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| 单层缺陷碲烯电子结构与光学性质的第一性原理研究 | |
| 摘 要： | 碲烯是性质优异的新型二维半导体材料,研究缺陷碲烯的电子结构有助于理解载流子掺杂、散射等效应,对其在电子和光电器件中的应用有重要意义.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了常见点缺陷对单层β相碲烯电子结构和光学性质的影响,包括单空位、双空位及Stone Wales缺陷.研究发现,单层β相碲烯中单空位、双空位和Stone Wales缺陷的形成能在0.83—2.06 eV范围,低于石墨烯、硅烯、磷烯和砷烯中对应缺陷的形成能,说明实验上单层β相碲烯中容易形成点缺陷.点缺陷出现后,单层β相碲烯带隙宽度少有变化,禁带中出现依赖于缺陷类型的局域能级,部分双空位缺陷和Stone Wales缺陷使其由直接带隙变为间接带隙.同时我们发现,单层β相碲烯的光吸收性质与缺陷类型密切相关.部分缺陷能增大其静态介电常数,使它的复介电函数的实部、虚部及吸收系数在0—3 eV能量范围内出现新的峰,增强它在低能区的光响应、极化能力及光吸收.本文研究可为碲烯在电子和光电子器件中的应用提供理论参考. |
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