| Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备与特性研究 |
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| 引用本文： | 王华.Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备与特性研究[J].物理学报,2004,53(4). |
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| 作者姓名： | 王华 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，广西自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用sol-gel工艺,在分层快速退火的工艺条件下成功地制备了高质量Si基BiTi3O12铁电薄膜.研究了Si基Bi4Ti3O12薄膜的生长行为、铁电性能、C-V特性和疲劳特性.研究表明:Si基Bi4Ti3O12薄膜具有随退火温度升高沿c轴择优生长的趋势;退火温度通过影响薄膜的晶粒尺寸、生长取向和薄膜中载流子的浓度来改变Si基Bi4Ti3O12薄膜的铁电性能;Ag/Bi4Ti3O12/p-Si异质结的C-V特性曲线呈现顺时针回滞,可以实现极化存储;109次极化反转后Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化仅下降12%,具有较好的疲劳特性.
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| 关 键 词： | sol-gel法 铁电薄膜 Bi4Ti3O12 C-V特性 |
Studies on the preparation and characterization of Bi4Ti3O12 thin films on p-Si substrates |
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