106 μm激光对CCD、CMOS相机饱和干扰效果对比研究 |
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引用本文: | 邵铭,张乐,张雷雷,柴国庆,胡琥香.106 μm激光对CCD、CMOS相机饱和干扰效果对比研究[J].应用光学,2014,35(1):163. |
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作者姓名: | 邵铭 张乐 张雷雷 柴国庆 胡琥香 |
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作者单位: | 邵铭:中国人民解放军63891部队,河南 洛阳 471003 张乐:中国人民解放军63891部队,河南 洛阳 471003 张雷雷:中国人民解放军63891部队,河南 洛阳 471003 柴国庆:中国人民解放军63891部队,河南 洛阳 471003 胡琥香:中国人民解放军63891部队,河南 洛阳 471003
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摘 要: | 为了对比激光对CCD、CMOS两种图像传感器的干扰效果,利用106 μm高重频激光开展了对CCD、CMOS两种相机的饱和干扰实验研究,分析了两种相机在干扰有效面积、饱和干扰面积、干扰前后图像相关度等与激光入射功率之间的关系。实验结果表明:CMOS相机达到单元像素饱和的激光功率阈值是CCD相机的20倍;要达到相同的干扰有效面积,所需的激光功率CMOS相机要大于CCD相机10倍~100倍;要达到相同的饱和像元数,所需的激光功率CMOS相机比CCD相机约大10倍~60倍。因此,CMOS相机要比CCD相机具有更好的抗106 μm激光干扰能力。
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关 键 词: | 激光干扰 CCD相机 CMOS相机 饱和效应 |
收稿时间: | 2013/9/22 |
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