| FeS2多晶薄膜电子结构的实验研究 |
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| 引用本文： | 张辉,王宝义,张仁刚,张哲,钱海杰,苏润,奎热西,魏龙.FeS2多晶薄膜电子结构的实验研究[J].物理学报,2006,55(5). |
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| 作者姓名： | 张辉 王宝义 张仁刚 张哲 钱海杰 苏润 奎热西 魏龙 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目;中国科学院大型科学仪器专项基金 |
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| 摘 要： | 用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2.采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构.结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe 3d态密度存在,同时,在价带谱中2-10eV处有强度较大的S 3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2.1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2.4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2.8eV.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 二硫化铁 X射线吸收近边结构 电子结构 |
Experimental studies on the electronic structure of pyrite FeS2 films prepared by thermally sulfurizing iron films |
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| Zhang Hui,Wang Bao-Yi,Zhang Ren-Gang,Zhang Zhe,Qian Hai-Jie,Su Run,Kui Re-Xi,Wei Long.Experimental studies on the electronic structure of pyrite FeS2 films prepared by thermally sulfurizing iron films[J].Acta Physica Sinica,2006,55(5). |
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| Authors: | Zhang Hui Wang Bao-Yi Zhang Ren-Gang Zhang Zhe Qian Hai-Jie Su Run Kui Re-Xi Wei Long |
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