| I掺杂金红石TiO_2(110)面的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 王涛,陈建峰,乐园.I掺杂金红石TiO_2(110)面的第一性原理研究[J].物理学报,2014(20):297-303. |
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| 作者姓名： | 王涛 陈建峰 乐园 |
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| 作者单位： | 北京化工大学化学工程学院有机无机复合材料国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(批准号:2012AA030307);北京化工大学“化工网络项目”资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 利用基于密度泛函理论的第一性原理研究了I掺杂金红石Ti O2(110)表面的形成能和电子结构,分析了不同掺杂位置的结构对Ti O2光催化性能的影响.计算表明,氧化环境下I最容易替代掺杂表面五配位的Ti,而还原环境下最容易替代掺杂表面的桥位氧.I替位Ti或I替位O都能降低禁带宽度,可能使Ti O2吸收带出现红移现象或产生在可见光区的吸收,其中I替位桥位氧的禁带宽度最小.吸收光谱表明,I掺杂不仅能提高Ti O2可见光响应,同时可增加紫外光的吸收能量,提高其可见光及紫外光下的光催化性能.
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| 关 键 词： | 第一性原理 I掺杂 金红石相Ti O() 光催化 |
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