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正常金属—d波超导隧道结中杂质和界面散射对微分电导的影响
引用本文:董正超.正常金属—d波超导隧道结中杂质和界面散射对微分电导的影响[J].物理学报,1999,48(5):926-926.
作者姓名:董正超
作者单位:淮阴师范学院物理系
基金项目:江苏省教委自然科学基金
摘    要:考虑到正常金属区域的杂质散射和界面粗糙的散射,运用Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程和Bolonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论模型,计算正常金属-d波超导隧道结的微分电导。计算发现:隧道谱强烈地依赖电子的入射角和超导体晶轴方位,并能展示零偏压电导峰的存在;此外,杂质散射能使隧道谱的凹陷分裂出两个小凹陷,而界面粗糙能抹平和压低零偏压电导峰和能隙电导峰。这些

关 键 词:正常金属  超导隧道结  杂质  散射  高Tc  微分电导
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