替代W6+格位并使得晶体内部分(WO4)2-根团形成(BiO3+Vo).

关 键 词:掺铋钨酸铅晶体  辐照损伤  微观缺陷  正电子湮没寿命谱  X光电子能谱
收稿时间:2002-11-15

Study on Irradiation Damage of Bi-Doped PbWO4 Crystal
LIANG Ling GU Mu,DUAN Yong MA Xiao-Hui LIU Feng-Song WU Xiang-Hui QIU Long-Qing CHEN Ming-Nan.Study on Irradiation Damage of Bi-Doped PbWO4 Crystal[J].High Energy Physics and Nuclear Physics,2003,27(6):526-531.
Authors:LIANG Ling GU Mu  DUAN Yong MA Xiao-Hui LIU Feng-Song WU Xiang-Hui QIU Long-Qing CHEN Ming-Nan
Affiliation:LIANG Ling GU Mu 1) DUAN Yong MA Xiao-Hui LIU Feng-Song WU Xiang-Hui QIU Long-Qing CHEN Ming-Nan
Abstract:
Keywords:Bi-doped PbWO4 crystal  irradiation damage  point defects  positron annihilation lifetime  X-ray photoelectron spectrum
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