| Nb掺杂对TiO2/NiTi界面电子结构影响的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 吴红丽,赵新青,宫声凯.Nb掺杂对TiO2/NiTi界面电子结构影响的第一性原理计算[J].物理学报,2008,57(12). |
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| 作者姓名： | 吴红丽 赵新青 宫声凯 |
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| 作者单位： | 北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京,100083 |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了Nb掺杂对TiO2/NiTi界面电子结构的影响.体系生成能的计算结果表明,4种TiO2/NiTi界面结构中,NiTi中Ti原子和TiO2中O原子相邻的界面,即Ti/O界面的生成能最大,结构最稳定.在Ti/O界面结构优化的基础上,态密度、电荷分布以及集居数的计算结果均表明:Nb原子取代界面上的Ti原子后,界面原子之间的结合力增强,且界面附近的基体和氧化层中原子之间的相互作用也增加,有利于促进NiTi合金抗氧化性能的提高.
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| 关 键 词： | NiTi金属间化合物 TiO2/NiTi界面 电子结构 第一性原理计算 |
Effect of Nb doping on electronic structure of TiO2/NiTi interface: A first-principle study |
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| Wu Hong-Li,Zhao Xin-Qing,Gong Sheng-Kai.Effect of Nb doping on electronic structure of TiO2/NiTi interface: A first-principle study[J].Acta Physica Sinica,2008,57(12). |
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| Authors: | Wu Hong-Li Zhao Xin-Qing Gong Sheng-Kai |
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