| 掺杂半导体β-FeSi2电子结构及几何结构第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 潘志军,张澜庭,吴建生.掺杂半导体β-FeSi2电子结构及几何结构第一性原理研究[J].物理学报,2005,54(11). |
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| 作者姓名： | 潘志军 张澜庭 吴建生 |
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| 基金项目： | 上海市应用材料研究与发展基金，中国科学院资助项目 |
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| 摘 要： | 采用基于第一性原理的密度泛函理论全势线性缀加平面波法,使用广义梯度近似处理交换相关势能,首先计算了β-FeSi2的电子结构及其各元素各亚层电子的能态密度,β-FeSi2的电子能态密度主要由Fe的d层电子和Si的p层电子的能态密度确定;其次通过计算不同掺杂系统的总能量确定了掺杂原子在β-FeSi2中的置换位置,在β-FeSi2中,Co置换FeⅡ位置的Fe原子,Al置换SiⅠ位置的Si原子,这种择位置换与现有的计算结果完全一致;最后计算了Fe1-xCoxSi2和Fe(Si1-xAlx)2的电子结构,对它们的电子结构特征进行了分析,并探讨了电子结构对其热电性能(塞贝克系数、电传输及热传输性能)的影响.
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| 关 键 词： | 第一性原理 电子结构 热电性能 FeSi2 |
A first-principle study of electronic and geometrical structures of semiconducting β-FeSi2 with doping |
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| Pan Zhi-Jun,Zhang Lan-Ting,Wu Jian-Sheng.A first-principle study of electronic and geometrical structures of semiconducting β-FeSi2 with doping[J].Acta Physica Sinica,2005,54(11). |
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| Authors: | Pan Zhi-Jun Zhang Lan-Ting Wu Jian-Sheng |
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